公开(公告)号：EP1205984A1

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：EP00940851.9

申请日：2000-06-27

申请人： Tokyo Gas Co., Ltd.

发明人： ISHIKURA, Takefumi Tokyo Gas Co., Ltd. ,  HORIUCHI, Kenji Tokyo Gas Co., Ltd. ,  YAMASHITA, Satoshi Tokyo Gas Co., Ltd. ,  KAWAMURA, Aki Tokyo Gas Co., Ltd. ,  NAKAMURA, Kazuo Tokyo Gas Co., Ltd. ,  NAKAMURA, Kenichi Tokyo Gas Co., Ltd. ,  IDE, Takahiro Tokyo Gas Co., Ltd.

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L33/34 ,  H05B33/145

摘要： A small, simple current-injection diamond ultraviolet light-emitting device comprising a high-quality diamond grown by chemical vapor deposition (CVD) method (1), a surface conductive layer (2) provided on the surface of the diamond, and electrodes (4,5) provided on the surface conductive layer. The device is a free-exciton recombination emission diamond ultraviolet light-emitting device comprising a CVD diamond crystal where the free-exciton recombination radiation (235nm) caused by current injection is dominant.

摘要翻译： 一种小型简单的电流注入金刚石紫外线发光器件，其包括通过化学气相沉积（CVD）方法（1）生长的高质量金刚石，设置在金刚石表面上的表面导电层（2）和电极 4,5）设置在表面导电层上。 该器件是包含CVD金刚石晶体的自由激子复合发射金刚石紫外光发射器件，其中由电流注入引起的自由激子复合辐射（235nm）占主导地位。