飛行時間型質量分析装置
    51.
    发明专利
    飛行時間型質量分析装置 有权
    飞行时间质谱仪

    公开(公告)号:JP2014225339A

    公开(公告)日:2014-12-04

    申请号:JP2013102917

    申请日:2013-05-15

    Abstract: 【課題】簡単な構造及び制御により、不要イオンを飛行途中で排除する。【解決手段】試料2にレーザ光を照射してイオンを発生させる時点で、試料プレート1から引出し電極3に向かって緩やかに下傾する電位勾配をもつ引出し電場を形成しておく。この電場の作用により、イオンはm/zに応じて大まかに分離され、m/zが小さいイオンが先行する。所定の遅延時間経過後に電位勾配を急にし各イオンに加速エネルギを与える。このとき、減速電極8の電位V3よりも低い電圧で加速されたm/zが小さな不要イオンは、減速電極8によるエネルギ障壁を越えられず排除され、大きな電圧で加速されたm/zが大きな目的化合物由来イオンはエネルギ障壁を越えて再加速され、飛行空間10へと送り込まれる。これにより、m/zが小さな不要イオンを的確に排除できる。【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:通过简单的结构和控制消除飞行中的不需要的离子。解决方案:在向样品2辐射激光以产生离子时,具有电位梯度的提取场逐渐从 形成到提取电极3的样品板1。 该场用于根据m / z大致分离离子,使得先于m / z降低的离子。 预定的延迟时间之后,电位梯度陡峭,给每个离子提供加速能量。 具体地,以减速电极8的电压V3的电压加速的以m / z为单位的不希望的离子不能通过减速电极8通过能量势垒,并且被消除,而以m / z为高的目标化合物衍生的离子 以更高的电压通过能量屏障加速,然后再加速并输送到飞行空间10.这可以精确地消除m / z中较低的不需要的离子。

    管内で対象成分を操作するための操作管
    52.
    发明专利
    管内で対象成分を操作するための操作管 有权
    用于操作管道中的目标组件的操作管

    公开(公告)号:JP2014221061A

    公开(公告)日:2014-11-27

    申请号:JP2014136442

    申请日:2014-07-02

    Inventor: OHASHI TETSUO

    Abstract: 【課題】磁性粒子を用いて汚染源の発生を極力抑えつつ、所望の一連の操作の全てを行うことができる、小型且つ低ランニングコストのデバイスの提供。【解決手段】操作管1内で対象成分を操作するためのデバイスであって:一方に対象成分を含む試料を供給するための閉鎖可能であってよい開口端5及び他方に閉口端を有する管と、前記管内に収容され且つゲル層g,3g及び水系液体層3l,lが管の長手方向に重層した操作用媒体3とを含む操作管1と;対象成分を運搬させるべき磁性体粒子6と;操作管1に磁場を印加することによって磁性体粒子6を管の長手方向に移動させることができる磁場印加手段31とを含むデバイス。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种低运行成本的小型装置,这使得可以执行所有一系列操作,同时最大限度地通过使用磁性颗粒来抑制任何污染源的发生。解决方案:用于操作目标的装置 操作管1中的部件包括:操作管1,其包括在一侧上具有开口端5的管,该管可以关闭以便供应包含目标部件并且在另一侧具有封闭端的样本, 操作介质3容纳在管中并具有在管的纵向方向上层叠的凝胶层g,3g和水性液体层31l, 磁性材料颗粒6,目标组分将与其一起运输; 以及磁场施加装置31,其通过向操作管1施加磁场使得能够沿着管的纵向方向移动磁性材料颗粒6。

