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公开(公告)号：JP2021515481A
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：JP2020545183
申请日：2019-02-27
Inventor： リュウ, シンチャオ
IPC: H04N5/355 , H04N5/3745 , H04N5/353
Abstract: 光検知のための方法およびシステムが提供される。一例では、装置が、ピクセルセルのアレイと、コントローラとを備える。ピクセルセルのアレイの各ピクセルセルは、入射光を受け取ると電荷を生成するように構成されたフォトダイオードと、フォトダイオードによって生成された電荷を蓄積するように構成されたキャパシタとを含む。コントローラは、ピクセルセルにおいて電荷を蓄積するために露光期間を開始することと、少なくとも1つのピクセルセルによって蓄積された電荷の量が所定のしきい値を超えたという決定に基づいて、ピクセルセルのアレイのキャパシタが電荷を蓄積することを停止することを引き起こすために露光期間を終了することと、露光期間内に各ピクセルセルのキャパシタにおいて蓄積された電荷に基づいて各ピクセルセルについての出力ピクセル値を生成することと、画像フレームを生成するために出力ピクセル値を提供することとを行うように構成される。 【選択図】図15
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公开(公告)号：JP2021506101A
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2020526190
申请日：2018-12-06
Inventor： チェン, ソン , リュウ, シンチャオ , テイラー, バイロン
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H04N5/369 , H04N5/225 , H01L27/146
Abstract: 画像検知のための方法およびシステムが提供される。1つの例では、装置は、光を受光するための光入射面を備える半導体基板と、第1のピン止めフォトダイオードと、第2のピン止めフォトダイオードとを備え、第1のピン止めフォトダイオードおよび第2のピン止めフォトダイオードは、光入射面に垂直な軸に沿って半導体基板内にスタック構造を形成し、スタック構造は、第1のピン止めフォトダイオードおよび第2のピン止めフォトダイオードが、光の第1の成分および光の第2の成分を第1の電荷および第2の電荷にそれぞれ変換することを可能にする。装置は、半導体基板に形成され、第1の電荷および第2の電荷にそれぞれ基づいて、第1の電圧および第2の電圧を生成するように構成された1つまたは複数のキャパシタをさらに備える。 【選択図】図9A
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公开(公告)号：JP2020526098A
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：JP2019571598
申请日：2018-06-26
Inventor： リュウ, シンチャオ
IPC: H04N5/3745 , H04N5/374 , H04N5/357 , H04N5/335 , H04N5/378
Abstract: デジタル撮像のための技法が本明細書で開示される。デジタル画素画像センサは、複数の画素の各画素にデジタイザを含み、このデジタイザは、画素のフォトダイオードからのアナログ出力信号を比較器、グローバル参照信号、およびクロックカウンタを使用してデジタル化する。いくつかの実施形態では、比較器は、各画素の電力消費を低減するために、定バイアス回路ではなくプリチャージ回路を含む。いくつかの実施形態では、各画素は、ノイズを低減し高ダイナミックレンジを得るためのデジタルまたはアナログ相関二重サンプリング(CDS)回路を含む。 【選択図】図10
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公开(公告)号：JP2021528890A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2020564441
申请日：2019-06-27
Inventor： ベルコビッチ, アンドリュー サミュエル , リュウ, シンチャオ , チェン, ソン , トレイル, ニコラス ダニエル , シャウブ, マイケル パトリック
IPC: H04N5/3745 , H04N9/07 , H04N5/335
Abstract: 1つの例では、装置は、複数のフォトダイオードと、1つまたは複数の電荷検知ユニットと、1つまたは複数のアナログデジタルコンバータ(ADC)と、コントローラと、を備える。コントローラは、それぞれのフォトダイオードが入射光の異なる成分に応答して電荷を生成できるようにすること、複数のフォトダイオードからの電荷を1つまたは複数の電荷検知ユニットに移動させて電圧に変換すること、複数の強度範囲に対応する複数の量子化プロセスのうちの1つまたは複数の量子化プロセスの選択を受信すること、該選択に基づいて、1つまたは複数のADCを制御して、選択された1つまたは複数の量子化プロセスを行って、1つまたは複数の電荷検知ユニットからの電圧を、異なる波長範囲のピクセルの成分を表すデジタル値に量子化すること、およびデジタル値に基づいてピクセル値を生成すること、を行うように構成される。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2021528838A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2020563548
申请日：2019-06-11
Inventor： チェン, ソン , リュウ, シンチャオ
IPC: H04N5/225 , H04N5/369 , H04N5/359 , H01L27/146
Abstract: 1つの例では、装置は、前側表面、第1の電荷を生成するための第1のフォトダイオード、第2の電荷を生成するための第2のフォトダイオード、第1のフォトダイオードと第2のフォトダイオードとの間にあり、第2のフォトダイオードから第1のフォトダイオードへの第2の電荷の流れを制御するように構成された障壁層、ならびに第1の電荷、および第2の電荷の少なくとも第1の部分を蓄えるためのドレイン領域を含む半導体基板を備える。装置は、第1の電荷、および第2の電荷の少なくとも第1の部分の、ドレイン領域への流れを制御するための、第1のフォトダイオードとドレイン領域との間の第1のチャネル領域上の前側表面上のゲートと、第2のフォトダイオードが飽和したとき、障壁層から第2の電荷の少なくとも第2の部分を伝導させて消すための第2のチャネル領域とをさらに含む。 【選択図】図14A
