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    チャンバ吸気構造及び反応チャンバ
    2.
    发明专利
    チャンバ吸気構造及び反応チャンバ 审中-公开

    公开(公告)号：JP2022501805A

    公开(公告)日：2022-01-06

    申请号：JP2021512747

    申请日：2019-12-09

    Applicant: 北京北方華創微電子装備有限公司 ,  Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd.

    Inventor： 徐 ▲剛▼ ,  ▲張▼ ▲軍▼ ,  ▲鄭▼ 波 ,  ▲馬▼ 振国

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302

    Abstract: チャンバ吸気構造及び反応チャンバであって、該チャンバ吸気構造は噴気ディスクユニットを含み、該噴気ディスクユニットは噴気面(A)を含み、噴気ディスクユニットに第1の中心チャンネル(041)と第1の中心チャンネル(041)の周囲に設置され且つ第1の中心チャンネルと互いに遮断された第2の中心チャンネル(043)、互いに遮断された第1の流体均一化チャンネルと第2の流体均一化チャンネル、及び互いに遮断された第1の流体均一化キャビティと第2の流体均一化キャビティが設置されており、第1の流体均一化チャンネルの吸気端が第1の流体均一化キャビティを介して第1の中心チャンネル(041)の排気端に接続され、第1の流体均一化チャンネルの排気端が複数であり、且つ噴気面(A)上に均等に分布しており、第2の流体均一化チャンネルの吸気端が第2の流体均一化キャビティを介して第2の中心チャンネル(043)の排気端に接続され、第2の流体均一化チャンネルの排気端が複数であり、且つ噴気面(A)に均等に分布している。該チャンバ吸気構造は、ガスがチャンバに入る前に混合し且つ反応することを回避するとともに、チャンバのガス分布の偏りの発生を回避することができ、且つガスの均一性を確保できる。

    半導体発光素子
    3.
    发明专利
    半導体発光素子 审中-公开

    公开(公告)号：JP2022002264A

    公开(公告)日：2022-01-06

    申请号：JP2020106772

    申请日：2020-06-22

    Applicant: 日機装株式会社

    Inventor： 松倉 勇介 ,  稲津 哲彦 ,  ペルノ シリル

    IPC: C30B29/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/22

    Abstract: 【課題】発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】半導体発光素子1は、サファイア基板10と、このサファイア基板10上の結晶成長面10a上に形成されたn型半導体層、深紫外光を出射する発光層13及びp型半導体層14を含む半導体積層構造体と、を備える半導体発光素子1であって、サファイア基板10は、結晶成長面10aから厚み方向の内側に向かって開口寸法が徐々に小さくなる形状の複数の凹部2を結晶成長面10aに含み、複数の凹部2は、底面2aと、この該底面2aに対して第1のテーパ角θ 1 で傾斜する第1の内周面21aと、により形成された第1の穴部21と、この第1の穴部21と半導体積層構造体側で連通し、底面2aに対して第2のテーパ角θ 2 で傾斜する第2の内周面22aにより形成された第2の穴部22と、により構成されている。 【選択図】図2

    寿命が延長された閉じ込めリング
    4.
    发明专利
    寿命が延長された閉じ込めリング 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021536671A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2021510862

    申请日：2019-08-22

    Applicant: ラム リサーチ コーポレーション ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    Inventor： カンニフ・ジャスティン・チャールズ

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065

    Abstract: 【課題】 【解決手段】 基板処理システム用の閉じ込めリングが、閉じ込めリング内でプラズマ領域を画定する下部壁、外部壁部、および上部壁を含む。第1の複数のスロットが下部壁内に形成されている。第1の複数のスロットは、閉じ込めリング内のプラズマ領域と閉じ込めリングの外部の環境との間の流体連通を提供する。下部壁の下面に凹部が画定されている。下面の凹部内に下部リングが配置されている。下部リングは、閉じ込めリング内のプラズマ領域と閉じ込めリングの外部の環境との間の流体連通を第1の複数のスロットを介して提供する第2の複数のスロットを含む。 【選択図】図3A

    発光素子
    5.
    发明专利
    発光素子 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021197533A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020105434

    申请日：2020-06-18

    Applicant: 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

    Inventor： 永田 賢吾 ,  片岡 恵太 ,  成田 哲生 ,  近藤 嘉代

    IPC: H01L33/32 ,  H01L33/14 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/04