    基板移載システム
    53.
    发明专利
    基板移載システム 审中-公开
    基板传送系统

    公开(公告)号:JP2014216592A

    公开(公告)日:2014-11-17

    申请号:JP2013095000

    申请日:2013-04-30

    CPC classification number: B65G49/07 H01L21/31 H01L21/68

    Abstract: 【課題】ボートタイプのサンプルホルダでの基板の移載において、基板プレート上での基板の回転によって生じる基板裏面の傷の発生を抑制できる基板移載システムを提供する。【解決手段】基板が搭載される基板搭載領域が凸部であり、基板搭載領域の周囲の非搭載領域のうち少なくとも基板搭載領域の上端の位置よりも上方が凹部であるように段差が設けられた基板搭載面を有し、垂直方向に延伸する基板プレートと、基板の裏面が基板搭載領域と接触した状態で基板を回転させながら、基板プレート上で基板の移載を行う移載装置とを備える。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种基板转印系统,其中可以通过船型样品在基板的转印中抑制由于基板上的旋转而在基板的背面产生划痕 支架。解决方案:基板转印系统包括设置有台阶的基板,使得其中安装基板的基板安装区域是突出部分,以及至少在基板安装区域的上端位置之上的区域, 在基板安装区域周围的非安装区域是凹陷部分并且在垂直方向上延伸;以及转移装置,用于在基板的背面与基板接触的状态下旋转基板的同时将基板转印到基板上 基板安装区域。

    半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
    54.
    发明专利
    半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 有权
    半导体制造设备和半导体器件制造方法

    公开(公告)号:JP2014216408A

    公开(公告)日:2014-11-17

    申请号:JP2013091165

    申请日:2013-04-24

    CPC classification number: C23C16/52 H01L21/02 H01L21/20 H01L21/31

    Abstract: 【課題】メンテナンスを実施する周期が長く、且つ成膜レートの変動に起因する膜厚のばらつきを抑制できる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】レシピに従って処理対象の基板の成膜処理を行う成膜装置と、成膜処理に起因して変化する処理情報を取得する情報取得装置と、成膜処理によって基板に形成される膜の膜厚が常に一定であるように、処理情報を用いて成膜処理に使用されるパラメータの値を算出するパラメータ算出装置と、算出されたパラメータの値を用いて、レシピに含まれるパラメータの値を変更するレシピ変更装置とを備え、変更されたパラメータの値が設定されたレシピに従って成膜処理を行う。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种半导体制造装置和半导体器件制造方法,其中维护周期长并且可以抑制由沉积速率波动引起的膜厚度的变化。解决方案:半导体制造装置包括:沉积 用于根据配方进行处理对象基板的沉积处理的装置; 信息获取装置,用于获取由于沉积处理而改变的处理信息; 参数计算装置,用于通过使用处理信息来计算用于沉积处理的参数的值,以便通过沉积处理持续地保持要在衬底上形成的膜的厚度; 以及配方改变装置,用于通过使用计算的参数值来改变配方中包括的参数的值,其中根据设置了参数的改变值的配方进行沉积处理。

    ペプチドの解析法
    55.
    发明专利
    ペプチドの解析法 审中-公开
    肽分析方法

    公开(公告)号:JP2014215187A

    公开(公告)日:2014-11-17

    申请号:JP2013093106

    申请日:2013-04-25

    CPC classification number: G01N27/62 G01N27/64 G01N33/68

    Abstract: 【課題】MS/MSイオンサーチにより高いスコアが得られ同定率の向上したペプチドの解析法を提供する。とりわけ、翻訳後修飾ペプチドの同定率向上のために有用なペプチドの解析法を提供する。【解決手段】解析すべきペプチド鎖のN末端又はC末端に塩基を付与する工程と、前記塩基が付与されたペプチド鎖を質量分析に供し、MSn(n≧2)解析を行う工程と、MSn(n≧2)解析により得られたフラグメントイオンデータと、アミノ酸配列データベースとの照合を行う工程とを含む、ペプチド解析法。前記解析すべきペプチドは、翻訳後修飾が付加していてもよい。【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题:提供可以通过MS / MS离子检索获得高分和提高鉴定率的肽的分析方法,并且特别可用于提高翻译后修饰肽的鉴定率。解决方案:肽分析方法包括 步骤:向要分析的肽链的N末端或C末端加入碱基; 对添加碱的肽链进行质量分析,并进行MS(n≥2)分析; 并将通过MS(n≥2)分析获得的片段离子数据与氨基酸序列数据库进行核对。 翻译后修饰可以应用于待分析的肽。

    ペプチド構造解析のための質量分析データ解析装置
    56.
    发明专利
    ペプチド構造解析のための質量分析データ解析装置 审中-公开
    质谱分析数据分析仪用于肽结构分析

