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公开(公告)号：JP2015149677A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014022584
申请日：2014-02-07
申请人： 株式会社リコー
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H03H11/04
CPC分类号： H03H11/1278 , H03H11/1204 , H03H11/126 , H03H7/06 , H03H11/245
摘要： 【課題】従来技術に比較して低い遮断周波数を有するハイパスフィルタ回路であって、回路面積を増大することなく外付部品なしに構成できるハイパスフィルタ回路を提供する。 【解決手段】入力信号を入力するキャパシタと、上記キャパシタの出力端子と所定のバイアス電圧との間に接続された抵抗体と、上記キャパシタの出力端子に接続され、上記入力信号を緩衝増幅して出力する信号出力回路とを備えたハイパスフィルタ回路である。ハイパスフィルタ回路において、上記抵抗体は、SOI半導体基板に形成され、かつ互いに逆方向に並列接続された2個のPN接合ダイオードを備えて構成され、上記2個のPN接合ダイオードのアノードとカソードの電位差が略0となるように構成される。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种与现有技术相比具有较低截止频率的高通滤波器电路，可以在不增加电路面积而不需要任何外部元件的情况下进行配置。解决方案：高通滤波器电路包括 输入信号的电容器，连接在电容器的输出端子与预定偏置电压之间的电阻器，以及与电容器的输出端子连接的信号输出电路，并在缓冲和放大时输出输入信号。 在高通滤波器电路中，电阻器被构造成包括形成在SOI半导体衬底上并且沿相反方向并联连接的两个PN结二极管。 两个PN结二极管的阳极和阴极之间的电位差基本为0。
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公开(公告)号：JP6212922B2
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：JP2013090371
申请日：2013-04-23
申请人： 株式会社リコー
发明人： 長久 武
CPC分类号： H03F3/185 , H03F3/393 , H03F3/45995 , H03F2200/271 , H03F2200/333
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公开(公告)号：JP2017119386A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2015256731
申请日：2015-12-28
申请人： 株式会社リコー
发明人： 長久 武
摘要： 【課題】導電体を含む液体の過剰加熱を防止する。 【解決手段】乾燥装置14は、媒体21に吐出された液体に交流電場を印加することにより液体を加熱する加熱部101と、導電体を含む液体の温度を検出する検出部102と、検出された温度に基づいて、導電体を含む液体の温度が上限値を超えないように交流電場を制御する制御部103とを備える。制御部103は、温度が上限値より低い第1の閾値以上になったときに交流電場の発生を停止し、温度が第1の閾値より低い第2の閾値以下になったときに交流電場の発生を開始する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2016213139A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015098181
申请日：2015-05-13
申请人： 株式会社リコー
发明人： 長久 武
CPC分类号： H05B6/62 , H05B6/56 , H05B6/60 , B41J11/002
摘要： 【課題】エネルギー効率を向上させた高周波誘電加熱装置を提供する。 【解決手段】高周波誘電加熱装置は、高周波電力を供給する高周波電源11と、平面を含み、平面が被加熱物に平行となり、かつ、長手方向が被加熱物の搬送方向に対して交差するように配置される正電極23及び負電極24と、被加熱物を搬送する搬送装置と、を備える。正電極23及び負電極24は、一対の対向する面の面積が他の面の面積より大きい平板面を有する平板状をなし、平板面が被加熱物に平行に配置され、正電極23及び負電極24の形状と、正電極23及び負電極24と被加熱物との距離とが、以下の式によって定められる電力密度の最大値をもたらすように設定される。電力密度=被加熱物に印加される電力/電力を印加する電極の面積 【選択図】図1
摘要翻译： 为了提供具有改善的能量效率的高频介质加热设备。 一种高频介质加热设备中，高频电源11供给高频电力，包括平面的，平坦的平行于待加热物体，并且使得纵向方向交叉的方向的物体的传送方向被加热 它包括一个正电极23和负电极24，和用于传送物体的输送装置被加热，该设置。 正电极23和负电极24，一对相对面的平板状的区域具有比其它面的面积较大的平坦表面，所述平坦的板面被设置成平行于待加热物体，正电极23和负 电极24，正电极23和负电极24和被加热物之间的距离的形状被设置成提供最大功率密度由下面的等式确定。 用于施加施加到功率密度的功率/功率的电极的面积=加热对象发明1。
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公开(公告)号：JP2016017794A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014139508
申请日：2014-07-07
申请人： 株式会社リコー
IPC分类号： G01J1/02
摘要： 【課題】光学センサにおいて、バラツキが少なく、所望のセンサ視野角を得ることができる。 【解決手段】光学面を有する第1の層(13)と、センサ部(10)とを有する第2の層(1)と、第2の層(1)と接合され第2の層(1)に対し第1の層(13)と逆側に位置する第3の層(16)とを備える光学センサの製造方法において、第2の層(1)と第3の層(16)とを接合する接合工程と、接合工程の後、第2の層(1)の一面を研磨する研磨工程と、研磨工程の後、第2の層(1)に光を通過させる貫通孔(12)を設ける工程とを備える。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供具有小的未对准的光学传感器，其可以获得期望的角度视场。解决方案：制造具有光学表面的第一层（13）的光学传感器的方法，第二层（1） 具有传感器部分（10）和连接到第二层（1）并且位于第二层（1）的与第一层（13）相对的一侧的第三层（16）包括以下步骤：将第二层 层（1）和第三层（16）在一起; 抛光第二层（1）的表面; 以及在所述第二层（1）中形成通孔（12），以使光线依次通过。选择的图：图1
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公开(公告)号：JP2016014627A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014137692
申请日：2014-07-03
申请人： 株式会社リコー
IPC分类号： G01J1/02
摘要： 【課題】S/N比の悪化を抑制する半導体装置を提供すること。 【解決手段】支持基板と絶縁膜とが積層された積層基板を有する半導体装置であって、積層基板上に形成された集積回路と、絶縁膜上に形成された配線層と、配線層に形成され、支持基板に接地電位を供給する電極開口部と、電極開口部の近傍に形成され、配線層における電極開口部が形成された面から支持基板まで延在する接続孔と、電極開口部と接続孔の表面とを含む領域に製膜された導電性材料とを有し、導電性材料は、支持基板と電極開口部とを電気的に接続する、半導体装置が提供される。 【選択図】図3
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种抑制S / N比的劣化的半导体器件。解决方案：本发明提供一种半导体器件，其具有层叠基板和绝缘膜的多层基板，其中半导体器件 具有：形成在所述多层基板上的集成电路; 形成在绝缘膜上的布线层; 形成在所述布线层上的用于向所述支撑基板提供地电势的电极开口; 连接孔，形成在电极开口附近并且从形成有电极开口的布线层的表面延伸到支撑基板; 以及在包括电极开口和连接孔的表面的区域中形成为膜形状的导电材料，导电材料电连接支撑基板和电极开口。
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