    Abstract: 【課題】トンネル接合を利用した深紫外光を発する発光素子であって、トンネル接合を形成するn型層とp型層による光の吸収が抑えられた発光素子を提供する。 【解決手段】本発明の一態様として、AlGaNからなる第1のn型コンタクト層12と、第1のn型コンタクト層12の上の、深紫外光を発する発光層13と、発光層13の上の、AlGaNからなるp型層15と、p型層15の上の、p型層15にトンネル接合する、フェルミ準位と伝導帯が縮退した、AlGaNからなる第2のn型コンタクト層16と、第1のn型コンタクト層12に接続されたn電極18と、第2のn型コンタクト層16に接続されたp電極17と、を備え、第2のn型コンタクト層16のAl組成が、40%以上、70%以下の範囲内にある、発光素子を提供する。 【選択図】図1

    発光素子及びその製造方法
    6.
    发明专利
    発光素子及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021197531A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020105432

    申请日：2020-06-18

    Applicant: 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

    Inventor： 永田 賢吾 ,  齋藤 義樹 ,  片岡 恵太 ,  成田 哲生 ,  近藤 嘉代

    IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C30B25/16 ,  H01L33/04

    Abstract: 【課題】フェルミ準位と伝導帯の縮退により電気抵抗が効果的に低減した、SiをドーパントとするAlGaNからなるn型コンタクト層を有する発光素子、及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の一態様として、フェルミ準位と伝導帯が縮退した、AlGaNからなるn型コンタクト層12と、n型コンタクト層12に積層された、AlGaNからなる発光層13と、を備え、n型コンタクト層12のAl組成が、発光層13のAl組成よりも10%以上大きく、かつ70%以下であり、n型コンタクト層12が、前記縮退が生じる濃度であって、かつ4.0×10 19 cm −3 以下の濃度のSiを含む、発光素子1を提供する。 【選択図】図1

    垂直共振器型発光素子
    7.
    发明专利
    垂直共振器型発光素子 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021197437A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020102539

    申请日：2020-06-12

    Applicant: スタンレー電気株式会社

    Inventor： 倉本 大

    IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01S5/183

    Abstract: 【課題】長期通電中において駆動電圧の上昇を抑制し、長寿命な垂直共振器型発光素子を提供する。 【解決手段】面発光レーザ10は、窒化ガリウム系半導体の基板11と、基板上の第1の多層膜反射鏡13と、第1の多層膜反射鏡上のn型半導体層17、n型半導体層上の活性層19、及び活性層上のp型半導体層21を含む半導体構造層15と、p型半導体層の上面の、p型半導体層の1の領域においてに電気的に接触しており且つ、第1の領域以外の第1の領域を囲繞する他の領域においてp型半導体層と絶縁されている透光電極層と、他の領域の上方の透光電極層の上面の金属導電体層と、透光電極層上に1の領域を覆うように形成され、第1の多層膜反射鏡との間で共振器を構成する第2の多層膜反射鏡29と、を有し、半導体構造層の上面の、他の領域には段差が形成されており、金属導体層は、段差上において透光電極層を覆うように形成されている。 【選択図】図1

    窒化物半導体発光素子の製造方法
    9.
    发明专利
    窒化物半導体発光素子の製造方法 有权

    公开(公告)号：JP2021193726A

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：JP2021053362

    申请日：2021-03-26

    Applicant: 日機装株式会社

    Inventor： ▲高▼尾 一史 ,  松倉 勇介

    IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L33/12

    Abstract: 【課題】多重量子井戸構造の活性層を備える窒化物半導体発光素子の発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法は、サセプタにセットされた基板上に、バッファ層を成長させるバッファ層成長工程S6と、バッファ層上に、n型半導体層を成長させるn型半導体層成長工程S7と、n型半導体層上に、多重量子井戸構造を有する活性層を成長させる活性層成長工程S8と、を有する。バッファ層成長工程S6では、サセプタ上の基板がセットされる載置面以外の位置に所定厚さ範囲内の厚さを備える堆積物を堆積させた状態にて、バッファ層を成長させる。所定厚さ範囲は、12μm以上230μm以下を満たす範囲である。 【選択図】図3

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