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    MATRIZE ZUR STRUKTURIERUNG VON BAUWERKSFLÄCHEN
    1.
    发明公开
    MATRIZE ZUR STRUKTURIERUNG VON BAUWERKSFLÄCHEN 审中-公开

    公开(公告)号：EP4461904A1

    公开(公告)日：2024-11-13

    申请号：EP24174344.2

    申请日：2024-05-06

    申请人： Reckli GmbH

    发明人： DELKLOCK, Andreas ,  KOSJAK, Sven ,  HAMMER, Lutz

    IPC分类号： E04G9/10 ,  B28B7/34 ,  B29C44/00 ,  B32B5/02 ,  B32B27/12 ,  B32B27/40 ,  E04F21/04 ,  E04G9/02 ,  G06K19/07 ,  H04B1/59

    摘要： Eine Matrize (1) zur Strukturierung von Bauwerksflächen hat eine Strukturierungsschicht (2), mittels der eine Bauwerksfläche mit einer dreidimensionalen Struktur ausgestaltbar ist, und eine Kleberschicht (5), die zwischen der Strukturierungsschicht (2) der Matrize (1) und einem Stützteil (6), z.B. einer Trägerplatte, einem Schalungsgrund oder einem Produktionstisch, angeordnet und mittels der die Matrize (1) mit dem Stützteil (6) verbindbar ist. Um nach dem bestimmungsgemäßen Gebrauch der Matrize (1) deren Entsorgung sowie ggf. die Entsorgung des Stützteils (6) mit einem geringeren Aufwand durchführen zu können, wird vorgeschlagen, dass die Matrize (1) eine Innenkleberschicht (3), die zwischen der Strukturierungsschicht (2) und der Kleberschicht (5) der Matrize (1) angeordnet ist, und ein Trennvlies (4) aufweist, das zwischen der Innenkleberschicht (3) und der Kleberschicht (5) der Matrize (1) angeordnet ist.

    WAFER MANUFACTURING METHOD
    9.
    发明公开
    WAFER MANUFACTURING METHOD 审中-公开

    公开(公告)号：EP4447091A1

    公开(公告)日：2024-10-16

    申请号：EP22903947.4

    申请日：2022-11-08

    申请人： DENSO CORPORATION

    发明人： YASUDA Koichiro ,  TAKAGI Ryota ,  KAWAZU Tomoki ,  NOMURA Sodai ,  SHIRAI Hideaki ,  SOLTANI Bahman ,  SOBAJIMA Shunsuke

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B24B7/22 ,  B28D5/04

    摘要： A wafer production method for producing a wafer from an ingot (2) oriented to have a c-axis inclined in an off-angle direction ( Dθ ) at an off-angle ( θ ) more than zero degree from a central axis ( L ) includes steps of emitting a laser beam to a top surface (21) that is one of end surfaces of the ingot opposed to each other in height direction thereof to form a separation layer (25) at a depth from the top surface of the ingot which corresponds to a thickness of the wafer, applying a physical load in a single direction to a first end (23) that is one of ends of the ingot which are opposed to each other in an off-angle direction to remove a wafer precursor (26) from the ingot at the separation layer, and planarizing a major surface of a removed object derived by separating the wafer precursor from the ingot at the separation layer, thereby forming a wafer. The ingot has a given degree of transmittance to the laser beam. The wafer precursor is created by a portion of the ingot between the top surface of the ingot and the separation layer.

    DIAMOND TOOL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    10.
    发明公开
    DIAMOND TOOL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开

    公开(公告)号：EP4446042A1

    公开(公告)日：2024-10-16

    申请号：EP24154161.4

    申请日：2024-01-26

    申请人： SHINHAN DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： KIM, Shin Kyung ,  KIM, Sung Gyu ,  KWON, Eung Kwan ,  HWANG, Jun Hyuk

    IPC分类号： B23D61/02 ,  B28D1/04 ,  B28D1/12 ,  B28D7/02

    摘要： A diamond tool (100, 50) is combined with a processing apparatus to process a workpiece. The diamond tool (100, 50) includes a shank (100, 110, 210, 52), a segment (120, 54), and an abrasion preventing part. The shank (100, 110, 210, 52) has a throughhole (53) through which grinding powder generated during processing the workpiece by the processing apparatus is discharged outside. The segment (120, 54) is bonded to an end portion of the shank (100, 110, 210, 52). The segment (120, 54) contacts and processes the workpiece. The abrasion preventing part is disposed on an adjacent portion among an outer surface of the shank (100, 110, 210, 52) adjacent to the throughhole (53) to prevent abrasion of the outer surface during the processing of the workpiece.