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    DIAMOND HIGH BRIGHTNESS ULTRAVIOLET RAY EMITTING ELEMENT
    3.
    发明公开
    DIAMOND HIGH BRIGHTNESS ULTRAVIOLET RAY EMITTING ELEMENT 审中-公开
    金刚石高亮度紫外线发射元件

    公开(公告)号：EP1414079A1

    公开(公告)日：2004-04-28

    申请号：EP02755764.4

    申请日：2002-08-01

    申请人： Tokyo Gas Co., Ltd.

    发明人： HORIUCHI, Kenji ,  NAKAMURA, Kazuo ,  ISHIKURA, Takefumi ,  NAGAI, Masaya ,  SHIMANO, Ryo ,  GONOKAMI, Makoto

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/32

    CPC分类号： H01L33/34 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  H01S5/041 ,  H01S5/3228

    摘要： A diamond high brightness ultraviolet ray emitting element employs the carrier high-density phase of a diamond as a light-emitting mechanism. It includes a diamond substrate (1), a first diamond layer (2) formed on the diamond substrate (1), a second diamond layer (3) formed on the first diamond layer (2) and functioning as an emission layer, a third diamond layer (4) formed on the second diamond layer (3), a first electrode (7) formed on the first diamond layer (2), and a second electrode (8) formed on the third diamond layer (4). The second diamond layer (3) constitutes the carrier high-density phase formed by high-density excitation. The combination of the high-density excitation with the high-quality diamond can implement the device that has stable carrier high-density phase, and emission efficiency higher than a conventional device with low-density excitation.

    摘要翻译： 钻石高亮度紫外线发射元件采用金刚石的载流子高密度相作为发光机构。 它包括金刚石基底（1），在金刚石基底（1）上形成的第一金刚石层（2），在第一金刚石层（2）上形成并用作发射层的第二金刚石层（3），第三金刚石层 形成于第二金刚石层3上的金刚石层4，形成于第一金刚石层2上的第一电极7以及形成于第三金刚石层4上的第二电极8。 第二金刚石层（3）构成由高密度激发形成的载流子高密度相。 高密度激发与高品质金刚石的结合可以实现具有稳定载流子高密度相的器件，并且发射效率比具有低密度激发的传统器件更高。

    DIAMOND ULTRAVIOLET LUMINESCENT ELEMENT
    4.
    发明公开
    DIAMOND ULTRAVIOLET LUMINESCENT ELEMENT 审中-公开
    金刚石紫外线发光元件

    公开(公告)号：EP1220331A1

    公开(公告)日：2002-07-03

    申请号：EP00942397.1

    申请日：2000-06-29

    申请人： Tokyo Gas Co., Ltd.

    发明人： HORIUCHI, Kenji ,  ISHIKURA, Takefumi ,  YAMASHITA, Satoshi ,  KAWAMURA, Aki ,  NAKAMURA, Kazuo ,  NAKAMURA, Kenichi ,  IDE, Takahiro

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H05B33/14

    CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L27/156

    摘要： A diamond ultraviolet luminescent element (10) having a current-injection light-emitting diode structure includes a high-quality boron-doped p-type diamond crystal (semiconductor layer) (1) synthesized by the high pressure and high temperature method; a phosphorous-doped n-type diamond crystal (n-type semiconductor layer) (3) formed on the first diamond surface by the chemical vapor deposition; an electrode (5) formed on the surface of the n-type semiconductor layer (3); and an electrode (7) formed on the surface of the p-type semiconductor layer (1). The luminescence (235nm) attributed to the recombination of free excitons resulting from current injection dominates in ultraviolet wavelength region (10).

    摘要翻译： 具有电流注入发光二极管结构的金刚石紫外发光元件（10）包括通过高压和高温方法合成的高质量硼掺杂的p型金刚石晶体（半导体层）（1） 通过化学气相沉积在第一金刚石表面上形成的磷掺杂的n型金刚石晶体（n型半导体层）（3） 形成在n型半导体层（3）表面上的电极（5）; 和形成在p型半导体层（1）的表面上的电极（7）。 归因于由电流注入产生的自由激子的重组的发光（235nm）在紫外波长区域（10）中占主导地位。