公开(公告)号：EP2323255B1

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：EP10190278.1

申请日：2010-11-05

申请人： Thales

发明人： Petit, Vincent ,  Louis, Bruno ,  Corbière, Rémi

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/191 ,  H03F3/30

CPC分类号： H03F3/191 ,  H03F1/302 ,  H03F3/3086

公开(公告)号：EP2464005B1

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：EP11191631.8

申请日：2011-12-01

申请人： Thales

发明人： Corbiere, Rémi ,  Louis, Bruno ,  Petit, Vincent

IPC分类号： H03F3/45

CPC分类号： H03F3/45085 ,  H03F3/45488

公开(公告)号：EP2323255A1

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：EP10190278.1

申请日：2010-11-05

申请人： Thales

发明人： Petit, Vincent ,  Louis, Bruno ,  Corbière, Rémi

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/191 ,  H03F3/30

CPC分类号： H03F3/191 ,  H03F1/302 ,  H03F3/3086

摘要： L'invention vise un circuit (CIR) d'amplification de puissance d'un signal d'entrée comprenant un étage d'entrée (EE) et un étage de sortie (ES), ledit étage d'entrée (EE) comportant :
- un moyen de pilotage (MP) incorporant un transistor de pilotage dit principal (T3), et
- un premier transistor d'entrée dit principal (T1) apte à recevoir le signal d'entrée, et monté en miroir de courant avec le transistor de pilotage principal (T3).
Le premier transistor d'entrée principal (T1) est couplé à l'étage de sortie (ES) via un deuxième transistor d'entrée dit principal (T2), incorporé à l'étage d'entrée (EE) et commandé par le moyen de pilotage (MP), les premier (T1) et deuxième (T2) transistors d'entrée principaux étant couplés entre eux et avec la masse selon une structure de type Darlington par l'intermédiaire d'un circuit résonnant (BB2, Cp).

摘要翻译： 该电路（CIR）具有与处接收输入信号的主输入晶体管（T1）的输入级（EE）和安装在电流镜用的驱动单元（MP），其中该电路被制造的主驱动晶体管（T3） 上的硅晶片。 输入晶体管在输出级（ES）经由另一主输入晶体管（T2）耦合。 后期输入晶体管被集成到输入级并且由驱动单元驱动。 输入晶体管耦合海誓山盟和基于达林顿结构​​由形成一个绕组（BB2）的谐振电路和一个电容器（CP）接地。

公开(公告)号：EP2464005A1

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：EP11191631.8

申请日：2011-12-01

申请人： Thales

发明人： Corbiere, Rémi ,  Louis, Bruno ,  Petit, Vincent

IPC分类号： H03F3/45

CPC分类号： H03F3/45085 ,  H03F3/45488

摘要： L'invention concerne un amplificateur différentiel de conversion asymétrique/symétrique comportant une entrée (b1) de signal v1 de type asymétrique par rapport à un potentiel de référence (M) et une sortie (s1, s2) de signal de type symétrique, l'amplificateur différentiel comprenant deux transistors bipolaires T1, T2 montés en émetteurs communs, les émetteurs E des deux transistors T1, T2 étant reliés par deux impédances de contre-réaction en série, un générateur de courant Ig parfait et une impédance Z g aux bornes du générateur de courant Ig étant connectée entre le point commun des deux impédances de contre-réaction et le potentiel de référence, l'entrée de signal v1 étant connectée à la base du transistor T1, la base du transistor T2 étant reliée au potentiel de référence pour former avec la base du transistor T1 l'entrée asymétrique, la sortie symétrique étant réalisée par les collecteurs des deux transistor T1, T2 à travers un étage d'adaptation CHBP d'impédance de la sortie (s1, s2),
L'amplificateur différentiel comporte une impédance Z corr de contre-réaction de correction connectée entre le collecteur du transistor T2 et la base du transistor T1 pour symétriser les courants des collecteurs des deux transistors T1, T2, la valeur de ladite impédance de contre-réaction de correction Z corr étant définie par : Z corr = 2 ⋅ Zg
Applications : Amplificateurs différentiels actifs de conversion asymétrique/symétrique.

摘要翻译： 放大器具有连接到公共发射极的MOSFET晶体管（T1，T2）。 电流发生器端子之间的阻抗单元（Zg）连接在公共反馈阻抗点和参考电位之间。 信号输入单元（v1）连接到晶体管之一的基极（b1），用于与基极形成非对称输入。 反馈校正阻抗单元（Zcorr）连接在另一个晶体管的集电极（C）和用于对称晶体管的集电极电流的基极之间，其中阻抗值等于端子两端的阻抗。