公开(公告)号：KR102228142B1

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020140036760A

申请日：2014-03-28

申请人： 삼성디스플레이 주식회사 ,  홍익대학교 산학협력단

发明人： 고희주 ,  양희선 ,  이기헌 ,  이정훈 ,  이창호

IPC分类号： C09K11/02 ,  B82B3/00 ,  H01L51/50

CPC分类号： C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  H01L51/5056

摘要： 양자점의 제조 방법에 있어서, 적어도 하나의 양이온 전구체 및 적어도 하나의 음이온 전구체를 사용하여 코어를 형성한다. 쉘 형성 전구체 및 리간드 형성 전구체를 상기 코어와 1시간 이상 반응시킴으로써, 상기 코어를 감싸는 쉘 및 리간드를 형성한다. 상기 코어, 상기 쉘 및 상기 리간드를 포함하는 나노 입자를 세척한다.