公开(公告)号：KR20210027064A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020200076845A

申请日：2020-06-24

Applicant: 주식회사 히타치하이테크

Inventor： 미나미 쇼우지 ,  나츠키 츠노 ,  야스히로 시라사키 ,  무네유키 후쿠다 ,  사토시 다카다

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/3026 ,  H01J37/226 ,  G01B15/02 ,  G01N23/2206 ,  G01N23/2251 ,  G01N27/04 ,  G01N27/22 ,  H01J37/222 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  G01N2223/07 ,  G01N2223/20 ,  G01N2223/40 ,  G01N2223/507 ,  G01N2223/633 ,  G01N2223/646 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/2817

Abstract: 본 발명은, 시료 표면에 형성된 층의 막두께가 얇아 관찰상의 콘트라스트를 얻기 어려울 경우여도, 시료 표면의 재료나 형상을 명확히 식별할 수 있는 하전 입자선 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명에 따른 하전 입자선 장치는, 시료에 대하여 광을 조사하는 것에 의해, 복수의 광조사 조건을 조사함으로써 방출 하전 입자의 신호량을 변화시키고, 상기 변화한 신호량에 따라서, 상기 시료의 재료 또는 상기 시료의 형상 중 적어도 어느 것을 판정한다.

公开(公告)号：KR20210027063A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020200075564A

申请日：2020-06-22

Applicant: 주식회사 히타치하이테크

Inventor： 야스히로 시라사키 ,  나츠키 츠노 ,  미나미 쇼우지 ,  요헤이 나카무라 ,  무네유키 후쿠다

IPC: H01J37/302 ,  G01N21/01 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/226 ,  H01J37/3026 ,  G01N21/01 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/2817 ,  H01J37/28

Abstract: 본 발명은, 종래의 방법으로는 측정할 수 없었던 디바이스의 전기 특성을 측정하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 하전 입자선 장치(1)는, 하전 입자선 조건과 광 조건과 전자 디바이스 회로 정보가 입력되는 입출력기(50)와, 전자선 조건에 의거하여 시료에 조사하는 하전 입자선을 제어하는 하전 입자선 제어계와, 광 조건에 의거하여 시료에 조사하는 광을 제어하는 광 제어계와, 하전 입자선 및 광의 조사에 의해 시료로부터 방출되는 이차 전자를 검출하고, 검출 신호를 출력하는 검출기(25)와, 전자 디바이스 회로 정보에 의거하여 연산용 넷리스트를 생성하고, 연산용 넷리스트 및 광 조건에 의거하여 광 조사 시 넷리스트를 생성하고, 광 조사 시 넷리스트 및 하전 입자선 조건에 의거하여 하전 입자선 및 광이 시료에 조사되었을 때의 제1 조사 결과를 추정하고, 제1 조사 결과와 전자선 조건에 의거하여 실제로 시료에 하전 입자선 및 광이 조사되었을 때의 제2 조사 결과를 비교하는 연산기(31)를 구비한다.