BEAM CURRENT LIMITING ARRANGEMENT HAVING A PEAK AMPLITUDE RESPONSIVE THRESHOLD
    1.
    发明公开
    BEAM CURRENT LIMITING ARRANGEMENT HAVING A PEAK AMPLITUDE RESPONSIVE THRESHOLD 失效
    用于电流限制与依赖于峰值幅度阈值的光束的装置。

    公开(公告)号:EP0551379A1

    公开(公告)日:1993-07-21

    申请号:EP91918075.0

    申请日:1991-03-19

    IPC分类号: H04N3 H04N5 H04N9

    CPC分类号: H04N9/645

    摘要: Un agencement de limitation de courant de faisceau automatique d'un récepteur de télévision ou d'un moniteur d'affichage comprend un limiteur de courant de faisceau moyen (70a) couplé au côté faible d'un transformateur à haute tension (50) afin de réduire le contraste d'une image reproduite lorsque le courant de faisceau moyen dépasse un seuil, ainsi qu'un limiteur de courant de crête (70b) couplé aux cathodes du tube récepteur de télévision (40) afinde réguler une source de courant (110), laquelle détermine le seuil dudit limiteur de courant de faisceau moyen (70a) en réponse à la somme des courants des cathodes du tube récepteur de télévision. Selon un mode de réalisation, les circuits de détection des courants des cathodes comprennent les mêmes circuits de détection de courant de cathodes que ceux utilisés dans un agencement de réglage automatique de niveau de noir. Cet agencement de limitation de faisceau permet un fonctionnement à des niveaux de contraste élevés tout en supprimant les zones de blanc à crête excessive.

    AN APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING A SCREEN ASSEMBLY FOR A CRT UTILIZING A GRID-DEVELOPING ELECTRODE
    2.
    发明公开
    AN APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING A SCREEN ASSEMBLY FOR A CRT UTILIZING A GRID-DEVELOPING ELECTRODE 失效
    设备和制造用于阴极射线使用的栅电极的发光扩散器。

    公开(公告)号:EP0495894A1

    公开(公告)日:1992-07-29

    申请号:EP90915927.0

    申请日:1990-09-18

    IPC分类号: G03G15 H01J9

    摘要: Un appareil de fabrication électrophotographique d'un ensemble d'écran luminescent sur un substrat (18), utilisé dans un terminal à écran cathodique, comprend un développeur permettant de développer une couche photoconductrice (34) sur laquelle se trouve une image latente, à l'aide de matières (48, 48') de structure d'écran réduites en poudre sèche, chargées trioboélectriquement. La couche photoconductrice (34) recouvre une couche conductrice (32) en contact avec le substrat (18). Une électrode (44) de développement de grille est située à une certaine distance de la couche photoconductrice, laquelle est grande par rapport à la dimension la plus petite de l'image latente. L'électrode est polarisée à l'aide d'un potentiel adapté, afin d'influencer le dépôt des matières de structure d'écran chargées sur l'image latente, sur la couche photoconductrice. Un procédé de fabrication électrophotographique dudit ensemble d'écran, utilisant l'électrode de développement de grille, est également décrit.