公开(公告)号：KR1020140005179A

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：KR1020137015416

申请日：2012-01-06

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 고토켄고 ,  호소에아키히사 ,  오쿠노카즈키 ,  오타하지메 ,  기무라코우타로우

IPC分类号： C25D7/00 ,  C22C1/08 ,  C25D1/08 ,  C25D3/66

CPC分类号： C25D3/665 ,  B22F3/1137 ,  B22F3/1143 ,  C25D1/003 ,  C25D5/56

摘要： 3차원 그물코 구조를 갖는 다공질 수지 성형체라도, 그 표면으로의 알루미늄의 도금을 가능하게 하고, 두꺼운 막을 균일하게 형성함으로써 순도가 높은 알루미늄 구조체를 형성한다. 적어도 표면이 도전화된, 3차원 그물코 구조를 갖는 수지 다공체에, 알루미늄을 용융염욕 중에서 도금하는 공정을 갖는 알루미늄 구조체의 제조 방법으로서, 상기 용융염은 염화 알루미늄과 유기염과의 혼합염이며, 상기 용융염욕의 온도를 45℃ 이상 100℃ 이하로 하여 도금하는, 알루미늄 구조체의 제조 방법이다. 상기 용융염욕 중에는, 추가로 1,10-페난트롤린을 0.25g/l 이상 7g/l 이하의 농도로 함유하면 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020130143608A

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：KR1020137015809

申请日：2011-11-07

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠

发明人： 닛타고지 ,  이나자와신지 ,  마지마마사토시 ,  야마구치아츠시 ,  사카이쇼이치로 ,  후쿠나가아츠시 ,  하기와라리카 ,  노히라도시유키 ,  마츠모토가즈히코

IPC分类号： H01M10/39 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/054 ,  H01M4/485

CPC分类号： H01M10/399 ,  H01M2300/0048

摘要： 용융염 전지의 세퍼레이터(3)에는 전해질로서 작용하는 용융염이 함침되어 있다. 용융염은 양이온으로서 나트륨 이온에 더하여 4급 암모늄 이온, 이미다졸륨 이온, 이미다졸리늄 이온, 피리디늄 이온, 피롤리디늄 이온, 피페리디늄 이온, 모르폴리늄 이온, 포스포늄 이온, 피페라지늄 이온 및 설포늄 이온에서 선택되는 적어도 1종의 이온을 포함한다. 이들 양이온은 양극(1)에 악영향을 미치지 않는다. 또한, 나트륨 이온 및 상기 언급한 양이온을 포함하는 용융염의 융점은 나트륨-황 전지의 동작 온도인 280~360℃보다 상당히 낮아진다. 결과적으로, 용융염 전지는 나트륨-황 전지보다 저온에서 동작 가능하다.

公开(公告)号：KR1020130143050A

公开(公告)日：2013-12-30

申请号：KR1020137011789

申请日：2012-02-13

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  도야마 스미토모 덴코우 가부시키가이샤

发明人： 호소에아키히사 ,  오쿠노카즈키 ,  오타하지메 ,  기무라코우타로우 ,  고토켄고 ,  사카이다히데아키 ,  니시무라준이치

IPC分类号： H01M4/66 ,  H01M4/13 ,  H01M10/05 ,  H01G11/22

CPC分类号： H01G11/70 ,  C22C1/08 ,  C22C21/00 ,  C25D3/665 ,  H01G11/06 ,  H01G11/28 ,  H01M4/661 ,  H01M4/80 ,  H01M10/05 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/12479

摘要： 본 발명은, 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체의 셀 지름이 두께 방향으로 균일하지 않은 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체 및 당해 알루미늄 다공체를 이용한 집전체, 전극, 그리고 그의 제조 방법을 제공한다. 즉, 이러한 집전체용의 시트 형상의 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체는, 당해 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체의 셀 지름이 두께 방향으로 균일하지 않다. 특히, 상기 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체의 두께 방향의 단면을, 영역 1, 영역 2, 영역 3으로 이 순서로 3분할했을 때, 영역 1과 영역 3의 평균의 셀 지름과, 영역 2의 셀 지름이 상이한 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020130141341A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020127026781

申请日：2012-01-27

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 마스다다케요시 ,  히요시도루 ,  와다게이지

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/66734

摘要： A silicon carbide layer is epitaxially formed on a main surface of a substrate. The silicon carbide layer is provided with a trench having a side wall inclined relative to the main surface. The side wall has an off angle of not less than 50° and not more than 65° relative to a {0001} plane. A gate insulating film is provided on the side wall of the silicon carbide layer. The silicon carbide layer includes: a body region having a first conductivity type and facing a gate electrode with the gate insulating film being interposed therebetween; and a pair of regions separated from each other by the body region and having a second conductivity type. The body region has an impurity density of 5×1016 cm−3 or greater. This allows for an increased degree of freedom in setting a threshold voltage while suppressing decrease of channel mobility.

公开(公告)号：KR1020130141338A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020127015391

申请日：2011-08-09

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 오오이나오키 ,  시오미히로무

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： 마스크층(31)에 형성된 제1 개구부를 경유한 이온 주입에 의해서 제1 불순물 영역(123)이 형성된다. 마스크층(31)이 마련된 에칭 스톱층상에 스페이서층(32)을 퇴적함으로써, 마스크층(31) 및 스페이서층(32)을 갖는 마스크부(30)가 형성된다. 스페이서층(32)을 이방적으로 에칭함으로써, 마스크부(30)에, 제2 측벽에 의해서 둘러싸인 제2 개구부(P2)가 형성된다. 제2 개구부(P2)를 경유한 이온 주입에 의해서 제2 불순물 영역(124)이 형성된다. 제2 측벽은, 제2 깊이(D2)와 동일한 높이(HT)에 걸쳐서, 표면(SO)에 대한 각도(AW)가 90°±10°이다. 이에 따라, 불순물 영역의 확대 정밀도를 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130139738A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020127017416

申请日：2011-11-15

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 오오이나오키 ,  시오미히로무

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0465 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/66712

摘要： A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device (100) includes the step of forming a mask pattern of a silicon oxide film (31) by removing a portion of the silicon oxide film (31) by means of etching employing a gas containing oxygen gas and at least one fluorine compound gas selected from a group consisting of CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , and SF 6 .

