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公开(公告)号：JP2021114562A
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：JP2020007028
申请日：2020-01-20
申请人： DOWAホールディングス株式会社 , DOWAエレクトロニクス株式会社
IPC分类号： H01L31/108
摘要： 【課題】紫外領域の目的波長に有効な受光感度を有する紫外線受光素子提供する。 【解決手段】ショットキー接合型の紫外線受光素子において、230nm以上320nm以下の紫外線領域に受光感度ピーク波長を有し、400nm以上680nm以下の可視領域の応答度の平均値Rvに対する前記受光感度ピーク波長での応答度Rpの比(Rp/Rv)である拒絶率を10 5 以上にする。 【選択図】図5B
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公开(公告)号：JPWO2019146737A1
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：JP2019002392
申请日：2019-01-25
申请人： 丸文株式会社 , 芝浦機械株式会社 , 国立研究開発法人理化学研究所 , 株式会社アルバック , 東京応化工業株式会社 , 日本タングステン株式会社 , 大日本印刷株式会社 , DOWAホールディングス株式会社
发明人： 鹿嶋 行雄 , 松浦 恵里子 , 小久保 光典 , 田代 貴晴 , 平山 秀樹 , 前田 哲利 , 定 昌史 , 上村 隆一郎 , 長田 大和 , 古田 寛治 , 岩井 武 , 青山 洋平 , 祝迫 恭 , 長野 丞益 , 渡邉 康弘
摘要： 設計波長をλとする深紫外LEDであって、反射電極層(Au)と、金属層(Ni)と、p型GaNコンタクト層と、p型AlGaN層で成るP−Block層と、AlN層で成るi−guide層と、多重量子井戸層と、n型AlGaNコンタクト層と、u型AlGaN層と、AlNテンプレートと、サファイア基板とを、前記サファイア基板とは反対側からこの順で有し、前記P−Block層の膜厚は52nm〜56nmであり、前記金属層と前記p型GaNコンタクト層の界面から、前記p型GaNコンタクト層の厚さ方向の範囲内で、かつ、前記p型GaNコンタクト層と前記P−Block層との界面を超えない位置に設けられた複数の空孔を有する反射型2次元フォトニック結晶周期構造を有し、前記空孔は、前記空孔の前記サファイア基板方向の端面から前記多重量子井戸層と前記i−guide層との界面までの距離が、垂直方向にλ/2n 1Dneff を満たし、その距離の範囲は53nm〜57nmであり、前記反射型2次元フォトニック結晶周期構造は、TE偏光成分に対して開かれるフォトニックバンドギャップを有し、前記設計波長λの光に対して前記反射型2次元フォトニック結晶周期構造の周期aがブラッグの条件を満たし、かつ、ブラッグの条件式mλ/n 2Deff =2a(但し、m:次数、λ:設計波長、n 2Deff :2次元フォトニック結晶の実効屈折率、a:2次元フォトニック結晶の周期)にある次数mは2≦m≦4を満たし、前記空孔の半径をRとした時、R/a比は0.30≦R/a≦0.40を満たすことを特徴とする深紫外LED。
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公开(公告)号：JP6793815B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2019509730
申请日：2018-03-23
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： 渡邉 康弘
IPC分类号： H01L33/32
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公开(公告)号：JP2017034036A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015151052
申请日：2015-07-30
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社
摘要： 【課題】従来よりも優れた素子寿命を有するIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体発光素子100は、n型III族窒化物半導体層30と、障壁層40aおよび、障壁層40aよりもバンドギャップの小さい井戸層40bをこの順に交互にN層ずつ(但し、Nは整数である)積層してなるIII族窒化物半導体積層体40と、AlNガイド層60と、p型III族窒化物半導体層70と、をこの順に有し、AlNガイド層60の厚さが0.5nm以上2.0nm以下であることを特徴とする。 【選択図】図1
摘要翻译： 提供一种III族氮化物半导体发光器件及其具有比常规的优良器件寿命的制造方法。 III族氮化物半导体的光的本发明中，n型III族氮化物半导体层30，阻挡层40a和交替地少阱层以该顺序比势垒层40a 40b的带隙的发光器件100 具有（其中，N是整数）III族氮化物半导体层积体40通过层压形成的，以AlN作引导层60，p-型III族氮化物半导体层70，按照该顺序，每个的AlN N层 导层60的厚度是等于或0.5nm的或2.0nm或更小。 点域1
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公开(公告)号：JP2016088803A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014224637
申请日：2014-11-04
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社
摘要： 【課題】III族窒化物半導体発光素子の作製に供した際に、優れた発光特性および発光寿命特性を両立することが可能なIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体エピタキシャル基板1は、サファイア基板10と、サファイア基板10の主面上に形成されたAlN層20と、該AlN層20上に形成された、少なくともAlを含む、第1の層31および第2の層32をこの順に有するIII族窒化物積層体30と、を有し、第1の層31のAl組成比xが、第2の層32のAl組成比yよりも大きく、サファイア基板10の主面は、C面が0.46度以上0.54度以下のオフ角で傾斜した面であり、AlN層20の(10−12)面のX線ロッキングカーブの半値幅が400秒以下であり、第2の層32のc軸歪み量が引張方向に0.66%以上であることを特徴とする。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供当准备III族氮化物半导体发光元件时能够获得优异的发光特性和发光寿命特性的III族氮化物半导体外延基板及其制造方法。 ：III族氮化物半导体外延衬底1包括：蓝宝石衬底10; 形成在蓝宝石衬底10的主表面上的AlN层20; 以及形成在AlN层20上并具有依次包括至少包含Al的第一层31和第二层32的III族氮化物层压体30。 第一层31的Al组成比x大于第二层32的Al组成比y; 蓝宝石基板10的主表面具有以0.46度以上且0.54度以下的偏角倾斜的C面， AlN层20（10-12）面的X射线摇摆曲线的半值宽度为400秒以下; 并且第二层32的c轴向应变量在拉伸方向上为0.66％以上。选择图：图1
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公开(公告)号：JP6849641B2
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：JP2018185668
申请日：2018-09-28
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： 渡邉 康弘
IPC分类号： H01L33/32
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公开(公告)号：JP6753995B2
公开(公告)日：2020-09-09
申请号：JP2019223516
申请日：2019-12-11
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： 渡邉 康弘
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/32
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公开(公告)号：JP2020098908A
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：JP2019223516
申请日：2019-12-11
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： 渡邉 康弘
IPC分类号： H01L33/32 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/02
摘要： 【課題】高い発光出力及び優れた信頼性を両立したIII族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】III族窒化物半導体発光素子は、基板上10に、n型半導体層30、発光層40、p型AlGaN電子ブロック層60、p型コンタクト層70及びp側反射電極80を順次備え、発光層からの発光の発光中心波長が250nm以上330nm以下であり、p型AlGaN電子ブロック層のAl組成比は0.40以上0.80以下であり、p型コンタクト層の膜厚は10nm以上50nm以下であり、かつ、p型コンタクト層は、Al組成比が0.03以上0.25以下であるp型AlGaNコンタクト層を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6193443B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2016097277
申请日：2016-05-13
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325
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