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公开(公告)号：JP2021116461A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020011015
申请日：2020-01-27
申请人： 三菱マテリアル株式会社
摘要： 【課題】バンプ径が異なるパターンでも、基板上のビアへのビアフィリング性に優れ、かつ形成されたバンプの高さが均一になる。 【解決手段】錫又は錫合金めっき液は、(A)少なくとも第一錫塩を含む可溶性塩と、(B)有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩と、(C)界面活性剤と、(D−1)第1レベリング剤と、(D−2)第2レベリング剤とを含む。第1レベリング剤は次の式(1)で示される構造を含む。 但し、式(1)中のR 1 はC n H (2n+1) (n=0〜6)であり、R 2 はOC m H (2m+1) (m=0〜3)又はHである。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2020153396A1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2020002088
申请日：2020-01-22
申请人： 三菱マテリアル株式会社
摘要： 耐摩耗性及び耐熱性を向上できるコネクタ用端子材及びコネクタ用端子の製造方法を提供すること。 本発明のコネクタ用端子材は、少なくとも表層が銅又は銅合金からなる基材と、該基材の表面の少なくとも一部を被覆する膜厚0.5μm以上50μm以下の銀ニッケル合金層と、を備え、銀ニッケル合金層のニッケル含有量が0.05at%以上2.0at%以下である。また、基材と銀ニッケル合金層との間には、ニッケル又はニッケル合金からなるニッケル層が設けられ、該ニッケル層の膜厚は0.5μm以上5μm以下であるとよい。
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公开(公告)号：JP2019073803A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2018244403
申请日：2018-12-27
申请人： 三菱マテリアル株式会社
摘要： 【課題】アルミニウム線材からなる電線の端末に圧着されるコネクタ用端子として銅又は銅合金基材を用い、電食を抑制する端子材、及びその端子材を用いた端子を提供する。 【解決手段】銅又は銅合金からなる基材2の上に亜鉛又は亜鉛合金からなる亜鉛層4と、錫又は錫合金からなる錫層5とがこの順に積層されており、これら亜鉛層及び錫層は、その全体の中に含まれる錫の単位面積当たりの含有量が0.5mg/cm 2 以上7.0mg/cm 2 以下であり、亜鉛の単位面積当たりの含有量が0.07mg/cm 2 以上2.0mg/cm 2 以下であり、表面から深さ0.3μmまでの範囲における亜鉛の含有率は0.2質量%以上、10.0質量%以下である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2018139628A1
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2018002642
申请日：2018-01-29
申请人： 三菱マテリアル株式会社
摘要： アルミニウム線材からなる電線の端末に圧着されるコネクタ用端子として銅又は銅合金基材を用いて電食の生じない端子材及びその端子材を用いた端子を提供する。銅又は銅合金からなる基材2の上に亜鉛又は亜鉛合金からなる亜鉛層4と、錫又は錫合金からなる錫層5とがこの順に積層されており、これら亜鉛層及び錫層は、その全体の中に含まれる錫の付着量が0.5mg/cm 2 以上7.0mg/cm 2 以下であり、亜鉛の付着量が0.07mg/cm 2 以上2.0mg/cm 2 以下であり、表面近傍における亜鉛の含有率は0.2質量%以上、10.0質量%以下である。
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公开(公告)号：JP2018104777A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2016253562
申请日：2016-12-27
申请人： 三菱マテリアル株式会社
摘要： 【課題】二回めっきや熱処理によることなく、信頼性の高い端子および端子材を安価に製造する。 【解決手段】銅又は銅合金からなる母材の表面に被覆層が形成されるとともに、被覆層は、母材の表面に形成されたニッケル又はニッケル合金からなるニッケル層と、最表面に設けられた錫又はその合金、貴金属又はその合金のいずれかからなる表面層とを備え、ニッケル層は、さらに、母材の表面に積層された第1ニッケル層と、該第1ニッケル層の上に積層された第2ニッケル層とからなり、第1ニッケル層の平均結晶粒径が0.3μmを超えており、第2ニッケル層の平均結晶粒径が前記第1ニッケル層より小さく、かつ前記第2ニッケル層は硫黄を0.015質量%以上0.200質量%以下含有する。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2017214641A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2016161591
申请日：2016-08-20
申请人： 三菱マテリアル株式会社
摘要： 【課題】塩素および銀の少ない高純度の銅を容易に製造する銅電解精錬用の銀塩素低減剤と該銀塩素低減剤を用いた高純度銅製造方法を提供する。 【解決手段】テトラゾールまたはテトラゾール誘導体(テトラゾール類と云う)からなり、銅電解精錬の電解液に添加され、電気銅の塩素および銀の含有量を低減することを特徴とする高純度銅電解精錬用の銀塩素低減剤であり、例えば、テトラゾール誘導体が、テトラゾールのアルキル誘導体またはアミノ誘導体またはフェニル誘導体であって、任意にポリエチレングリコール、または芳香族環の疎水基とポリオキシアルキレン基の親水基とを有する非イオン性界面活性剤からなる不純物低減剤を含み、さらにポリビニルアルコールまたはその誘導体からなる応力緩和剤を含む銀塩素低減剤であり、該塩素低減剤を用いた高純度銅の製造方法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6160582B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2014185033
申请日：2014-09-11
申请人： 三菱マテリアル株式会社
CPC分类号： C25D5/12 , B32B15/01 , C22C13/00 , C25D3/12 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D5/50 , C25D5/505 , C25D7/00 , H01R13/03 , B32B2311/12 , B32B2311/16 , B32B2457/00
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