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    Apparatus for manufacturing semiconductor single crystal ingot and method using the same
    2.
    发明公开
    Apparatus for manufacturing semiconductor single crystal ingot and method using the same 有权
    Vorrichtung zur Herstellung eines Halbleiter-Einkristall und Verwendungsverfahrendafür

    公开(公告)号：EP2083098A1

    公开(公告)日：2009-07-29

    申请号：EP09150893.7

    申请日：2009-01-20

    申请人： Siltron Inc.

    发明人： Cho, Hyon-Jong ,  Hong, Young-Ho ,  Lee, Hong-Woo ,  Kang, Jong-Min ,  Kim, Dae-Yeon

    IPC分类号： C30B15/30 ,  C30B29/06

    CPC分类号： C30B15/305 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

    摘要： The present invention relates to an apparatus for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal ingot and a method using the same. The apparatus of the present invention includes a quartz crucible (10), a heater (40) installed around a side wall of the quartz crucible (10), a single crystal pulling means (60) for pulling a single crystal from the semiconductor melt (M) received in the quartz crucible (10), and a magnetic field applying means (80) for forming a Maximum Gauss Plane (MGP) at a location of ML-100 mm to ML-350 mm based on a Melt Level (ML) of the melt surface, and applying a strong magnetic field of 3000 to 5500 Gauss to an intersection between the MGP and the side wall of the quartz crucible and a weak magnetic field of 1500 to 3000 Gauss below a solid-liquid interface.

    摘要翻译： 本发明涉及用于制造高质量半导体单晶锭的装置及其使用方法。 本发明的装置包括石英坩埚（10），安装在石英坩埚（10）的侧壁周围的加热器（40），用于从半导体熔体拉出单晶的单晶拉制装置（60） M），以及用于在ML-100mm至ML-350mm的位置上形成最大高斯平面（MGP）的磁场施加装置（80），其基于熔融水平（ML） 的熔融表面，并将3000至5500高斯的强磁场施加到MGP和石英坩埚的侧壁之间的交点处，以及在固液界面下方的1500至3000高斯的弱磁场。