公开(公告)号：JP2019133893A

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：JP2018017218

申请日：2018-02-02

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 楠 敏明 ,  岩中 拓夢

IPC: C23C14/06 ,  H01L39/24 ,  H01B13/00

Abstract: 【課題】長尺線材の低コスト化を可能にするMgB 2 超電導薄膜線材の製造装置を提供する。 【解決手段】長尺基材の上にMgB 2 薄膜が形成された超電導薄膜線材の製造装置であって、長尺基材走行機構とMgB 2 薄膜形成機構と雰囲気制御機構とを有し、前記MgB 2 薄膜形成機構は、MgおよびBを混合した混合原料ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ機構と、該混合原料ターゲットに対向配置され前記長尺基材を加熱する基材加熱部材とを有し、前記基材加熱部材は、前記長尺基材の走行方向から見た断面形状が、前記混合原料ターゲットの表面と平行な底面壁と、該底面壁の幅方向の両端に位置し前記混合原料ターゲットに向かって突出する2つの側面壁とを有する凹型形状を有し、前記長尺基材走行機構は、前記長尺基材が前記基材加熱部材の前記底面壁と前記2つの側面壁と前記混合原料ターゲットの表面とに囲まれる空間内を所定の位置関係で走行するように構成されていることを特徴とする。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2018120675A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2017009640

申请日：2017-01-23

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 楠 敏明 ,  小瀧 博司 ,  児玉 一宗 ,  田中 秀樹

IPC: H01B13/00 ,  C01G1/00 ,  C01B35/04 ,  H01F6/06 ,  C23C2/08 ,  C23C2/38 ,  C23C2/04 ,  H01B12/06

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 【課題】5 T超のような高磁場中かつ広い範囲の外部磁場角度に対して高い臨界電流密度特性を有すると共に、多芯化ハンドリング性の高いMgB 2 薄膜超電導多芯線材および該多芯線材の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るMgB 2 薄膜超電導多芯線材は、MgB 2 薄膜を通電フィラメントとする超電導多芯線材であって、断面形状が平面充填多角形である長尺金属基材の表面の一部に前記MgB 2 薄膜が形成され前記表面の残部がMgB 2 薄膜非形成面である複数本の一次素線を有し、前記多芯線材は、前記複数本の一次素線が低融点金属の層を介して一体接合されており、当該多芯線材の断面において前記MgB 2 薄膜が回転対称に配置され、かつ前記MgB 2 薄膜非形成面が当該多芯線材の外周面を構成していることを特徴とする。 【選択図】図10