公开(公告)号：KR20210036876A

公开(公告)日：2021-04-05

申请号：KR1020210033683A

申请日：2021-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 왕건욱 ,  장진곤

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/063 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/1625 ,  G06N3/063 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1666

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로, 균일한 산소 농도를 갖는 저항 변화층을 포함하는 멤리스터 어레이 소자 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 멤리스터 어레이 소자 제조 방법은, 기판 상에, 제1 방향으로 연장되고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되는 복수의 하부 전극을 형성하고, 기판 상에, 각각의 하부 전극을 덮는 저항 변화층을 형성하고, 저항 변화층 상에, 제2 방향으로 연장되고, 제1 방향으로 이격된 복수의 상부 전극을 형성하는 것을 포함하고, 저항 변화층을 형성하는 것은 TiO
2 타겟을 이용한 교류 고주파 스퍼터링 방법을 통해 TiO
x 막을 증착하는 것을 포함하고, 저항 변화층은 하부 전극의 측벽을 감싸고 하부 전극의 상면을 덮는다.