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    Semiconductor memory device and data processing device using same
    3.
    发明公开
    Semiconductor memory device and data processing device using same 失效
    Halbleiterspeicheranordnung und Datenverarbeitungsanordnung unter Verwendung dergleicher。

    公开(公告)号：EP0439154A2

    公开(公告)日：1991-07-31

    申请号：EP91100848.0

    申请日：1991-01-23

    申请人： SEIKO EPSON CORPORATION

    发明人： Kayamoto, Hiroshi, c/o Seiko Epson Corporation ,  Nakajima, Masahiko, c/o Seiko Epson Corporation

    IPC分类号： G11C8/00 ,  G11C5/14 ,  G11C11/415 ,  G11C11/419 ,  G11C11/418

    CPC分类号： G11C11/419 ,  G11C5/145 ,  G11C8/08 ,  G11C11/415 ,  G11C11/418

    摘要： In the peripheral circuit of a static RAM comprised by memory cells (1) of the polysilicon high resistance type, is provided a word line voltage transformation circuit (50) which sets the potential of a selected word line (WL) during writing operation to be the potential V VOL , the value of which is higher than that of the supplied potential V DD . The word line voltage transformation circuit comprises a ring-oscillator circuit, a transformation timing signal generating circuit, a step-up gate control signal generating circuit, a stepped-up potential generating circuit, a word line supplied potential mixing circuit, and a word line potential supply control circuit.

    摘要翻译： 在由多晶硅高电阻型的存储单元（1）构成的静态RAM的外围电路中，提供了一个字线电压变换电路（50），其将写入操作期间所选字线（WL）的电位设置为 电位VVOL，其值高于所提供的电位VDD的电压。 字线电压变换电路包括环形振荡器电路，变换定时信号发生电路，升压门控制信号产生电路，升压电位发生电路，字线供给电位混合电路和字线 电源控制电路。