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公开(公告)号：JP2016145825A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016016835
申请日：2016-02-01
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Abstract: 【課題】半導体デバイスの製造において、実際のデバイスの回路パターンが形成される領域におけるオーバーレイを、簡便かつ頑健に計測する方法を提供する。 【解決手段】複数回の露光工程により回路パターンが形成されている半導体デバイスのオーバーレイを計測する方法であって、半導体デバイスの複数の領域の画像を撮像する撮像ステップS601と、撮像ステップにて撮像された複数の撮像画像から基準画像を設定する基準画像設定ステップS603と、基準画像設定ステップにて設定した基準画像と撮像ステップにて撮像された複数の撮像画像の差異を定量化する差異定量化ステップS604と、差異定量化ステップにて定量化した差異をもとにオーバーレイを算出するオーバーレイ算出ステップS605と、を備える。 【選択図】図6
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于在制造半导体器件中形成实际器件电路图案的区域中容易且鲁棒地测量覆盖层的方法。解决方案：覆盖测量方法是测量半导体器件的覆盖层的方法 其中通过多次曝光步骤形成电路图案。 该方法包括：拾取步骤S601，拾取半导体器件的多个区域的图像; 参考图像设定步骤S603，其在图像拾取步骤中拾取的多个拍摄图像中设置参考图像; 量化在参考图像设置步骤中设置的参考图像与在图像拾取步骤中拾取的多个拍摄图像之间的差异的差异量化步骤S604; 以及基于在差分量化步骤中量化的差异来计算覆盖的覆盖计算步骤S605。图示：图6
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公开(公告)号：JP2016139467A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015012155
申请日：2015-01-26
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Abstract: 【課題】 試料観察方法において、複数の検出器で検出された複数の画像について、欠陥部位や回路パターンの視認性を考慮して、複数の画像を混合(合成)するときの重み係数を自動調整し混合して混合画像を生成することを可能とする。 【解決手段】 荷電粒子顕微鏡を用いて試料を観察する方法において、荷電粒子ビームを試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次電子又は反射電子を試料に対して異なる位置に配置した複数の検出器で検出し、異なる位置に配置した複数の検出器ごとに二次電子又は反射電子を検出して得た複数の検出器ごとの試料の複数の画像を混合して混合画像を生成し、生成した混合画像を画面上に表示するようにした。 【選択図】 図6
Abstract translation: 要解决的问题：为了通过混合通过多个检测器检测的多个图像来创建混合图像，同时在混合（合成）多个图像的同时自动调整加权因子，同时考虑到 对于通过多个检测器检测到的多个图像的缺陷部位或电路图案的可视性，在样本观察方法中。解决方案：在通过使用带电粒子束显微镜观察样品的方法中，二次电子或 通过利用设置在样本的不同位置的多个检测器来检测通过用带电粒子束照射和扫描样品从样品产生的反射电子，通过混合用于多个样品的多个样品来产生混合图像 通过检测设置在不同位置的多个检测器的二次电子或反射电子获得的检测器，然后混合 因此创建的d图像显示在显示屏上。选择图：图6
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公开(公告)号：JP2018137275A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017029011
申请日：2017-02-20
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G06T3/40 , H01J37/22 , H01J37/28 , G01N23/225 , H01L21/66
CPC classification number: G06T5/50 , G06T5/003 , G06T7/0008 , G06T7/001 , G06T2207/10016 , G06T2207/10061 , G06T2207/20081 , G06T2207/20084 , G06T2207/30148 , H01J37/20 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J2237/202 , H01J2237/2817
Abstract: 【課題】試料観察装置において、試料観察のため画像を撮像するための時間を短縮してスループット向上させることと試料の高品質な画像を得ることとを両立させる。 【解決手段】試料観察装置を、移動可能なテーブルに載置した試料に荷電粒子線を照射し走査して試料を撮像する荷電粒子顕微鏡と、荷電粒子顕微鏡で試料を撮像する撮像条件を変えて取得した試料の同一箇所の画質が悪い劣化画像と画質が良い高画質画像とを記憶する画像記憶部と、画像記憶部に記憶した劣化画像と高画質画像とを用いて劣化画像から高画質画像を推定するための推定処理パラメータを求める演算部と、荷電粒子顕微鏡で試料の所望の箇所を撮像して得られた試料の所望の箇所の劣化画像を演算部で求めた推定処理パラメータを用いて処理して所望の領域の高画質画像を推定する高画質画像推定部と、高画質画像推定部で推定した推定高画質画像を出力する出力部とを備えて構成した。 【選択図】 図3
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公开(公告)号：JP6061496B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2012115295
申请日：2012-05-21
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01B15/04
CPC classification number: H04N7/18 , G06T7/0006 , G06T2207/10016 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148
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公开(公告)号：JP5948262B2
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2013014990
申请日：2013-01-30
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01N23/225
CPC classification number: G06T7/001 , G01N21/9501 , G06T2207/10004 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015206642A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014086395
