AVALANCHE PHOTODIODE QUENCHING CIRCUIT
    1.
    发明公开
    AVALANCHE PHOTODIODE QUENCHING CIRCUIT 失效
    QUENCH电路雪崩光电二极管。

    公开(公告)号:EP0333751A1

    公开(公告)日:1989-09-27

    申请号:EP87907973.0

    申请日:1987-11-23

    IPC分类号: G01J1 H01L31 H04B10

    摘要: Le circuit décrit (10) comprend une résistance série (20) à photodiodes de faible valeur et un amplificateur comparateur (40). Le comparateur (40) compare le potentiel des photodiodes avec une tension de référence et change d'état rapidement après déclenchement d'une avalanche de photodiodes. La photodiode (12) est activement coupée par la réduction de son potentiel au-dessous de la charge destructive. Cela est réalisé par un transistor à commutation rapide (30) activé par une détection à avalanche au niveau du comparateur. Un autre transistor à commutation rapide (42) est agencé pour remettre à zéro l'entrée (38) du comparateur après une temporisation préréglée à la suite de la détection à avalanche. La photodiode (12) se recharge passivement par l'intermédiaire de la résistance série (20) à une cadence rapide puisque cette résistance est d'une faible valeur. Les transistors (30 et 42) sont désactivés par la remise à zéro du comparateur, ce dernier une fois de plus après la temporisation préréglée, et sont isolés de la photodiode (12) pendant le rechargement par les diodes (16 et 18). L'invention permet d'éviter le recours à des impulsions de remise à zéro des photodiodes actives, et permet une durée constante d'impulsion de sortie et un temps de parcours bien défini.