Halbleiteranordnung
    1.
    发明公开
    Halbleiteranordnung 失效
    Halbleiteranordnung。

    公开(公告)号:EP0542069A1

    公开(公告)日:1993-05-19

    申请号:EP92118669.8

    申请日:1992-10-31

    IPC分类号: H01L27/06 G01R31/26

    CPC分类号: H01L27/0664

    摘要: Beschrieben wird eine Halbleiteranordnung mit mindestens einem in einen Trägerkörper eingebrachten Bipolartransistor; bei einem Bipolartransistor können in der Raumladungszone des Basisgebiets aufgrund von Kristallfehlern des Halbleitermaterials lokale Erhöhungen der elektrischen Feldstärke auftreten, die die Funktionsweise des Bipolartransistors beeinträchtigen. Zur Erkennung fehlerhafter bzw. fehleranfälliger Halbleiteranordnungen ist für jeden derartigen Bipolartransistor in den Trägerkörper eine als Meßelement dienende Zenerdiode eingebracht; die Zenerdioden sind dabei jeweils derart im Bereich dieser Bipolartransistoren angeordnet, daß sich Kristallfehler im Basisgebiet des Bipolartransistors in die Halbleitergebiete der Zenerdiode fortsetzen.

    摘要翻译: 描述了具有并入载体的至少一个双极晶体管的半导体装置; 在双极晶体管的情况下,由于半导体材料中的晶体缺陷,在基极区域的空间充电区域中可能会发生对双极型晶体管的操作有不利影响的电场强度的局部增加。 为了识别缺陷或容易发生缺陷的半导体布置,用作每个这样的双极晶体管的载体本体中使用用作测量元件的齐纳二极管; 在这些双极晶体管的区域中,齐纳二极管在每种情况下同时被布置成使得双极晶体管的基极区域中的晶体缺陷继续进入齐纳二极管的半导体区域。

    HF-Mischstufe
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:EP0698964A1

    公开(公告)日:1996-02-28

    申请号:EP95112136.7

    申请日:1995-08-02

    IPC分类号: H03D7/14

    摘要: Beschrieben wird eine HF-Mischstufe zur Frequenzumsetzung eines am Schaltungseingang anstehenden Wechselspannungs-Eingangssignals in ein am Schaltungsausgang ausgegebenes Ausgangssignal, mit einer Eingangs-Signalquelle zur Generierung des Wechselspannungs-Eingangssignals und einem Lokal-Oszillator zur Bereitstellung eines Überlagerungssignals.
    Hierbei weist die Mischstufe zwei, zueinander komplementäre Transistoren in Basisschaltung bzw. Gateschaltung auf, die für das Wechselspannungs-Eingangssignal parallel geschaltet sind. Die beiden Transistoren sind derart mit dem Lokal-Oszillator verbunden, daß sie durch das Überlagerungssignal derart gleichsinnnig angesteuert werden, daß beide Transistoren gleichzeitig in den sperrenden und leitenden Zustand übergehen.

    摘要翻译: 高频(HF)混频器级从AC发生器(ESQ)接收AC输入信号(IN)。 本地振荡器(LO)产生馈送到以公共基本模式连接的互补晶体管对(T1,T2)的基极的外差信号(US)。 两个晶体管并联驱动,并且外差信号(US)被耦合,使得两个晶体管同时被切断或处于导通状态。

    Schaltungsanordnung für eine Phasenregelschleife
    3.
    发明公开
    Schaltungsanordnung für eine Phasenregelschleife 失效
    Schaltungsanordnungfüreine Phasenregelschleife

    公开(公告)号:EP0691747A2

    公开(公告)日:1996-01-10

    申请号:EP95110276.3

    申请日:1995-07-01

    IPC分类号: H03L7/23

    CPC分类号: H03L7/23

    摘要: Eine Schaltungsanordnung für eine Phasenregelschleife mit hoher Umschaltgeschwindigkeit weist einen PLL-Hauptschaltungsteil zur Generierung einer phasenstabilen Ausgangsfrequenz, mindestens zwei PLL-Hilfsschaltungsteile zur Generierung von phasenstabilen Referenzfrequenzen als Alternativfrequenzen für den PLL-Hauptschaltungsteil und einen Referenz-Schaltungsteil zur Erzeugung von mindestens einer Referenzfrequenz für die PLL-Hilfsschaltungsteile auf.

