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公开(公告)号：JP2015140960A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014013448
申请日：2014-01-28
Applicant: イビデン株式会社
CPC classification number: B28B11/006 , B28B11/12 , C04B35/565 , C04B38/0006 , F28F21/04 , F28F7/02 , F28F9/00
Abstract: 【課題】ハニカム構造体に新しい機能を付与し、新しい流体の流れを扱うことのできるハニカム構造体からなる熱交換器を提供する。 【解決手段】熱交換器は、第1端面11と第2端面12と第1側壁21と第2側壁22とを有するセラミック製のハニカム構造体1000からなる。ハニカム構造体1000は内壁50によって仕切られ第1端面11から第2端面12に延びる両端が封止部70によって封孔された第1の流路61と、両端が開放した第2の流路62と、を有する。第1の流路61および第1側壁21または第2側壁22に形成された接続孔30は第1の空間41を形成し、第2の流路62は第2の空間42を形成する。このため、ハニカム構造体1000を横切る方向に流体の流れをつくることができ、効率良く熱交換することができる。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种由蜂窝结构体组成的热交换器，其中蜂窝结构体具有新的功能，并且可以提供新的流体流动。热交换器由陶瓷制的蜂窝结构体1000和 具有第一端面11，第二端面12，第一侧壁21和第二侧壁22.蜂窝结构1000具有由内壁50隔开并由两端的密封部70密封的第一流路61 从第一端面11延伸到第二端面12，以及在两端开口的第二流动通道62。 形成在第一侧壁21或第二侧壁22上的第一流动通道61和连接孔30限定第一空间41，并且第二流动通道62限定第二空间42.因此可以产生流体的流动 在与蜂窝结构体1000交叉的方向上，能够有效地进行热交换。
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公开(公告)号：JP2015140958A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014013446
申请日：2014-01-28
Applicant: イビデン株式会社
CPC classification number: C04B38/0006 , F28F21/04 , F28F7/02 , C04B2111/00465
Abstract: 【課題】ハニカム構造体に新しい機能を付与し、新しい流体の流れを扱いことのできるハニカム構造体からなる熱交換器を提供する。 【解決手段】少なくとも第1端面11と第2端面12と第1側壁21と第2側壁22とを有し、内壁によって仕切られ第1端面11から第2端面12に延びる複数の流路60を有するセラミック製のハニカム構造体1000からなり、当該ハニカム構造体1000の内部に有する第1の空間41と第2の空間42との間で熱交換をする熱交換器において、第1の開口31と第2の開口32とからなる接続孔30を有し、第1または第2の開口31,32を有する流路60は第1端面11および第2端面12にそれぞれ封止部70を有し、第1または第2の開口31,32を有する流路60は接続孔30で接続されることにより第1の空間41を構成し、第1の空間31と、第2の空間32は内壁50で互いに隔離されている。 【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种由蜂窝结构体构成的热交换器，其能够提供蜂窝结构体具有新的功能并加工新的流体流动。热交换器由蜂窝结构体1000构成，该蜂窝结构体1000由陶瓷制成， 至少第一端面11，第二端面12，第一侧壁21和第二侧壁22，并且具有由内壁隔开并从第一端面11延伸到第二端面的多个流动通道60 在第一空间41和布置在蜂窝结构体1000内部的第二空间42之间进行热交换。热交换器具有由第一开口31和第二开口32构成的连接孔30，流路60具有第一 或第二开口31,32分别在第一端面11和第二端面12上具有密封部分70，具有第一或第二开口31,32的流动通道60通过连接孔30连接以限定第一 空间41，第一空间31和第二空间32通过内壁50彼此分离。
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公开(公告)号：JP2015119062A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013261909
申请日：2013-12-19
Applicant: イビデン株式会社
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 【課題】単結晶SiC基板と多結晶SiC基板とを貼り合わせたのち剥離することによってSiCウェハを得る製造工程において、ハンドリングで損傷しにくく、より薄いSiCウェハが容易に得られる製造方法を提供する。 【解決手段】黒鉛基材の表面に熱分解炭素層および前記熱分解炭素層の上にCVD−SiC層を有する黒鉛炭化珪素複合基板と、表面に水素イオンが注入されたイオン注入層を有する単結晶SiC基板とを準備し、前記黒鉛炭化珪素複合基板のCVD−SiC層と前記単結晶SiC基板のイオン注入層とを貼り合せ接合体を得る接合工程と、前記接合体を加熱し、前記イオン注入層を単結晶SiC基板から剥離し、単結晶被覆基板を得る第1剥離工程と、前記単結晶被覆基板の前記熱分解炭素層とCVD−SiC層とを剥離しSiCウェハを得る第2剥離工程と、からなるSiCウェハの製造方法。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造方法，其可以容易地获得在通过接合单晶SiC衬底和多晶SiC衬底并随后分离的SiC晶片获得SiC晶片的制造工艺中不易受损的较薄SiC晶片 单晶SiC衬底和多晶SiC衬底。SiC晶片制造方法包括：制备在石墨基材表面上具有热解层并具有CVD-SiC的石墨碳化硅复合衬底的接合工艺 层，并且制备具有离子注入层的单晶SiC衬底，其表面被注入氢离子，并且通过将石墨碳化硅复合衬底的CVD-SiC层和 单晶SiC衬底的离子注入层; 对粘合体进行加热，从单晶SiC基板剥离离子注入层的第一剥离工序，得到单晶涂布基板; 以及剥离单晶涂覆基板的热解层和CVD-SiC层的第二剥离方法以获得SiC晶片。
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