公开(公告)号：KR102227526B1

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020190115580A

申请日：2019-09-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인수 ,  김영환 ,  이관일 ,  김춘근 ,  남병현 ,  김혜준

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/4293 ,  H01L2251/5346 ,  Y10S977/812

Abstract: 본 개시는, 기판을 제공하는 단계, 기판 상에 제1 페로브스카이트 층을 형성하는 단계, 기판을 기체 상태의 금속 할라이드, 금속 산화물, 금속 황화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합에 노출함으로써, 제1 페로브스카이트 층 상에 금속 층을 형성하는 단계, 및 금속 층 상에 할로겐 화합물을 공급하여, 금속 층에 포함된 금속 할라이드, 금속 산화물, 금속 황화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합과 공급된 할로겐 화합물 간의 반응에 의해, 제2 페로브스카이트 층을 형성하는 단계를 포함하는, 복층 구조의 페로브스카이트를 제조하는 방법을 개시한다.