    摘要翻译: 对于替代频率之间的快速切换,振荡器频率(fOUT)由包括相位检测器(30),环路滤波器(32),电荷泵(31),VCO(33)的主环路(3)产生, 固定分频器(34)和转换开关(35),从辅助回路(1,2)向其提供定义的频率(fA1,fA2)。 参考电路(5) 晶体振荡器(51)和可变分频器(52)为辅助相位检测器(10,20)提供参考频率(fR)。 对应 锁定检测器(176,27)将数字输出(LD1,LD2)提供给操作转换开关的评估电路(4)。

    HF-Mischstufe in Basisschaltung
    7.
    发明公开
    HF-Mischstufe in Basisschaltung 失效
    在Basisschaltung的HF-Mischstufe。

    公开(公告)号:EP0557741A1

    公开(公告)日:1993-09-01

    申请号:EP93101537.4

    申请日:1993-02-02

    IPC分类号: H03D7/14

    摘要: Eine HF-Mischstufe in Basisschaltung besteht aus einer Verstärkerstufe (1) mit zwei Verstärkertransistoren (T₁,T₂), aus einer Schaltstufe mit zwei Transistorpaaren (2,3) mit jeweils zwei emittergekoppelten Schalttransistoren (T₃,T₄ bzw. T₅, T₆) und aus mit den Schalttransistoren (T₅-T₆) verbundenen Schaltungsmitteln (4,5,6); die Schalttransistoren eines Transistorpaares sind an den Kollektor des zugeordneten Verstärkertransistors angeschlossen, die Basen der Schalttransistoren mit einem Überlagerungssignal beaufschlagt.
    Gemäß der Erfindung sind die beiden Verstärkertransistoren vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, die Emitter der Verstärkertransistoren mit dem Schaltungseingang verbunden und die beiden Schalttransistoren eines Transistorpaares vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der zugeordnete Verstärkertransistor.

    摘要翻译: 该混频器级由具有两个放大器晶体管(T1,T2)的放大器级(1)组成,具有两个晶体管对(2,3)的开关级,在每种情况下,两个发射极耦合开关晶体管(T3,T4和T5) ,T6)和连接到开关晶体管(T5-T6)的电路装置(4,5,6); 一个晶体管对的开关晶体管连接到相关放大器晶体管的集电极,并且差分信号被施加到开关晶体管的基极。 根据本发明,两个放大器晶体管具有相反类型的导电性,放大器晶体管的发射极连接到电路输入,并且一个晶体管对的两个开关晶体管具有与相关的放大器晶体管相同类型的导电性 。

    Schaltungsanordnung eines Rundfunkempfängers
    8.
    发明公开
    Schaltungsanordnung eines Rundfunkempfängers 失效
    Schaltungsanordnung einesRundfunkempfängers

    公开(公告)号:EP0788226A1

    公开(公告)日:1997-08-06

    申请号:EP97100901.4

    申请日:1997-01-22

    IPC分类号: H03J7/24 H03D5/00

    CPC分类号: H03J7/24 H03D5/00

    摘要: Beschrieben wird eine Schaltungsanordnung eines Rundfunkempfängers mit einer FM-Empfangsstufe (1) für den FM-Betrieb, einer AM-Empfangsstufe (2) für den AM-Betrieb, einer Stopsignalgeneratorstufe (3) zur Generierung eines Sendersuchlaufstopsignals (SSS) für den Sendersuchlauf mittels eines Feldstärkesignals und eines Frequenzsignals (FFS,AFS) und einer MPX-Stereodekoderstufe (4) mit einem mittels eines Keramikresonators (CR) einer bestimmten Resonanzfrequenz angesteuerten VCOs (42). Die Stopsignalgeneratorstufe (3) weist eine Frequenzschaltung (32) mit einem Frequenzeingang (FE) zur Erzeugung des Frequenzsignals für den AM-Sendersuchlauf und eine Logikschaltung (31) zur Generierung des Sendersuchlaufstopsignals (SSS) auf. Der Frequenzeingang (FE) der Frequenzschaltung (32) der Stopsignalgeneratorstufe (3) ist im AM-Betrieb mit einem Resonanzkreis aus einem Ziehkondensator (CV) mit variierbarer Kapazität und dem eine Resonanzfrequenz von 456 kHz aufweisenden Keramikresonator (CR) verbunden.

