電力供給回路および電源内蔵装置

    公开(公告)号:JP2021103939A

    公开(公告)日:2021-07-15

    申请号:JP2020197551

    申请日:2020-11-27

    Inventor: 林 哲平

    Abstract: 【課題】環境発電装置の発電電力は、効率よく消費することが好ましい。 【解決手段】環境発電装置の発電電力を昇圧した電力を蓄積して、外部負荷に電力を供給する電力供給回路であって、環境発電装置の発電電圧を昇圧して昇圧電力を生成するDCDC昇圧回路と、昇圧電力を蓄積して外部負荷に供給する蓄電素子と、蓄電素子の蓄電状態に応じて、モード設定信号を出力する監視回路と、モード設定信号に応じて、環境発電装置および外部負荷の少なくとも一方の動作モードを設定するモード設定回路と、を備える電力供給回路を提供する。監視回路は、蓄電状態に依存して変化するパラメータに応じてモード設定信号を出力してよい。 【選択図】図1

    光学式濃度測定装置および光導波路

    公开(公告)号:JP2021096228A

    公开(公告)日:2021-06-24

    申请号:JP2020168056

    申请日:2020-10-02

    Abstract: 【課題】回折格子部での回折効率の向上および光伝搬部での伝搬効率の向上を両立することが可能な光学式濃度測定装置および光導波路を提供する。 【解決手段】本発明の光学式濃度測定装置は、コア層に光を入射可能な光源と、コア層を伝搬した光を受光可能な検出器と、光導波路と、を備える、被測定気体または被測定液体の濃度を測定する光学式濃度測定装置であって、光導波路は、基板と、延在方向に光が伝搬可能である光伝搬部と、回折格子領域を含む回折格子部と、を有するコア層と、を備え、基板とコア層とは離隔して配置され、回折格子領域と基板との距離L1は、光伝搬部と基板との距離L2と異なることを特徴とする。 【選択図】図3

    光量制御装置及び光量制御方法
    15.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021076496A

    公开(公告)日:2021-05-20

    申请号:JP2019204153

    申请日:2019-11-11

    Inventor: 志田 亮輔

    Abstract: 【課題】光源の発光量を、目標値を超えることなく、より高精度に制御することの可能な光量制御装置を提供する。 【解決手段】光量設定値DASに応じて半導体レーザ2を駆動するDA変換器11と、光量設定値DASの変化量ΔSdaに対する光量制御用受光部3aで検出した受光量の変化量ΔRadの比が傾きaとして格納される記憶部28と、光量設定値DAS(i)を変化させ、目標発光量に相当する光を照射し得る光量設定値を探索する光量設定値探索部(ステップS7〜ステップS13)と、目標発光量と受光量との差分量を算出する差分量算出部(ステップS9)と、を備え、光量設定値探索部は、差分量が予め定めた閾値以下となるように、差分量と傾きaとを用いて光量設定値DAS(i)を更新し、差分量が閾値以下となるときの光量設定値を、目標発光量に相当する光を照射し得る光量設定値DASとして設定する。 【選択図】図8

    デバイスおよびシステム
    16.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021061480A

    公开(公告)日:2021-04-15

    申请号:JP2019183173

    申请日:2019-10-03

    Abstract: 【課題】デバイスの出力電位を、通信バスの信号電位に合わせる。 【解決手段】クロック信号線およびデータ信号線を有するインターフェイスに接続され、入力される信号のハイレベルに応じたレベルの出力信号を出力するデバイスであって、クロック信号線またはデータ信号線に接続される入力端子と、データ信号線に接続される出力端子と、入力端子および出力端子との間において直列に接続された第1回路および第2回路とを備え、第1回路は、予め定められた電圧降下を生じる第1素子を有し、入力された電圧を、第1素子の電圧降下を用いて降圧して出力し、第2回路は、予め定められた電圧降下を生じる第2素子を有し、入力された電圧を、第2素子の電圧降下を用いて昇圧して出力するデバイスを提供する。 【選択図】図3

    赤外線センサ
    17.
    发明专利
    赤外線センサ 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021057366A

    公开(公告)日:2021-04-08

    申请号:JP2019176182

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 【課題】良好な特性を有する赤外線センサを提供する。 【解決手段】赤外線センサは、基板1と、基板上に形成された、第1導電型を有する第1コンタクト層2と、第1コンタクト層上に形成された、InAs x Sb 1−x (0

    yGa
    z In
    1−y−z As
    v Sb
    1−v (y+z>0)を含み、且つ、Al
    y Ga
    z In
    1−y−z As
    v Sb
    1−v (y+z>0)層と活性層とのc軸方向の格子定数の差、すなわち格子ミスマッチは0%以上0.25%以下であり、且つ、Al
    y Ga
    z In
    1−y−z As
    v Sb
    1−v (y+z>0)層の膜厚は0.3μm以上である。
    【選択図】図1

    赤外線センサ
    18.
    发明专利
    赤外線センサ 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021057365A

    公开(公告)日:2021-04-08

    申请号:JP2019176181

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 【課題】良好な特性を有する赤外線センサを提供する。 【解決手段】赤外線センサは、基板1と、基板上に形成され、InSbからなる第1導電型の第1コンタクト層2と、第1コンタクト層上に形成される、第1導電型の第2コンタクト層3と、第2コンタクト層上に形成され、InAs x Sb 1−x (0
    【選択図】図1

Patent Agency Ranking