公开(公告)号：JP6430456B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2016211324

申请日：2016-10-28

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  水上 真由美 ,  山崎 舜平

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  G09F9/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/1266 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13613 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/44 ,  H01L2227/326 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6366996B2

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：JP2014103522

申请日：2014-05-19

申请人： 株式会社ディスコ

发明人： 小柳 将 ,  武田 昇 ,  森數 洋司

IPC分类号： B23K26/36 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323 ,  B23K26/57

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K20/002 ,  B23K20/10 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/50 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/56 ,  B32B37/025 ,  B32B43/006 ,  B32B2307/40 ,  B32B2310/028 ,  B32B2310/0409 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2551/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/6839

公开(公告)号：JP2018101745A

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：JP2016248384

申请日：2016-12-21

申请人： 株式会社SUMCO

发明人： 古賀 祥泰

IPC分类号： B23K20/00 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76

摘要： 【課題】縦型デバイスにおいてリーク電流を抑制することができるpn接合シリコンウェーハの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明は、p型単結晶シリコン基板10の片面と、n型単結晶シリコン基板20の片面に、真空常温下でフッ素イオンを照射して、前記両方の片面をエッチング処理して、活性化面10A,20Aとする第1工程と、第1工程に引き続き、真空常温下で活性化面10A,20Aを接触させることで、p型単結晶シリコン基板10とn型単結晶シリコン基板20とを一体化させて、pn接合シリコンウェーハ100を得る第2工程と、を有することを特徴とするpn接合シリコンウェーハの製造方法である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6286775B2

公开(公告)日：2018-03-07

申请号：JP2015530504

申请日：2013-09-04

申请人： ソイテック ,  Soitec

发明人： ランドルー, ディディアー ,  フィグエ, クリストフ

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： B32B43/006 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

公开(公告)号：JP2018005240A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2017151352

申请日：2017-08-04

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  村上 雅一 ,  高山 徹 ,  丸山 純矢

IPC分类号： G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/00

CPC分类号： H01L27/1218 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  Y02E10/549

摘要： 【課題】曲率を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置の作製方法を提供すること を課題とする。特に、曲率を有するディスプレイ、具体的には曲率を有する基材に貼りつ けられたOLEDを有する発光装置の作製方法の提供を課題とする。 【解決手段】元々曲率及び弾性を有する支持体に外力を加え、これを基板上に作成された 被剥離層に接着する。この後基板を剥離すると、支持体が復元力によって最初の形状に戻 るとともに被剥離層も支持体の形状に沿って湾曲する。最後に、元々曲率を有する転写体 を被剥離層に接着すれば、所望の曲率を有した装置が完成する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6236753B2

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：JP2012145560

申请日：2012-06-28

申请人： 株式会社豊田自動織機

发明人： 今岡 功

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/2007

公开(公告)号：JP2017531317A

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：JP2017514508

申请日：2015-09-11

申请人： アーベーベー・シュバイツ・アーゲー

发明人： ヤニシュ，ボルフガング ,  デ・ブリース，アツェ ,  マティアス，スベン

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/2256 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/744

摘要： 第1の不純物が半導体ウェハー(101)の第1の主面(103)に設けられる縦型パワー半導体デバイスを製造するための方法を提供する。第1の酸化膜層(112)は、半導体ウェハー(101)の第1の主面(103)上に形成され、第2の不純物を用いて部分的にドープされるいずれの第1の酸化膜層(112)の第1の部分も、第2の不純物を用いてドープされておらず、かつ、第1の酸化膜層(112)の第1の部分と半導体ウェハー(101)の第1の主面(103)の間に配置される第1の酸化膜層(112)の第2の部分によって半導体ウェハーから離間されるように、第1の酸化膜層(112)は、第2の不純物を用いて部分的にドープされる。その後、キャリアウェハー(115)は、第1の酸化膜層(112)と結合される。フロントエンドオブライン処理中に半導体ウェハー(101)の第2の主面(122)上で、第2の不純物は、第1の酸化膜層(112)から半導体ウェハー(101)へとその第1の主面(103)からフロントエンドオブライン処理中に生成された熱によって拡散される。

公开(公告)号：JP6206729B2

公开(公告)日：2017-10-04

申请号：JP2014512797

申请日：2012-05-23

申请人： ナショナル ユニバーシティ オブ シンガポール

发明人： チュア,レイ−レイ ,  ホー,ピーター ,  プング,ルイ−チー ,  カム,フォン,ユ ,  ソン,ジエ ,  ウォン,ロク−ユエン ,  ツオ,ジン−メイ ,  ロー,キアン,ピン ,  リム,ゲオク−キエン

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L21/02

CPC分类号： B32B37/025 ,  H01L21/2007 ,  Y10T428/30

公开(公告)号：JP2017526189A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2017512667

申请日：2015-09-02

申请人： スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド ,  スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド

发明人： ランバート，ダミアン ,  スパン，ジョン ,  クラスウリック，ステファン

IPC分类号： H01S5/022

CPC分类号： H01L21/6835 ,  G02B6/4201 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/683 ,  H01L21/76254 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15738

摘要： 1つまたは複数のチップをターゲットウエハに接合するために、対応する樹脂とともに転送基板が使用される。転送基板に注入領域が形成される。ライザーを形成するために転送基板の一部分がエッチングされる。対応する材料が転送基板に適用される。対応する材料にチップが固定され、チップはライザーの上方の対応する材料に固定される。対応する材料にチップが固定されている間、チップはターゲットウエハに接合される。チップから転送基板および対応する材料が除去される。転送基板はUV光に対して不透過性である。

公开(公告)号：JP6182661B2

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：JP2016504104

申请日：2015-02-17

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 井出 晃啓 ,  高垣 達朗 ,  宮澤 杉夫 ,  岩崎 康範

IPC分类号： H01L27/12 ,  B23K20/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/86 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1203