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发明公开
SPIN ORBIT TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CONTAINING COMPOSITE SPIN HALL EFFECT LAYER INCLUDING BETA PHASE TUNGSTEN 审中-公开

公开(公告)号：EP3635720A1

公开(公告)日：2020-04-15

申请号：EP18732583.2

申请日：2018-05-30

申请人： SanDisk Technologies LLC

发明人： CHOI, Young-suk , YORK, Brian , SMITH, Neil

IPC分类号： G11C11/16 , G11C11/14 , G11C11/18 , G11C11/38 , H01L43/14 , H01L27/22