公开(公告)号：KR102226125B1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190078603A

申请日：2019-07-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상태 ,  송현철 ,  백승협 ,  최지원 ,  김진상 ,  강종윤 ,  김성근

IPC: H01G11/46 ,  H01G11/86

CPC classification number: H01G11/46 ,  H01G11/86

Abstract: 전극막의 제조 방법 및 이를 이용하는 커패시터의 제조 방법을 제공한다. 전극막 제조 방법은, 기판 상에 주석 전구체 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클(first sub-cycle)을 수행하고, 제1 서브 사이클을 수행한 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하고, 제1 서브 사이클 및 제2 서브 사이클이 하나의 사이클(cycle)을 구성하며, 사이클을 반복 수행하여, 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막을 형성하는 것을 포함한다. 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막 내 탄탈륨 농도는 제2 서브 사이클에서 제공되는 주석 전구체에 의해 결정된다.