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2020532098A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2020505189
申请日：2018-08-07
Inventor： リュウ, シンチャオ
IPC: H01L31/10 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 実施形態は、2つの基板が垂直に積層される積層フォトセンサアセンブリに関する。2つの基板は、第1の基板におけるフォトダイオードから第2の基板上の回路に信号を提供するために、画素レベルにある相互接続部により接続される。第2の基板上の回路は、第1の基板上で従来実施されていた動作を実施する。第1の基板および第2の基板を積層することによって、フォトセンサアセンブリは、フォトセンサアセンブリのフォトダイオードフィルファクタを増加または少なくとも保持しつつ、よりコンパクトに作製され得る。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2021535587A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021506424
申请日：2019-09-05
Inventor： チェン, ソン , リュウ, シンチャオ
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 一実施例では、装置は、複数のピクセルセルを含み、各ピクセルセルは、少なくとも4つのフォトダイオードを含む半導体基板と、複数のフィルタアレイであって、各フィルタアレイは、ピクセルセルの各フォトダイオードの上に重ねらされたフィルタ素子を含み、各フィルタアレイのフィルタ素子のうちの少なくとも2つは、異なる波長通過帯域を有する、複数のフィルタアレイと、複数のマイクロレンズであって、各マイクロレンズは、各フィルタアレイの上に重ねらされ、各フィルタアレイの各フィルタ素子を介してシーンのスポットからの光を各ピクセルセルの各フォトダイオードに向けるように構成される、複数のマイクロレンズと、を含む。 【選択図】図11A
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公开(公告)号：JP2021526326A
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2020563778
申请日：2019-06-11
Inventor： ベルコビッチ, アンドリュー サミュエル , リュウ, シンチャオ
Abstract: 一例では、方法が、プログラミングデータを受け取ることと、プログラミングデータに基づいて、フローティングドレインを含む電荷貯蔵ユニットがフォトダイオードから受け取られた電荷を蓄積する積分期間、または電荷をサンプリングする回数のうちの少なくとも1つを決定することと、フォトダイオードが、残留電荷を蓄積し、フォトダイオードが飽和した後に電荷貯蔵ユニットにオーバーフロー電荷を送ることを可能にすることと、積分期間内にフォトダイオードから受け取られたオーバーフロー電荷の少なくとも一部を蓄積するように電荷貯蔵ユニットを制御することと、上記回数、オーバーフロー電荷の少なくとも一部または残留電荷をサンプリングして上記数のサンプルを取得するように量子化器を制御することと、上記数のサンプルを量子化して上記数の量子化結果を生成するように量子化器を制御することとを含む。 【選択図】図17
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公开(公告)号：JP2020526044A
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：JP2020520431
申请日：2018-06-25
Inventor： リュウ, シンチャオ
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H01L31/10
Abstract: ピクセルセルの例が開示される。一例において、ピクセルセルは、フォトダイオードと、フォトダイオードによって生成された電荷をアナログ信号に変換するように構成された1つまたは複数のトランジスタデバイスとを含む第1の半導体層を含み得る。ピクセルセルは、アナログ信号を1つまたは複数のデジタル信号に変換するように構成された1つまたは複数のトランジスタデバイスを含む第2の半導体層も含み得る。第1の半導体層および第2の半導体層は、積層構造を形成し得る。別の例において、ピクセルセルは、フォトダイオードとキャパシタとを含み得る。ピクセルセルは、第1の測定モードにおいて、キャパシタがフォトダイオードと電気的に結合されているときに、キャパシタにおいて貯蔵された電荷を測定し、第2の測定モードにおいて、キャパシタがフォトダイオードから電気的に分離されているときに、キャパシタにおいて貯蔵された電荷を測定するように動作され得る。 【選択図】図10
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公开(公告)号：JP2021534603A
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2020569765
申请日：2019-08-20
Inventor： ベルコビッチ, アンドリュー サミュエル , チェン, ソン , リュウ, シンチャオ
IPC: H04N5/355
Abstract: 一例では、方法が、第1の電荷を生成するために、第1のフォトダイオードを入射光に露光することと、第2の電荷を生成するために、第2のフォトダイオードを入射光に露光することと、第1の電荷検知ユニットによって、第1の電荷を第1の電圧に変換することと、第2の電荷検知ユニットによって、第2の電荷を第2の電圧に変換することと、第1の電圧に基づいて、第1の電荷の量が飽和しきい値に達したことを検出し、第1の電荷の量が飽和しきい値に達したときの飽和時間を測定するように、ADCを制御することと、第1の電荷の量が飽和しきい値に達したことを検出したことに基づいて、入射光への第1のフォトダイオードおよび第2のフォトダイオードの露光を停止することと、第2の電圧に基づいて、露光が終了する前に第2のフォトダイオードによって生成された第2の電荷の量を測定するように、ADCを制御することとを含む。 【選択図】図17
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