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发明专利
半導体素子および半導体装置审中-公开

公开(公告)号：JP2021048152A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：JP2019167987

申请日：2019-09-17

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 北村章太 , 山口哲司 , 若原昭浩 , 山根啓輔

IPC分类号： H01L21/20 , H01L27/146 , H01L33/36 , H01L33/30 , H04N5/369 , H01L31/10

摘要： 【課題】シリコン基板にIII−V族化合物半導体層を成長させて構成される半導体素子の電荷の移動の阻害を防ぐ。【解決手段】半導体素子100は、シリコン基板110と第1の化合物半導体層140と第2の化合物半導体層150と電極121,170とを具備する。電極121は、信号線3を介して制御回路2に接続される。制御回路は電荷の移動の制御を行う。【選択図】図1