    摘要翻译: 接收机包括分别用于处理频率调制和幅度调制(AM)广播的级(1,2)。 有一个脉冲发生器(3),其输出端(SSS)终止对发射器的搜索。 复用立体声解码器(4)包括通过陶瓷谐振器(CR)调谐到特定频率的压控振荡器。 频率电路(32)产生用于AM发射机搜索的频率信号,其由来自逻辑电路(31)的脉冲终止。 在AM模式下,频率输入(FE)连接到包括可插拔可变电容器(CV)和456 kHz陶瓷谐振器的谐振电路。

    HF-Mischstufe in Basisschaltung
    10.
    发明公开
    HF-Mischstufe in Basisschaltung 失效
    在Basisschaltung的HF-Mischstufe。

    公开(公告)号:EP0631379A1

    公开(公告)日:1994-12-28

    申请号:EP94108503.7

    申请日:1994-06-03

    IPC分类号: H03D7/14

    摘要: Bei einer HF-Mischstufe in Basisschaltung, mit:

    a) zwei bipolaren Verstärkertransistoren (T₁,T₂),
    b) zwei jeweils einem Verstärkertransistor zugeordneten Schaltstufen (1,2) mit jeweils zwei emittergekoppelten bipolaren Schalttransistoren (T₃,T₄,T₅,T₆) und mit zwei Signalquellen (S₁,S₂), die die Basen der Schalttransistoren mit Überlagerungssignalen beaufschlagen,
    c) zwei Knotenpunkten (K₁,K₂), an denen die Emitter der Schalttransistoren jeweils mit dem Kollektor des zugehörigen Verstärkertransistors verbunden sind,
    d) zwei weiteren Knotenpunkten (K₃,K₄), an denen jeweils die Kollektoren zweier Schalttransistoren unterschiedlicher Schaltstufen miteinander verbunden sind,
    e) Schaltungsmitteln (C₁,C₂,TR) zur Potentialtrennung, über die die Emitter der Verstärkertransistoren miteinander verbunden sind,
    f) einer Eingangssignalquelle mit zugehörigem Innenwiderstand, deren eine Klemme über den Schaltungseingang mit den Schaltungsmitteln zur Potentialtrennung und deren andere Klemme mit Bezugspotential verbunden ist und deren Signal durch die Mischstufe in einen anderen Frequenzbereich transponiert werden soll,
    sind

    g) die Verstärkertransistoren vom unterschiedlichen Leitungstyp,
    h) die beiden Schalttransistoren einer Schaltstufe vom gleichen Leitungstyp wie der zugeordnete Verstärkertransistor.

    摘要翻译: 在具有以下的公共基站RF混频器级中:a)两个双极性放大器晶体管(T1,T2),b)两个开关级(1,2),其分别被分配给一个放大器晶体管,并且在每种情况下具有两个发射极 - 耦合双极性开关晶体管(T3,T4,T5,T6)和两个将外差信号施加到开关晶体管的基极的信号源(S1,S2),c)两个节点(K1,K2) 开关晶体管各自连接到相关放大器晶体管的集电极,d)两个另外的节点(K3,K4),不同开关级的两个开关晶体管的集电极各自彼此连接,e) 用于电势隔离的电路装置(C1,C2,TR),放大器晶体管的发射极通过其彼此连接,f)具有相关内部阻抗的输入信号源,一个端子连接到电路装置,用于电位 通过电路输入隔离 其他端子连接到参考电位,并且其信号将由混频器级转置到不同的频率范围,g)放大器晶体管具有不同的导电类型,h)一个开关的两个开关晶体管 阶段具有与相关放大器晶体管相同类型的导电性。