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    Integrierte Schaltungsanordnung
    2.
    发明公开
    Integrierte Schaltungsanordnung 失效
    Integrierte Schaltungsanordnung。

    公开(公告)号：EP0556644A1

    公开(公告)日：1993-08-25

    申请号：EP93101656.2

    申请日：1993-02-03

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Musiol, Lothar, Dipl.-Ing. (FH)

    IPC分类号： H03G1/00 ,  H03G1/04

    CPC分类号： H03G1/04 ,  H03G1/007

    摘要： Bei einer integrierten Schaltungsanordnung zur Spannungssteuerung der Verstärkung eines Feldeffekttransistors (T₁) mit mindestens zwei Gate- Elektroden (G₁, G₂), bei dem die erste Gate-Elektrode (G₁) den Signaleingang (1) und die zweite Gate-Elektrode (G₂) den Gleichspannungs-Steuereingang (U R ) bilden, sollen Signalverzerrungen ohne Zuhilfenahme externer Bauteile vermieden werden. Es ist eine integrierte Steuerschaltungsanordnung (T₂) vorgesehen, welche die Spannung an der ersten Gate-Elektrode (G₁) des Feldeffekttransistors (T₁) in Abhängigkeit von einer variablen Spannung an dessen zweiter Gate-Elektrode (G₂) einstellt, wobei das Source-Potential
    unverändert bleibt.

    摘要翻译： 在具有至少两个栅电极（G1，G2）的场效应晶体管（T1）的增益的电压控制的集成电路中，其中第一栅电极（G1）形成信号输入端（1）和 第二栅电极（G2）形成直流电压控制输入（UR），在不使用外部元件的情况下，可以防止信号失真。 提供集成控制电路（T2），其根据其第二栅电极（G2）处的可变电压来设置场效晶体管（T1）的第一栅电极（G1）处的电压，源电位保持不变 。