公开(公告)号：KR101922289B1

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：KR1020150166793

申请日：2015-11-26

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 강동헌 ,  김정희 ,  최정민 ,  유용식

IPC: C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 본발명은철 성분을포함하는산화제; 1개의카르복시기를갖는유기산; 및물로이루어진 CMP 슬러리조성물및 이를이용한유기막연마방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101904597B1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：KR1020160017731

申请日：2016-02-16

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 카오완이 ,  수쾅위안

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02312 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/306 ,  H01L29/66795

Abstract: 2개의상이한물질들위에생길수 있는물질의퇴적공정을변경시키는처리, 구조체및 시스템이제공된다. 일실시예에서, 물질중 하나의퇴적속도를물질중 제2 물질의퇴적속도에따라더 많이변경시키는처리에의해퇴적속도가조정될수 있다. 또한, 퇴적속도는물질중 제2 물질위보다도물질중 제1 물질위에더 선택적으로퇴적되도록허용하기위해서로다르게변경될수 있다.

公开(公告)号：KR101904322B1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：KR1020170010401

申请日：2017-01-23

Applicant: 에스케이씨 주식회사

Inventor： 류준성 ,  권태경 ,  서장원 ,  윤성훈

IPC: B24D18/00 ,  B24B37/22 ,  B24B37/20

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26 ,  B24B57/02 ,  B24D18/00 ,  H01L21/306

Abstract: 실시예는제1관통홀이형성된연마층; 제2관통홀이형성된지지층; 제3관통홀이형성되고상기연마층과상기지지층사이에개재된접착층; 및상기제1관통홀내에삽입된윈도우;를포함하는연마패드의제조방법이개시된다.

公开(公告)号：KR101901781B1

公开(公告)日：2018-10-01

申请号：KR1020140056645

申请日：2014-05-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이의형 ,  이동현 ,  김진형 ,  원제형 ,  이상현 ,  최진호

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/08

CPC classification number: H01L21/306 ,  C25D17/001 ,  C25D21/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/26

Abstract: 기판처리장치및 기판처리방법이제공된다. 기판처리장치는, 제 1 및제 2 소스의처리용액으로기판처리공정을수행하는기판처리부와, 상기제 1 및상기제 2 소스를상기기판처리부에제공하는소스공급부와, 상기처리용액내의상기제 2 소스의농도또는상기처리용액의 PH를검출하고, 표준용액으로상기제 2 소스의측정기준값을교정하는분석기들과, 상기소스공급부로부터상기제 1 및상기제 2 소스를제공받아상기표준용액을제조하고상기표준용액을상기분석기에제공하는표준용액공급부를포함한다.

公开(公告)号：KR1020180086806A

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：KR1020170010707

申请日：2017-01-23

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 김진교 ,  장동수 ,  주미연 ,  김화섭 ,  김동회

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311

Abstract: 본발명은질화갈륨기판제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른질화갈륨기판제조방법은성장기판상에적어도하나의윈도우영역및 돌출영역을포함하는마스크패턴을형성하는단계; 상기성장기판상에질화갈륨(GaN; gallium nitride)을에피택셜측면오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성질화갈륨및 Ga-극성질화갈륨을포함하는질화갈륨을형성하는단계; 상기 N-극성질화갈륨을선택적으로식각하는단계; 및상기마스크패턴을제거하는단계를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR20180067408A

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：KR20170139864

申请日：2017-10-26

Applicant: MITSUBISHI ELECTRIC CORP

Inventor： TANAKA HIROSHI

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/306 ,  H01L22/26

Abstract: 본발명은에칭후의피에칭재의목표두께와, 실제로에칭후에얻어지는피에칭재의두께의대표값인처리후대표값의사이에서생기는오차를억제할수 있는반도체장치의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 반도체웨이퍼또는해당반도체웨이퍼에형성된막을피에칭재로하여, 해당피에칭재의종점검출위치의두께인로컬두께를산출하고, 해당로컬두께로부터미리정해진상대에칭량을감산함으로써, 로컬타겟두께를결정하는타겟설정공정과, 해당종점검출위치의두께를모니터링하면서, 해당피에칭재를에칭하고, 해당종점검출위치의해당피에칭재의두께가해당로컬타겟두께이하로되었다고판정하면, 에칭을종료하는에칭공정을구비한다.

