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发明公开
METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING CIRCUIT DEFECTS 审中-公开

公开(公告)号：EP4121789A1

公开(公告)日：2023-01-25

申请号：EP21842296.2

申请日：2021-07-16

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： MINN, Donggyu , KANG, Daehyun , KIM, Yonghoon , KIM, Jihoon , RYU, Hyundo , PARK, Jeeho , YANG, Sunggi , YOON, Youngchang , JEON, Sehyug

IPC分类号： G01R31/28 , G01R23/02 , G01R27/08 , G01R19/165