    公开(公告)号:JP2014215172A

    公开(公告)日:2014-11-17

    申请号:JP2013092635

    申请日:2013-04-25

    CPC classification number: G01N27/62

    Abstract: 【課題】分析者が想定しない翻訳後修飾も含めた様々な翻訳後修飾の存在の有無を、定量的且つ迅速に判断可能な情報を提供する。【解決手段】翻訳後修飾を受けたペプチドを含む試料に対するMS2スペクトルデータが読み込まれると、既知の全ての翻訳後修飾の質量に相当するm/z差を有する2本のピークがペアピークとして全て抽出される。そして、翻訳後修飾物毎にペアピークの出現数countとペアピークの信号強度の積算値TICとが計算され、その出現数count及び積算値TICのリストが翻訳後修飾情報表示画面300の統計量リスト表示領域304に表示される。また、同表示画面300のスペクトル表示領域302にはMS2スペクトルが、ヒストグラム表示領域305にはm/z差と出現数countとの関係を示すヒストグラムが表示され、リスト上で分析者が指定した翻訳後修飾に対応したピークや縦棒が他と区別可能に表示される。【選択図】図4

    Abstract translation: 要解决的问题:提供定量和及时确定包括翻译后修饰在内的各种翻译后修饰的存在/不存在的信息,这些修饰不是由分析者假设的。解答:当读取包含接收翻译后修饰的肽的样品的MS谱图数据时 具有等效于所有已知翻译后修饰的质量的m / z差的两个峰的全部提取为对峰。 然后,对于每个翻译后修改计算出对峰值的信号强度的对峰值和积分值TIC的出现次数,并且在统计量列表显示区域上显示出现次数列表和积分值TIC 304。另外,在显示画面300的频谱显示区域302中显示MS频谱,并且在直方图显示中显示表示m / z差和出现次数的关系的直方图 显示屏幕300的区域305,以及与由列表中的分析者指定的翻译后修改相对应的峰值和垂直杆被显示为与其他区别。

    ガスバリア性薄膜、ガスバリア性フィルム、有機エレクトロルミネセンス装置及びガスバリア性薄膜の形成方法
    57.
    发明专利
    ガスバリア性薄膜、ガスバリア性フィルム、有機エレクトロルミネセンス装置及びガスバリア性薄膜の形成方法 审中-公开
    气体阻隔薄膜,气体阻隔膜,有机电致发光器件和形成气体阻隔薄膜的方法

    公开(公告)号:JP2014214173A

    公开(公告)日:2014-11-17

    申请号:JP2013090161

    申请日:2013-04-23

    CPC classification number: B32B9/00 C01B31/36 C08J7/04

    Abstract: 【課題】形成温度が低く、大面積に適用可能であり、シランガスを使用せずに形成可能で、且つ生産性の低下が抑制された高いガスバリア性と透明性を有するガスバリア性薄膜、ガスバリア性フィルム、有機エレクトロルミネセンス装置及びガスバリア性薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】ヘキサメチルジシロキサンと酸素を含む材料ガスをプラズマ重合して得られるSiOxCy:H構造をそれぞれ有する複数の薄膜が積層され、材料ガスのヘキサメチルジシロキサンに対する酸素の体積比が隣接する薄膜間で異なる。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供具有低地层温度的阻气薄膜,可适用于大面积应用,允许不使用硅烷气体的形成,可以抑制生产率的劣化,并且显示出高的阻气性和 透明性,阻气性膜,有机电致发光元件及形成阻气性薄膜的方法。在阻气性薄膜中,分别具有通过以下方式得到的SiOC:H的结构的多个薄膜 含有六甲基二硅氧烷和氧的原料气体的等离子体聚合层叠,原料气体中六甲基二硅氧烷与氧的体积比在相邻的薄膜之间不同。