公开(公告)号：KR20180053972A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：KR20160151203

申请日：2016-11-14

Applicant: SK SILTRON CO LTD

Inventor： LEE YONG DAE ,  KIM SOO JIN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L23/00

Abstract: 웨이퍼의노치부를연마하는노치연마패드를드레싱하는실시예에의한노치연마패드드레싱장치는, 몸체와, 몸체의상부에배치되며금속물질을포함하는본딩층과, 본딩층의표면에코팅되는코팅층및 본딩층에의해몸체에고착되며코팅층의상부면으로부터돌출되고, 노치연마패드와접착하여노치연마패드를드레싱하는절삭재를포함한다.

公开(公告)号：KR20180053656A

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：KR20187006587

申请日：2016-09-15

Applicant: NISSAN CHEMICAL IND LTD

Inventor： HASHIMOTO KEISUKE ,  SOMEYA YASUNOBU ,  KISHIOKA TAKAHIRO ,  SAKAMOTO RIKIMARU

IPC: H01L21/306 ,  C03C15/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L31/0236 ,  H01L33/22 ,  H01L51/50

CPC classification number: C03C15/00 ,  H01L21/306 ,  H01L33/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  Y02E10/549

Abstract: [과제] 기판표면의조화방법을제공한다. [해결수단] 본발명의표면조화방법은, 기판의표면상에무기입자(a1)와유기수지(a2)를포함하는조성물(a3)을도포하고, 이어서건조와경화를이루어유기수지층(A)을이 기판상에형성하는제1 공정, 유기수지층(A)이형성된기판을불화수소, 과산화수소또는산을포함하는용액으로에칭함으로써이 기판의표면을조화하는제2 공정을포함하는방법이다. 특히호적한태양에있어서, 에칭이불화수소와불화암모늄, 또는과산화수소와암모늄을포함하는용액으로행해지고, 유기수지층(A)이, 유기수지(a2) 100질량부에대하여무기입자(a1) 5~50질량부의비율로함유하고, 조성물(a3)이무기입자(a1)로서실리카또는산화티타늄이유기용제에분산된실리카졸또는산화티타늄졸과유기수지(a2)의용액의혼합물을이용한다. 본방법은 LED의광취출층또는태양전지의저반사유리에적용된다.

公开(公告)号：KR20180043477A

公开(公告)日：2018-04-30

申请号：KR20160136179

申请日：2016-10-20

Applicant: 광운대학교 산학협력단

Inventor： PARK BYOUNG CHOO

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L21/32125 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/306 ,  H01L29/1606

Abstract: 본발명의목적은그래핀소자의그래핀표면의잔여물을제거하는방법을제공하는것이다. 구체적으로, 그래핀을사용하여소자를제작하는경우, 그래핀소자를전기화학처리하는단계를포함한다. 그래핀소자제조시에전기화학처리방식을적용하여짧은시간동안에그래핀소자의그래핀상에형성된잔여불순물등을효과적으로제거할수 있다.

公开(公告)号：KR20180037296A

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：KR20187008890

申请日：2016-09-13

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 기판처리방법은, 수평자세로유지된기판을, 처리액을사용하여처리하는기판처리방법으로서, 상기기판의상면에부착되어있는처리액을, 당해처리액보다표면장력이낮은저표면장력액체로치환하는치환공정을포함하고, 상기치환공정은, 상기기판의상방에배치되어있는제 1 저표면장력액체노즐로부터상기상면중앙부를향하여상기저표면장력액체를토출하는중앙부토출공정과, 상기중앙부토출공정과병행하여, 상기상면을따라흐르는기류를형성하기위해, 상기기판의상방에불활성가스를공급하는불활성가스공급공정과, 상기중앙부토출공정및 상기불활성가스공급공정과병행하여, 상기기판의상방에배치되어있는제 2 저표면장력액체노즐로부터상기상면주연부를향하여상기저표면장력액체를토출하는주연부토출공급공정을실행한다.