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公开(公告)号：JP2021197264A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020102170
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: G01N23/2251 , H01J37/28 , H01L21/66 , H01J37/244
Abstract: 【課題】検出器の検出面上におけるマルチビームの各ビームの位置を把握可能な装置を提供する。 【解決手段】マルチ2次電子ビームを検出するマス目状に配置された複数の検出エレメントを有するマルチ検出器と、マルチ検出器に到達する2次電子ビームを1本ずつ選択するビーム選択部60と、選択された2次電子ビームを検出した検出エレメントからの検出強度信号を用いて、選択された2次電子ビームがマス目状の領域面における存在可能位置を算出する存在可能位置算出部61と、一部の複数の2次電子ビームの各2次電子ビームの存在可能位置を1つずつ用いた複数の組み合わせ毎に、組み合わせを構成する複数の存在可能位置の位置関係を評価する指標値を算出する指標値算出部66と、算出された指標値に基づいて、各2次電子ビームの位置を特定するビーム位置特定部71と、を備える。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2021190716A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2021093501
申请日：2021-06-03
Applicant: アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド
IPC: G06T7/00 , G06T1/00 , G01N23/2251 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 【課題】半導体試料上の関心パターン(POI)を分類するシステムを提供すること。 【解決手段】システムは、プロセッサおよびメモリ回路を備え、プロセッサおよびメモリ回路は、POIの高分解能画像を取得し、欠陥性関連分類に応じてPOIを分類するために使用可能なデータを生成するように構成され、生成は、訓練サンプルに応じて訓練された機械学習モデルを利用し、訓練サンプルは、試料上のそれぞれの訓練パターンを走査することによって捕捉された高分解能訓練画像であって、それぞれの訓練パターンが、POIに類似している、高分解能訓練画像と、画像に関連付けられたラベルとを含み、ラベルは、それぞれの訓練パターンの低分解能検査から誘導される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021190600A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020095810
申请日：2020-06-02
Applicant: 株式会社 日立パワーデバイス
Abstract: 【課題】リーク電流が発生するチップをモジュール組立前の検査工程で排除することで、モジュール組立後の検査歩留を向上させ、半導体装置の製造コストを低減する。 【解決手段】半導体装置の製造方法として、(a)第1半導体素子を形成する工程、(b)第1温度で前記第1半導体素子に第1電圧を印加した際に流れる第1漏れ電流を測定する工程、(c)第2温度で前記第1半導体素子に前記第1電圧を印加した際に流れる第2漏れ電流を測定する工程、(d)前記(a)、(b)および(c)工程の後、前記第1漏れ電流と前記第2漏れ電流との比率を算出する工程、(e)前記(d)工程の後、前記比率が一定値以上の前記第1半導体素子を良品として選別する工程、を行う。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021190521A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020093200
申请日：2020-05-28
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/02 , H01L21/66
Abstract: 【課題】表面に半導体デバイスが形成された後に薄膜化された際にも、高い破壊強度を有するシリコンウェーハを提供する。 【解決手段】シリコンウェーハは、表面で検出される14nm以上のサイズの輝点欠陥の個数が0.12個/cm 2 以下である。表面からチップ厚に相当する深さ位置までの領域に含まれるBMDの個数が3×10 8 個/cm 3 以上1×10 10 個/cm 3 以下であることが好ましい。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2021534580A
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2021507515
申请日：2019-08-22
Applicant: エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Abstract: 改良された荷電粒子ビーム検査装置、より具体的には、薄いデバイス構造欠陥を検出するための粒子ビーム検査装置を開示する。ビーム検査装置は、時間シーケンスにわたって検査中のウェーハの配置に荷電粒子を誘導するための荷電粒子ビーム源と、時間シーケンスにわたって異なる時間でウェーハのエリアの複数の画像(510〜538)をサンプリングするように構成されたコントローラとを備える。複数の画像を比較して電圧コントラスト差又は変化(560〜564)を検出し、薄いデバイス構造欠陥(562)を識別する。 【選択図】図5A
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021533575A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021507977
申请日：2018-12-27
Applicant: エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド
Inventor： リ,ジェ・ヒョン
Abstract: 実施例は、サンプルウエハーを準備する段階と、700℃〜800℃の温度で前記サンプルウエハーに1次酸化膜を形成する段階と、800℃〜1000℃の温度で前記1次酸化膜上に2次酸化膜を形成する段階と、1000℃〜1100℃の温度で前記2次酸化膜上に3次酸化膜を形成する段階と、1100℃〜1200℃の温度で前記3次酸化膜上に4次酸化膜を形成する段階と、前記第1乃至4次酸化膜を除去する段階と、前記第1乃至4次酸化膜の除去された前記サンプルウエハーを食刻して前記サンプルウエハーの表面にヘイズを形成する段階と、前記ヘイズに基づいて前記サンプルウエハーの欠陥領域を評価する段階とを含む。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2021184486A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021127497
申请日：2021-08-03
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Inventor： 加賀美 徹也
Abstract: 【課題】テスタおよびプローバにまたがる要因の故障またはその前段階の兆候が生じた場合でもその箇所を迅速に把握することまたは予知することができる技術を提供する。 【解決手段】検査システムは、搬送部と、プローバと、デバイスの電気特性を検査するテスタと、検査の際に故障が発生したとき、または故障の前段階の兆候が発生したときに、その故障に関連するプローバとテスタの履歴情報を解析して故障の箇所を特定もしくは推定または予知する故障解析・予知処理部とを有し、デバイスは基板上に複数形成されたものであり、基板上の複数のデバイスを表示するマップにおいて、検査の際にPASSになった項目について出力結果を複数段階にレベル分けし、PASSと判断されたデバイスのレベルの分布図から故障箇所を予知する。 【選択図】図7
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公开(公告)号：JP6974635B2
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：JP2020569886
申请日：2019-06-14
Inventor： ロススタイン・エイタン , ルビノヴィッチ・イリヤ , タル・ノアム , ブリンゴルッツ・バラク , キム・ヨンハ , ブロイトマン・アリエル , コーヘン・オデッド , ラビノヴィッチ・エイロン , ザハロニ・タル , ヨゲヴ・シェイ , カンデル・ダニエル
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公开(公告)号：JP2021182601A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020088016
申请日：2020-05-20
Applicant: TASMIT株式会社
Inventor： 中澤 伸一
IPC: H01L21/66
Abstract: 【課題】パターンの幅寸法などの特徴量の測定レシピを自動的に決定することができるパターン測定方法を提供する。 【解決手段】本方法は、設計データ内に定義された座標系上の測定点111とCADパターン101との相対位置、およびCADパターン101の面積に基づいてCADパターン101のタイプおよび測定レシピを決定し、CADパターン101に対応する画像上の実パターン121と、CADパターン101との位置合わせを行い、決定された測定レシピに従って実パターン121の特徴量を測定する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6969930B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2017161169
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社日本マイクロニクス
Inventor： 那須 美佳
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