制御装置および制御方法
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021189807A

    公开(公告)日:2021-12-13

    申请号:JP2020095107

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 【課題】形状記憶合金を用いたアクチュエータにおける重力加速度による変位変動に応じて、アクチュエータの駆動を制御する制御装置を提供する。 【解決手段】アクチュエータの可動部に接続された形状記憶合金を変形させることでアクチュエータの駆動を制御する制御装置であって、アクチュエータの目標変位に応じた目標信号を設定する目標信号設定部と、予め定められた補償情報に基づいて補償信号を出力する補償演算部と、目標信号および補償信号に応じた操作信号を生成する制御部と、操作信号に応じた駆動信号をアクチュエータに出力する駆動信号出力部とを備え、補償情報は、アクチュエータの姿勢情報を含む制御装置を提供する。 【選択図】図1A

    角度検出装置
    2.
    发明专利
    角度検出装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021189045A

    公开(公告)日:2021-12-13

    申请号:JP2020094603

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 【課題】オフセット電圧の発生を抑制することが可能な角度検出装置を提供する。 【解決手段】角度検出装置は、面内又は側面に、回転方向に沿って配列された複数の凹凸が設けられ、磁性体で構成される回転体と、一方の極が凹凸に対向するように配置されたバイアス磁石部20と、バイアス磁石部20と凹凸との間に配置された磁気センサ110と、を備える。磁気センサ110は、回転方向に順に配列され、バイアス磁石部20と対向する方向の磁気をそれぞれ検出する第1磁気抵抗体R1、第2磁気抵抗体R2、第3磁気抵抗体R3及び第4磁気抵抗体R4を有する。バイアス磁石部20は、第1磁気抵抗体R1及び第4磁気抵抗体R4に対向する第1領域と、第2磁気抵抗体R2及び第3磁気抵抗体R3に対向し、バイアス磁石部20から磁気センサ110に伝播する磁気の減衰が第1領域よりも大きい第2領域と、を有する。 【選択図】図9

    タイミング同期回路
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021179798A

    公开(公告)日:2021-11-18

    申请号:JP2020084685

    申请日:2020-05-13

    Abstract: 【課題】本発明は、チップ間の配線接続の複雑性を緩和しつつ、チップ間で同期動作を実現することができるタイミング同期回路を提供することを目的とする。 【解決手段】タイミング同期回路1は、マスターチップMC及びスレーブチップSC1〜SCnを備え、マスターチップMCは、リファレンスクロック信号RCLKを逓倍したPLLクロック信号PCLK1を分周したフィードバッククロック信号FCLK1に同期するパルス信号Sync_Pを生成するパルス信号生成回路12と、PLLクロック信号PCLK1に同期する同期信号Sync_R1を生成する第1同期信号生成回路13を有し、マスターチップMC及びスレーブチップSC1〜SCnは、リファレンスクロック信号RCLKを逓倍したPLLクロック信号PCLK2に同期する同期信号Sync_R2を生成する第2同期信号生成回路23を有する。 【選択図】図1

    駆動制御装置、駆動制御方法、および駆動制御プログラム

    公开(公告)号:JP2021176259A

    公开(公告)日:2021-11-04

    申请号:JP2020203678

    申请日:2020-12-08

    Abstract: 【課題】撮像装置のレンズ駆動装置で、振動、衝突音の発生を抑制する。 【解決手段】第1動作状態において駆動装置40により駆動対象物30を駆動させる駆動力を発生させ、第2動作状態において駆動装置の駆動力を低減または停止させる制御を行う駆動制御部140と、駆動対象物の位置変化を検出する検出部145と、第2動作状態において予め定められた基準を超える位置変化が検出されたことに応じて、駆動制御部を第1動作状態に遷移させて駆動装置により駆動力を発生させて位置変化の継続を抑制する制御を行わせる状態制御部160とを備える駆動制御装置100である。 【選択図】図1

    化学センサ
    6.
    发明专利
    化学センサ 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021173561A

    公开(公告)日:2021-11-01

    申请号:JP2020075596

    申请日:2020-04-21

    Inventor: 奥秋 裕介

    Abstract: 【課題】本発明は、閾値電圧を制御することができ、かつ電荷注入の安定性及び効率性の向上を図ることができる化学センサを提供することを目的とする。 【解決手段】化学センサ1は、半導体基板9に配置されて化学物質に感応する感応部15と、半導体基板9の一方の面側に電気的なフローティング状態で配置されて少なくとも一部に電荷を蓄積する電荷蓄積部41を有するトランジスタ31と、感応部15に配置された化学物質を介さずに電荷蓄積部41の電位を制御する電位制御部32とを備えている。 【選択図】図3

    ガスセンサ及びガスセンサの光源

    公开(公告)号:JP2021162354A

    公开(公告)日:2021-10-11

    申请号:JP2020061401

    申请日:2020-03-30

    Abstract: 【課題】不確実性を低減できるようにしたガスセンサ及びガスセンサの光源を提供する。 【解決手段】ガスセンサは、ガスが充填されるセルと、セル内に光を入射させる光源7と、セルを通過した光を受光して光電変換する受光部と、を備える。光源は、光を透過する材料で構成されたバルブ70と、バルブ内に配置された第1フィラメント71と、バルブ内であって、第1フィラメントと隣り合う位置に配置された第2フィラメント72と、を有する。 【選択図】図2

    歪センサモジュール、オフセット補正方法及びプログラム

    公开(公告)号:JP2021156718A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020056847

    申请日:2020-03-26

    Inventor: 神事 裕太

    Abstract: 【課題】本発明は、歪検出部から出力される検出信号のオフセットを高精度に補正することができる歪センサモジュール、オフセット補正方法及びプログラムを提供することを目的とする。 【解決手段】歪センサモジュール1は、ホイートストンブリッジ回路を構成し測定対象物の歪に応じて電子移動度が変化する第一から第四出力トランジスタM1r,M2r,M3r,M4rを有し測定対象物の歪量に応じた検出信号を出力する歪検出部11と、歪検出部11から出力される検出信号のオフセットを補正するオフセット補正部12と、歪検出部11から出力される検出信号を増幅する信号増幅部14と、信号増幅部14から出力される検出信号を処理する信号処理部16とを備えている。 【選択図】図1

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