公开(公告)号：KR101344170B1

公开(公告)日：2013-12-20

申请号：KR1020127015326

申请日：2010-12-13

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 모리구치히데키 ,  우츠미요시하루 ,  미야자키히로카

IPC分类号： B23K20/12 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

CPC分类号： B23K20/1245 ,  B23K20/1255 ,  B23K2201/20 ,  B23K2203/04 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005

摘要： 본발명은, 접합시에피접합재의승온을촉진시켜, 단시간에마찰교반접합을할 수있고, 피복층(3)이단열성이우수하며, 또한내산화성및 내마모성이우수한마찰교반접합용툴(1)을제공하는것을목적으로한다. 본발명의마찰교반접합용툴(1)은, 기재(2)와, 이기재(2) 상에형성된피복층(3)을포함하는마찰교반접합용툴(1)로서, 피복층(3)은, 1 이상의층으로이루어지고, 또한그 중의 1층이상이 5000 J/s·㎡·K 이하의열침투율을갖는것을특징으로한다.

摘要翻译： 提供了一种用于摩擦搅拌焊接的工具（1），其能够在接合期间促进待接合的材料的温度升高以在短时间内实现摩擦搅拌焊接，涂层（3）的隔热性能优异， ，耐氧化性和耐磨性优异。 根据本发明的用于摩擦搅拌焊接的工具（1）是用于摩擦搅拌焊接的工具（1），其包括形成在基材（2）上的基材（2）和涂层（3），其中涂层 层（3）由一层或多层形成，并且至少一层涂层（3）的热导率为5000J / s，0.5€¢m 2¢K以下。

公开(公告)号：KR1020130135725A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020127024090

申请日：2011-11-07

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 구보타료스케 ,  와다게이지 ,  마스다다케요시 ,  시오미히로무

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： 표면을 갖는 탄화규소 기판이 준비된다. 표면으로부터 탄화규소 기판 내로 이온 주입을 행함으로써 불순물 영역(123∼125)이 형성된다. 불순물 영역을 활성화하기 위한 어닐링이 행해진다. 어닐링은, 탄화규소 기판의 표면으로 제1 파장을 갖는 제1 레이저광을 조사하는 공정과, 탄화규소 기판의 표면으로 제2 파장을 갖는 제2 레이저광을 조사하는 공정을 포함한다. 탄화규소 기판은 제1 및 제2 파장의 각각에 있어서 제1 및 제2 감쇠 계수를 갖는다. 제1 파장에 대한 제1 감쇠 계수의 비는 5×10
5 /m보다 크다. 제2 파장에 대한 제2 감쇠 계수의 비는 5×10
5 /m보다 작다. 이에 따라 레이저 어닐링에서의 탄화규소 기판의 표면으로의 손상을 작게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101340822B1

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020070008201

申请日：2007-01-26

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 다나카노리코

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B25/20 ,  C30B29/40 ,  G01B11/30 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30617 ,  H01L33/0075

摘要： 본 GaN 결정 기판(10)은 결정 성장면(10c)의 반대측 면인 이면(10r)의 휘어짐(w
(R) )이 -50 ㎛ ≤ w
(R) ≤ 50 ㎛이며, 이면(l0r)의 면 거칠기(Ra
(R) )를 Ra
(R) ≤ 10 ㎛, 이면(1Or)의 면 거칠기(Ry
(R) )를 Ry
(R) ≤ 75 ㎛로 할 수 있다. 또한, 본 반도체 장치(99)의 제조 방법은 기판으로서 상기 GaN 결정 기판(10)을 준비하며, 이 GaN 결정 기판(10)의 결정 성장면(10c)측에 적어도 1층의 III족 질화물 결정층(20)을 성장시키는 공정을 포함한다. 이에 따라, 결정 성장면 상에 결정성이 좋은 반도체층을 성장시키는 것이 가능한, 이면의 휘어짐이 작은 GaN 결정 기판 및 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020130122734A

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：KR1020137009655

申请日：2011-10-25

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤

发明人： 와타나베아사코 ,  마에다도루 ,  우에노도모유키 ,  이시미네도모유키

IPC分类号： H01F1/33 ,  B22F1/02 ,  B22F3/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/26 ,  H01F41/02

CPC分类号： H01F1/20 ,  B22F1/02 ,  B22F3/16 ,  B22F3/24 ,  B22F9/082 ,  B22F2003/248 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/02 ,  C22C38/06 ,  H01F1/24 ,  H01F1/26 ,  H01F1/28 ,  H01F17/062 ,  H01F27/255 ,  H01F41/0246

摘要： Provided are a soft magnetic powder for obtaining a dust core having a low iron loss, the dust core, and a method for producing a dust core. The present invention relates to a soft magnetic powder including a plurality of soft magnetic particles, each having an insulating layer. The Vickers hardness HV0.1 of a material constituting the soft magnetic particles is 300 or more, and the insulating layer contains Si, O, and at least one of an alkali metal and Mg. As long as the soft magnetic powder has such features, a material having a high electric resistance, such as an iron-based alloy, can be used. The eddy current loss can be reduced, and it is possible to effectively obtain a dust core having a low iron loss.