    放射線撮影装置
    58.
    发明专利
    放射線撮影装置 有权
    放映设备

    公开(公告)号:JP2014212928A

    公开(公告)日:2014-11-17

    申请号:JP2013092376

    申请日:2013-04-25

    CPC classification number: A61B6/00 A61B6/02

    Abstract: 【課題】術者の思惑通りの断層画像を取得することができる放射線撮影装置を提供する。【解決手段】本発明のX線撮影装置1は、X線管3とFPD4がCアーム7によって支持される構成となっている。そして、本発明によれば、断層画像を生成する際に2つのモードを選択できるようになっている。2つのモードとは、鮮明な断層画像を取得できる裁断深さ優先モードと、術者にとって理解のしやすい裁断面における断層画像を取得できる視野優先モードである。本発明によれば、術者は撮影の目的に合わせてこの2つのモードを使い分けることができるので術者の思惑通りの断層画像を確実に生成できるX線撮影装置1が提供できる。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种可以根据操作者的需要获得断层图像的放射线照相设备。解决方案:X射线机1具有如下结构:X射线管3和FPD 4由C 在X射线机1中,在生成断层图像时,操作者可以选择可以获取清晰断层图像的切割深度优先模式和视野优先模式之间的模式,其中 可以获得易于操作者理解的切割面中的断层图像。 因此,由于操作者可以根据成像的目的适当地使用这两种模式,所以可以提供可以根据操作者期望地产生断层图像的X射线机1。

    撮像装置
    59.
    发明专利
    撮像装置 审中-公开
    成像装置

    公开(公告)号:JP2014212375A

    公开(公告)日:2014-11-13

    申请号:JP2013086380

    申请日:2013-04-17

    Inventor: KONDO YASUSHI

    CPC classification number: G03B15/00 G03B15/05 G03B39/00 G03B9/07

    Abstract: 【課題】短時間で適切な撮影条件を設定し、撮影者の負荷を軽減する。【解決手段】複数の受光素子14と、レンズ11の絞り値を調節して該複数の受光素子に入射する光量を段階的に調整する絞り値調節手段13と、該複数の受光素子により得られた電気信号をそれぞれデジタル変換して複数の画素信号に変換するA/D変換器16aとを有し、撮像指示を受けて撮像する撮像手段と、前記A/D変換器から出力される複数の画素信号の最大値を検出する最大画素信号検出手段17bと、前記最大値と前記A/D変換器の出力最大値を照合する最大値照合手段17cと、前記最大値照合手段による照合の結果、前記最大値が前記A/D変換器の出力最大値と一致した場合に、前記絞り値調節手段に、レンズの絞り値を1段階大きな値に変更させる絞り値変更手段17dを備える撮像装置を提供する。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:在短时间内设置适当的成像条件以减轻摄影师的负担。解决方案:成像装置包括:成像装置,其具有多个光接收元件14,孔径调节装置13,用于调节 通过调整透镜11的孔径和用于将由多个光接收元件获得的电信号数字转换为多个像素的A / D转换器16a以逐步的方式对多个光接收元件14的数量入射光 信号,并且在接收到成像指令时对图像进行成像; 最大像素信号检测装置17b,用于检测从A / D转换器输出的多个像素信号的最大值; 最大值匹配装置17c,用于使最大值与A / D转换器的最大输出值相匹配; 以及孔径改变装置17d,用于当最大值与A / D转换器的最大输出值一致时,使得孔径调节装置17c将透镜的孔径改变为一个大的孔径,作为匹配最大值的结果 匹配手段。

    X線透視撮影装置
    60.
    发明专利
    X線透視撮影装置 有权
    X射线荧光装置

    公开(公告)号:JP2014204878A

    公开(公告)日:2014-10-30

    申请号:JP2013084730

    申请日:2013-04-15

    Abstract: 【課題】防護前垂れを常に天板と近接配置することにより、被検者の検査や治療を好適に実行することが可能なX線透視撮影装置を提供する。【解決手段】第1移動リンク22は天板19の連結領域の側面に向けて付勢され、第2移動リンク23は天板19の胴部支持部17の側面に向けて付勢される。このため、防護前垂れ26は、天板19に最も近接した位置に配置される。従って、オペレータが天板19上の被検者に接近することができ、被検者の検査や治療を好適に実行することが可能となる。天板支持台11には、防護前垂れ26と当接して回転するガイドローラ13が配設されている。【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种X射线透视装置,其能够使操作者通过在顶板附近不间断地设置防护圈来适当地进行对象的检查和处理。解决方案:第一可动连杆22被通电 朝向顶板19的连接区域的侧面,并且第二可动连接部23朝向顶板19的躯干支撑部17的侧面通电。结果,防护围裙26布置在 靠近顶板19的位置。因此,操作者可以靠近顶板19上的对象,并且可以适当地进行对象的检查或处理。 与保护皮圈26接触并旋转的导辊13设置在顶板支撑台11上。

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