公开(公告)号：EP1450182A2

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：EP03028774.2

申请日：2003-12-13

申请人： Schott Glas ,  CARL-ZEISS-STIFTUNG trading as Schott Glas

发明人： Aschke, Lutz ,  Schweizer, Markus ,  Alkemper, Jochen ,  Schindler, Axel ,  Frost, Frost ,  Hänsel, Thomas ,  Fechner, Renate

IPC分类号： G02B5/08 ,  G03F1/14

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung eines Substrates, das insbesondere für die EUV-Mikrolithographie geeignet ist und aus einer Basisschicht mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten besteht, auf die mindestens eine Deckschicht, die aus einem Halbleitermaterial, vorzugsweise aus Silizium, besteht, vorzugsweise durch Ionenstrahl-Sputtern aufgetragen ist. Durch eine zusätzliche IBF-Behandlung lassen sich äußerst formgetreue Substrate mit äußerst geringer Rauhigkeit herstellen.

摘要翻译： 制造基板包括制备热膨胀系数不大于0.1ppm / K的基层，使用物理或化学施加工艺在基层上施加由半导体材料（优选硅）制成的第一覆盖层，特别是 通过溅射，CVD或PVD，以及后处理覆盖层。 对于通过上述方法制备的基材，还包括独立权利要求。