公开(公告)号：KR102238902B1

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020190071289A

申请日：2019-06-17

Applicant: 한국항공대학교산학협력단

Inventor： 전재홍

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/32 ,  G09G3/2092 ,  G09G2230/00 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0876

Abstract: 화소 회로는 발광 다이오드, 제1 NMOS 트랜지스터, 제2 NMOS 트랜지스터, 및 저장 커패시터를 포함한다. 발광 다이오드는 전원 전압에 연결되는 애노드 전극을 포함한다. 제1 NMOS 트랜지스터는 데이터 라인에 연결되는 드레인 전극, 스캔 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 노드에 연결되는 소스 전극, 및 제1 노드에 연결되는 바디 전극을 포함한다. 제2 NMOS 트랜지스터는 발광 다이오드의 캐소드 전극에 연결되는 드레인 전극, 제1 노드에 연결되는 게이트 전극, 부스팅 라인에 연결되는 소스 전극, 및 부스팅 라인에 연결되는 바디 전극을 포함한다. 저장 커패시터는 제1 노드와 부스팅 라인 사이에 연결된다.