申请日：2014-04-18
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01B11/30 , G01N21/956
CPC classification number: G01B11/30 , G01N21/956
Abstract: 【課題】従来ラフネス散乱光に埋もれ検出できなかった微小欠陥を顕在化させ、観察対象の微小欠陥を確実にSEM等の観察視野内に入るよう位置出しできるようにする。 【解決手段】暗視野顕微鏡と走査型電子顕微鏡(SEM)と制御部とを備えた観察装置において、暗視野顕微鏡を、試料に照明光を照射する照明光源と、照明光源により照明光が照射された試料から発生した散乱光を集光する対物レンズと、対物レンズで集光された試料からの散乱光の偏光の方向を変換する波長板と、波長板を透過した散乱光の一部を遮光して残りの部分を透過するフィルタと、フィルタを透過した散乱光を結像させる結像レンズと、結像レンズで結像させた散乱光の像を波長板で変換した偏光の方向ごとに分離して検出する検出器とを備えて構成し、制御部を、検出器で偏光の方向ごとに分離して検出した複数の画像を用いて他の検査装置で検出した欠陥候補の位置を求める演算部を有して構成した。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了使传统上埋在粗糙散射光中并且不能被检测到的明显缺陷，并且将待观察的微小缺陷定位以确定地包括在SEM的观察领域内 类似物。解决方案：提供了一种包括暗视野显微镜，扫描电子显微镜（SEM）和控制单元的观察装置。 暗场显微镜配置包括： 用于用照明光照射样品的照明光源; 用于聚集由照明光源照射照明光的样品产生的散射光的物镜; 用于转换来自被物镜会聚的样品的散射光的偏振方向的波长板; 用于使通过波长板的散射光的一部分遮蔽并使其余部分通过的滤光器; 用于形成通过过滤器的散射光的图像的图像形成透镜; 以及检测器，用于对由波长板转换的每个偏振方向分离由图像形成透镜形成的散射光的图像，并检测分离的光。 所述控制单元通过具有运算单元来构成，所述运算单元通过使用为每个偏振方向分离的多个图像，由所述检测器检测出用于求出由其他检查装置检测出的候补缺陷的位置。
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公开(公告)号：JP2015170539A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014045844
申请日：2014-03-10
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Abstract: 【課題】 本発明の目的は、SEMを用いた欠陥の詳細検査のスループットと分解能を上げる装置及びその方法を提供することにある。 【解決手段】 試料の観察対象領域に電子線を照射する電子線照射系と照射された前記電子線によって前記観察対象領域で放射される電子の信号を検出する電子検出系を有する電子顕微鏡部と、前記観察対象領域の振動を計測する計測部と、前記試料を前記電子顕微鏡部に対して相対的に移動させる駆動部と、前記駆動部の移動、前記電子顕微鏡部による前記観察対象領域の画像の取得、前記計測部の計測を制御する制御システム部と、を備え、前記制御システム部は、前記計測部により計測した前記観察対象領域の振動に応じて、前記電子顕微鏡部による前記画像の取得の時間または位置を決定することを特徴とする欠陥観察装置及びその方法を提供する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于利用SEM提高详细缺陷检查的吞吐量和分辨率的装置及其方法。解决方案：提供了一种缺陷观察装置及其方法。 缺陷观察装置包括：电子显微镜单元，包括用于用电子束照射样品的观察目标区域的电子束照射系统和用于检测在用电子照射的观察目标区域中发射的电子的信号的电子检测系统 光束; 用于测量观察目标区域的振动的测量单元; 用于相对于电子显微镜单元移动样本的驱动单元; 以及用于控制驱动单元的移动的控制系统单元，电子显微镜单元对观察对象区域的图像的获取以及测量单元的测量。 控制系统单元根据由测量单元测量的观察目标区域的振动来确定电子显微镜单元对图像的获取中的时间或位置。
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公开(公告)号：JP5978162B2
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：JP2013070976
申请日：2013-03-29
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01N21/956 , H01L21/66 , G01B15/00 , G01B11/00
CPC classification number: G06T7/001 , H01L22/12 , G06K9/6202 , G06K9/6284 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J2237/2817
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公开(公告)号：JP2016058637A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014185445
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01B15/00 , G06T1/00 , H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/66
Abstract: 【課題】SEMで撮像して得た基準画像と計測画像とを比較して、半導体パターンの上下層に形成されたパターンのオーバーレイを計測する場合、上層のパターンのSEM画像のコントラストに対し、下層のパターンのSEM画像のコントラストが相対的に低く、計測結果に基づいて基準画像と計測画像とを重畳しても位置合わせ状態の確認が困難であった。 【解決手段】SEMで撮像し得られた基準画像と計測画像とから、オーバーレイ計測対象のパターンの位置ずれ量を求め、基準画像と計測画像を微分処理し、微分処理した基準画像と計測画像とを先に求めた位置ずれ量に基づいて位置合わせを行い、位置合わせを行った微分基準画像と微分計測画像との濃淡値を、各画像で異なる色の明度として彩色して重畳し、求めた位置ずれ量と共に表示するようにした。 【選択図】 図13
Abstract translation: 要解决的问题为了解决这样一个问题，当通过将通过成像获得的参考图像与SEM和测量图像进行比较来测量形成在半导体图案的上层和下层上的图案的覆盖层时，SEM图像的对比度 相对于上层图案的SEM图像的下层图案相对较低，因此即使基于测量结果重叠基准图像和测量图像，也难以确认取向状态。解决方案：从 参考图像和通过用SEM成像获得的测量图像，确定覆盖测量对象的图案的位置偏差量，参考图像和测量图像被微分，然后基于如此确定的位置偏差量对准。 差分参考图像和经过对准的测量图像的灰度值在与所确定的位置偏差量一起显示之前，在每个图像中作为不同颜色的亮度着色并重叠。选择图：图13
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