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公开(公告)号：JP6977100B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2020072339
申请日：2020-04-14
发明人： チャールズ・ロバート・ロッツ
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/302
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公开(公告)号：JP2021158142A
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2020054333
申请日：2020-03-25
申请人： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065
摘要： 【課題】基板上に形成された結晶状膜に対してエッチングレートを向上させる。 【解決手段】基板上に形成された結晶状膜に対して、(1)ホウ素含有ガスを供給する工程と、(2)ハロゲン化物ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数実行することにより、結晶状膜をエッチングする工程を有する技術を提供する。 【選択図】図6
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公开(公告)号：JP2021526310A
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2020565785
申请日：2019-04-17
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/30 , H01L21/302
摘要： 本明細書で説明される実施形態は、基板上に種々の傾斜角を有する格子を形成し、連続する基板上に種々の傾斜角を有する格子を形成する方法に関する。該方法は、プラテン上に保持された基板の部分をイオンビームの経路内に位置決めすることを含む。該基板は、その上に配置された格子材料を有する。イオンビームは、基板の面法線に対してイオンビーム角θで格子材料と接触し、格子材料内に格子を形成するように構成されている。該基板は、プラテンの軸の周りで回転され、イオンビームと格子の表面法線との間に回転角φがもたらされる。格子は、基板の面法線に対してθ'の傾斜角を有する。回転角φは、式φ=cos -1 (tan(θ')/tan(θ))によって選択される。 【選択図】図2A
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公开(公告)号：JP2021525459A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020567118
申请日：2019-03-21
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 非プラズマエッチング方法であって、それは以下のステップS1を含み、S1、反応チャンバー内にエッチングガス及び触媒ガスを含むガス混合物を注入することで、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をエッチングし、ここで、エッチングガスは二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をエッチングすることに用いられ、触媒ガスはエッチング速度を向上させることに用いられ、ガス混合物中の各ガス成分の流量比は所要の二酸化ケイ素/窒化ケイ素のエッチング選択比に応じて決定される。該非プラズマエッチング方法は、二酸化ケイ素/窒化ケイ素のエッチング選択比を広範囲にわたって効果的に調整でき、それにより異なる応用の要件を満たし、プロセスの複雑性及び機器のコストを低減させることができるだけでなく、プラズマ損傷及び微細構造の粘着の発生を回避することができる。
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公开(公告)号：JP2021522689A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020561022
申请日：2019-05-01
发明人： ヘクデ 、サルパンガラ、エイチ. , リー、ビンセント
IPC分类号： H01J37/305 , H01L21/302
摘要： 本開示は、走査イオン・ビーム・エッチング・プロセスで非対称のスキャン速度を調整して、ウェーハ全体にわたるエッチングの全体的な均一性を維持しながら、ウェーハ上のデバイス構造体の基板内側面と基板外側面との間のエッチングの非対称性を補正する方法を提供する。
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公开(公告)号：JP2021516445A
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：JP2020544652
申请日：2019-01-25
发明人： ウォレス, ジェイ アール. , ラッフェル, シモン , アングリン, ケヴィン , ロックウェル, タイラー , キャンベル, クリストファー , ダニエルズ, ケヴィン エム. , ヘルテル, リチャード ジェー.
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/302
摘要： 基板アセンブリは、第1の材料を含み、第1の開孔を画定する外側ハローを含み得る。基板アセンブリはまた、第2の材料を含み、第1の開孔内に少なくとも部分的に配置されたハローリングを含み得る。ハローリングは、第1の開孔内に同心状に配置された第2の開孔を画定することができ、ハローリングは、内部に基板を収容するように連結される。 【選択図】図1A
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公开(公告)号：JP2021096397A
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：JP2019228507
申请日：2019-12-18
申请人： 凸版印刷株式会社
摘要： 【課題】薄膜吸収膜に用いられる材料がEUV光に対する消衰係数kが大きい場合であっても、電子線修正エッチングに要する時間を短縮することが可能な反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクの修正手法を提供する。 【解決手段】本実施形態に係る反射型フォトマスクブランク10は、基板1と、多層反射膜2と、キャッピング層3と、低反射部5と、を有し、低反射部5は、吸収膜Aと吸収膜Bとを交互に積層したものであり、吸収膜Aの電子線修正時における修正エッチングレートは、吸収膜Bの電子線修正時における修正エッチングレートよりも大きく、吸収膜Bは、錫、インジウム、プラチナ、ニッケル、テルル、銀、及びコバルトから選ばれる1種以上の元素を含有している。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021089973A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2019219595
申请日：2019-12-04
申请人： 株式会社SCREENホールディングス
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 【課題】パターンが倒壊する可能性を低減できるエッチング方法を提供する。 【解決手段】エッチング方法は、基板に形成されたエッチング対象膜を水蒸気およびフッ化水素ガスでエッチングするエッチング方法である。当該エッチング方法は基板載置工程S2と水蒸気供給工程S6とHFガス供給工程S7とを備える。基板載置工程S2では、基板をチャンバ内に載置する。水蒸気供給工程では、チャンバ内に水蒸気を供給する。HFガス供給工程S7では、チャンバ内にフッ化水素ガスを供給する。水蒸気供給工程S6において、基板の表面における水蒸気の圧力が飽和水蒸気圧未満となるように水蒸気の流量を制御する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2021088733A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2019218109
申请日：2019-12-02
申请人： キヤノントッキ株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/302 , H01L21/28 , C23C14/48
摘要： 【課題】凸部と凹部が形成された基板表面に薄膜を形成する際に、凹凸表面形状を保ちながら所定の膜厚で表面を被覆することのできる成膜方法及び成膜装置を提供する。 【解決手段】表面側に直線状の凸部と凹部が交互に形成された基板10の表面上に薄膜を形成する成膜方法であって、基板10の表面上に膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程により形成された膜に対して、エッチング用ビームを照射してエッチングを行うエッチング工程と、を含み、前記成膜工程における成膜材料を基板10に対して照射する方向と、前記エッチング用ビームを基板10に対して照射する方向は、基板10を保持する保持部材による保持面の法線に対して傾斜しており、かつ両者の入射角度が略同一となるように設定されていることを特徴とする。 【選択図】図1
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