公开(公告)号：JP5021626B2

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：JP2008508187

申请日：2006-04-03

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： ノルト ジーモン ,  デッツ フローリアン ,  ヴァイス ホルスト ,  レッシュ ヨアヒム

IPC: C08G61/10 ,  C07C17/266 ,  C07C17/269 ,  C07C17/275 ,  C07C25/22 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: H05B33/14 ,  C08G61/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/5012 ,  Y10S428/917

公开(公告)号：JP2008539189A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：JP2008508187

申请日：2006-04-03

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： ノルト ジーモン ,  デッツ フローリアン ,  ヴァイス ホルスト ,  レッシュ ヨアヒム

IPC: C07C17/269 ,  C07C17/266 ,  C07C17/275 ,  C07C25/22 ,  C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: H05B33/14 ,  C08G61/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/5012 ,  Y10S428/917

Abstract: ａ）式ＩＩａのモノマーのフルオランテン誘導体を製造し、ｂ）場合により前記の式ＩＩａのモノマーのフルオランテン誘導体を式ＩＩｂの他のモノマーのフルオランテン誘導体に変換し、ｃ）式ＩＩａ又はＩＩｂのモノマーのフルオランテン誘導体を、場合により少なくとも１種の他のコモノマーと一緒に重合させる一般式（Ｉ）の繰り返し単位を有するポリフルオランテンの製造方法；前記の本発明による方法により製造可能なポリフルオランテン、本発明による少なくとも１種のポリフルオランテンを有するか又は前記ポリフルオランテンからなる塗膜及び発光層、本発明によるポリフルオランテンを有するＯＬＥＤ、本発明による発光層を有するＯＬＥＤ、本発明によるＯＬＥＤを有する装置及び本発明によるポリフルオランテンのＯＬＥＤ中の発光物質としての使用。

公开(公告)号：JP2008512505A

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：JP2007529340

申请日：2005-09-05

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： ノルト ジーモン ,  デッツ フローリアン ,  ヴァイス ホルスト ,  レッシュ ヨアヒム

IPC: C08G61/10 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01B1/128 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10

Abstract: 本発明は、Ｒ
1 、Ｒ
2 、Ｒ
1' 、Ｒ
2' が明細書中に記載された意味を有するような一般式（Ｉａ）および／または（Ｉｂ）の繰返し単位を含有するポリナフタリン誘導体の製造法に関する。 更に、本発明は、本発明による方法により製造可能なポリナフタリン誘導体、本発明による少なくとも１つのポリナフタリン誘導体を含有するかまたは該ポリナフタリン誘導体からなる被膜、本発明による少なくとも１つのポリナフタリン誘導体を含有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤｓ）、本発明による少なくとも１つのポリナフタリン誘導体を含有するかまたは該ポリナフタリン誘導体からなる発光層、本発明による発光層を含むＯＬＥＤ、本発明によるＯＬＥＤを含む装置ならびにＯＬＥＤｓ中の発光物質としての本発明によるポリナフタリン誘導体の使用に関する。

公开(公告)号：JP2009525165A

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：JP2008550734

申请日：2007-01-15

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： ゲルバー グスタフ ,  シュテファン ヴォルペルト ダニエル ,  ヘニング ニュルンベルガー パトリック ,  ヴァイス ホルスト

IPC: B01J19/12 ,  C07B61/00 ,  C07C1/04 ,  C07C9/04 ,  C07C29/152 ,  C07C31/04 ,  C07C45/49 ,  C07C47/042

CPC classification number: B01J19/121 ,  B01J3/006 ,  B01J2219/0875 ,  B01J2219/0883 ,  B01J2219/0892 ,  C10G2/341

Abstract: 本発明は、パルス成形体を用いて成形された超短レーザーパルスを発生させ、出発材料分子を含有するガスを、前記出発材料分子を少なくとも部分的に吸着する表面に導通し、その際、前記表面で吸着される出発材料からの生成物分子の合成のための反応の経過を制御するために、この成形された超短レーザーパルスが前記表面に向けられる、生成物分子の合成方法に関する。

公开(公告)号：JP4567452B2

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：JP2004531814

申请日：2003-07-24

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： ザーヴァ ザヴィーア ,  メッキング シュテファン ,  エム バウアース フロリアン ,  プライスフーバー−プフリューグル ペーター ,  ヴァイス ホルスト ,  ズイデフェルト マーティン ,  シュミット マルクス ,  マハムード チョウドリー ムバリク

IPC: C08F4/26 ,  C08F2/24 ,  C08F4/80 ,  C08F10/00 ,  C08F110/02

CPC classification number: C08F110/02 ,  C08F4/80 ,  C08F2/24