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公开(公告)号：EP2792650A1
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：EP14172252.0
申请日：2008-01-04
发明人： Nadaud, Nicolas , Kharchenko, Andriy , Billert, Ulrich , Gy, René
IPC分类号： C03C17/09 , C03C17/245 , C03C17/36 , C03C23/00 , C30B1/08 , C23C14/58 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： C03C17/09 , C03C17/2456 , C03C17/36 , C03C17/3681 , C03C23/0025 , C03C2217/212 , C03C2217/256 , C03C2217/71 , C03C2217/944 , C03C2218/32 , C23C14/5806 , C23C14/5813 , C30B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/10
摘要： L'invention a pour objet un matériau qui est un substrat en verre non-trempé revêtu sur sa première face d'un empilement de couches minces comprenant au moins une couche d'argent d'épaisseur e (exprimée en nm), susceptible d'être obtenu par un procédé de traitement dans lequel on porte chaque point de ladite au moins une couche mince d'argent à une température d'au moins 300°C en maintenant une température inférieure ou égale à 150°C en tout point de la face dudit substrat opposée à ladite première face, de manière à augmenter le taux de cristallisation de ladite couche mince d'argent en la conservant continue et sans étape de fusion de ladite couche mince d'argent, ledit matériau étant tel que l'empilement présente une résistance carrée R c (exprimée en ohm) répondant à la formule :
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公开(公告)号：EP2792651A1
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：EP14172261.1
申请日：2008-01-04
发明人： Nadaud, Nicolas , Kharchenko, Andriy , Billert, Ulrich , Gy, René
IPC分类号： C03C17/09 , C03C17/245 , C03C17/36 , C03C23/00 , C30B1/08 , C23C14/58 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： C03C17/09 , C03C17/2456 , C03C17/36 , C03C17/3681 , C03C23/0025 , C03C2217/212 , C03C2217/256 , C03C2217/71 , C03C2217/944 , C03C2218/32 , C23C14/5806 , C23C14/5813 , C30B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/10
摘要： L'invention a pour objet un procédé de traitement d'au moins une couche mince continue déposée sur une première face d'un substrat, dans lequel on porte, à l'aide d'un laser émettant un rayonnement infrarouge, chaque point de ladite au moins une couche mince à une température d'au moins 300°C en maintenant une température inférieure ou égale à 150°C en tout point de la face dudit substrat opposée à ladite première face, de manière à augmenter le taux de cristallisation de ladite couche mince en la conservant continue et sans étape de fusion de ladite couche mince, ledit procédé étant tel que ledit laser forme un faisceau laser en ligne irradiant simultanément toute la largeur dudit substrat, et sous laquelle ce dernier vient défiler.
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