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    VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINES KORNORIENTIERTEN ELEKTROBANDS UND KORNORIENTIERTES ELEKTROBAND
    1.
    发明公开
    VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINES KORNORIENTIERTEN ELEKTROBANDS UND KORNORIENTIERTES ELEKTROBAND 审中-公开

    公开(公告)号：EP4202067A1

    公开(公告)日：2023-06-28

    申请号：EP21216455.2

    申请日：2021-12-21

    申请人： ThyssenKrupp Electrical Steel GmbH

    发明人： Schepers, Carsten ,  Hecht, Christian ,  Sandmann, Alice ,  Allwardt, Andreas ,  Lahn, Ludger

    IPC分类号： C21D3/04 ,  C21D8/12 ,  C21D9/46 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/20 ,  H01F1/147

    摘要： Die Erfindung ermöglicht die Herstellung von kornorientierten Elektrobändern mit optimal ausgebildeter und auf dem Stahlsubstrat haftender Forsteritschicht. Hierzu werden a) aus mindestens zwei 0,10 - 0,35 mm dicke, entkohlend geglühte, primärrekristallisierte kaltgewalzte Stahlbänder aus, in Masse-%, 2,5 - 4,0 % Si, ≤ 0,30 % Mn, ≤ 0,50 % Cu, ≤ 0,065 % Al, ≤ 0,1% N, sowie optional mindestens einem Element der Gruppe "Cr, Ni, Mo, P, As, S, Sn, Sb, Se, Te, B oder Bi" mit Gehalten von jeweils ≤ 0,2 %, Rest Eisen und unvermeidbaren Verunreinigungen, b) diejenigen ausgewählt, für die das Ergebnis einer ToF-SIMS-Untersuchung, bei der die Stahlband-Oberfläche mit Cs-Ionen mit einer Beschleunigungsspannung von 2keV als Sputtermaterial und Bi-Ionen mit einer Beschleunigungsspannung von 25keV als Analyseionen beschossen wird, folgende Bedingungen erfüllt:
    - Der Kurvenverlauf des Quotienten "Si an Cs gebunden" / "Si nicht an Cs gebunden" hat im Tiefenverlauf von 0,5 - 5,0 µm genau ein lokales Maximum.
    - Der Wert des Quotienten "Si an Cs gebunden" / "Si nicht an Cs gebunden" ist bis in eine Tiefe von 2 µm durchgehend
    Auf mindestens eine der Oberflächen eines der derart ausgewählten Stahlbänder wird c) eine Klebschutzschicht aufgetragen, die aus MgO-Pulver und ≤ 10 Masse-% Additiven besteht. Das so beschichtete Stahlband wird d) unter Ausbildung der Forsteritschicht (Mg2SiO4) geglüht.