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公开(公告)号：JP2014531740A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014522038
申请日：2012-07-18
发明人： ベゼマン、ラルス , シューベルト、ハルトムト , マイヤー、ヘルマン・オーグスト , ベルニッツ、ゾフィー
CPC分类号： H01L51/50 , C07F9/5045 , C07F15/0033 , C07F15/0073 , C07F15/0093 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/185 , C09K2211/187 , C09K2211/188 , H01L51/0084 , H01L51/0087 , H01L51/009 , H01L51/0091 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本発明は、少なくとも1つの、Nおよび/またはP供与体を有する四座配位子、特にPPPP、NNNN、PNNPまたはNPPN構造を有する配位子を含む金属錯体化合物を含有する電子デバイス、ならびにエレクトロニクス分野においてのならびに光の生成のためのこのような錯体の使用に関する。【化1】
摘要翻译： 本发明中，至少一个，具有N和/或P-供体，特别是PPPP，NNNN，电子器件，以及电子领域的包含含有具有PNNP或NPPN结构的配体的金属配合物化合物四齿配体 使用这种复合物的用于产生的良好的光。 [公式1]
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公开(公告)号：JP2014532290A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：JP2014522088
申请日：2012-07-25
发明人： ベゼマン、ラルス , シューベルト、ハルトムト , マイヤー、ヘルマン・オーグスト , イェルジン、ハルトムト , ローシュ、アンドレアス , アルラス、ジャネット
CPC分类号： H01L51/0091 , H01L51/009 , H01L51/0512 , H01L51/42 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本発明は、第1の金属中心M1および第2の金属中心M2、ならびに非対称多座配位子L1を有する多核金属錯体化合物であって、前記非対称多座配位子L1が、前記第1および第2の金属中心M1およびM2を架橋するホスフィドまたはアミド供与体D1、ならびに前記第1または第2の金属中心のいずれかと結合するさらなる供与体D2を含む多核金属錯体化合物を含有する電子デバイスに関する。本発明は、さらに、このような錯体のエレクトロニクス分野でのおよび光の生成のための使用、ならびにこのようなデバイスの製造に関する。
摘要翻译： 本发明中，第一金属中心M1和第二金属中心M2，并具有不对称多齿配体L1的多核金属络合物，所述非对称多齿配体L1是，第一和 磷化物或酰胺供体D1桥接所述第二金属中心M1和M2，和包括含有结合第一或第二金属中心的另一供体D2的多核金属络合物的电子装置。 本发明还涉及使用用于生产和光在这种络合物的电子领域和生产这样的装置的。
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公开(公告)号：JP6113726B2
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：JP2014522038
申请日：2012-07-18
申请人： メルク パテント ゲーエムベーハー
发明人： ベゼマン、ラルス , シューベルト、ハルトムト , マイヤー、ヘルマン・オーグスト , ベルニッツ、ゾフィー
CPC分类号： H01L51/50 , C07F15/0033 , C07F15/0073 , C07F15/0093 , C07F9/5045 , C09K11/06 , H01L51/0084 , H01L51/0087 , H01L51/009 , H01L51/0091 , C09K2211/1007 , C09K2211/185 , C09K2211/187 , C09K2211/188 , Y02E10/549 , Y02P70/521
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4.发明专利
公开(公告)号：JP2014527292A
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：JP2014522039
申请日：2012-07-18
申请人： メルク パテント ゲーエムベーハー
发明人： ベゼマン、ラルス , シューベルト、ハルトムト , マイヤー、ヘルマン・オーグスト , イェルジン、ハルトムト , ローシュ、アンドレアス
IPC分类号： H01L51/50 , C07F9/50 , C07F19/00 , C09K11/06 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H05B33/10 , H05B33/12
CPC分类号： H01L51/0004 , C09K11/06 , C09K2211/1096 , C09K2211/183 , C09K2211/185 , C09K2211/188 , H01L51/009 , H01L51/0091 , H01L51/5016 , H05B33/14 , Y02E10/549
摘要： 本発明は、式（Ｉ）の２つのＰ供与体を有するアニオン性配位子を少なくとも１つ含む金属錯体化合物を含有する電子デバイスに関し、ここで、Ｒ
1 〜Ｒ
4 は、互いに独立に、水素、ハロゲン、Ｒ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＣＯ−、ＲＣＯＯ−、ＲＮＨ−、Ｒ
2 Ｎ−、ＲＣＯＮＲ−および−Ｓｉ（Ｒ）
X （ＯＲ）
3-X を含む群からの原子またはラジカル（ここで、Ｒ＝Ｃ
1 〜Ｃ
40 炭化水素、Ｘ＝１、２または３）、ならびにＥは炭素またはホウ素を含む群からの架橋原子であり、式中、必要に応じて、水素、ハロゲン、−ＣＮ、Ｒ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＣＯ−、ＲＣＯＯ−、ＲＮＨ−、Ｒ
2 Ｎ−、ＲＣＯＮＲ−および−Ｓｉ（Ｒ）
X （ＯＲ）
3-X を含む群からの原子またはラジカル（ここで、Ｒ＝Ｃ
1 〜Ｃ
40 炭化水素、Ｘ＝１、２または３）が前記炭素に結合しており、必要に応じて、ハロゲン、Ｒ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＣＯ−、ＲＣＯＯ−、ＲＮＨ−、Ｒ
2 Ｎ−、ＲＣＯＮＲ−および−Ｓｉ（Ｒ）
X （ＯＲ）
3-X を含む群からの２つのラジカル（ここで、Ｒ＝Ｃ
1 〜Ｃ
40 炭化水素、Ｘ＝１、２または３）が前記ホウ素に結合している。 さらに、本発明は、このような電子デバイスを製造するための方法、ならびにこのような金属錯体化合物を使用して光および／または青色発光を生成するための方法に関する。
【化１】
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