公开(公告)号：KR101101192B1

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：KR1020040067373

申请日：2004-08-26

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 심준범

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L21/76838

摘要： 본 발명은 반도체 소자의 콘택 저항을 감소시키는 금속 배선을 형성한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 반도체 기판 상에 하부 금속 배선을 형성하고, 절연층을 증착하며, 절연층 내에 콘택홀 및 콘택 전극을 형성한 후에 상부 금속 배선을 형성하는 종래 방법과는 달리, 반도체 기판 상에 금속층을 형성하고, 금속층의 상부 표면을 에칭하여 홈을 형성하며, 홈보다 넓게 금속층을 에칭하여 실린더형 하부 금속 배선을 형성한 후에, 실린더형 하부 금속 배선이 있는 반도체 기판 상부 전면에 절연층을 형성하고, 절연층을 에칭하여 홈이 있는 실린더형 하부 금속 배선의 상부면이 드러나는 콘택홀을 형성하며, 콘택홀에 매립된 콘택 전극과 절연층 상부에 콘택 전극과 연결되는 상부 금속 배선을 형성함으로써, 반도체 소자의 콘택을 넓게 형성하여 낮은 콘택 저항을 제공하고, 반도체 소자의 신뢰도를 증진시킬 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR101056201B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020040058560

申请日：2004-07-27

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 송상수

IPC分类号： H01L27/04

摘要： 본 발명은 정전방전으로부터 손상을 방지하기 위한 반도체소자에 관한 것으로, 정전방전에 노출되어 내부회로가 손상받는 것을 방지하기 위한 반도체소자로 종래 사다리 구조로 된 것을 사각형상의 구조로 개선하여 종래보다 적은 면적만을 차지하면서도 증진된 효과를 나타낸다.
이를 실현하기 위한 본 발명은, 내부회로를 보호하기 위해 정전방전시 이를 접지라인으로 방출시키는 역할을 수행하며, p형 또는 n형 불순물이 주입된 반도체 기판상에 형성되되 정전방전으로 발생된 전하가 유입·유출되는 소오스영역과 드레인영역 및 상기 소오스영역과 드레인영역간 전하의 흐름을 제어하는 게이트영역으로 이루어진 정전방전보호를 위한 반도체소자에 있어서, 상기 소오스영역은 전체영역를 동일하게 구분하여 형성된 다수 구역의 각 중심부에 형성되고, 상기 게이트영역은 상기 각 구역별로 형성된 소오스영역을 둘러싸도록 형성되며, 상기 드레인영역은 상기 게이트영역을 둘러싸도록 전체영역의 중심부와 테두리에 걸쳐 형성된 것을 특징으로 한다.
정전방전(ElectroStatic Discharge; ESD), 반도체기판, 소오스, 게이트, 드레인, 살리사이드, 접지라인

摘要翻译： 本发明涉及一种半导体器件，用于防止静电放电的损坏，并改善传统的梯形结构作为用于防止暴露于静电放电以接收一个内部电路的半导体装置的成本被损坏，在正方形比常规面积更小的结构 但展现增强的效果。

公开(公告)号：KR101052378B1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：KR1020040118169

申请日：2004-12-31

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 차성환

IPC分类号： H01L21/027

摘要： 본 발명은 에어홀더를 구비한 반도체 노광장치 및 그 방법에 관한 것으로, 웨이퍼가 안착되는 면에 진공홀과 송풍홀이 형성된 홀더, 상기 홀더의 하부에서 초점을 맞추기 위해 웨이퍼를 X축과 Y축 방향으로 정렬하기 위한 X스테이지와 Y스테이지를 포함하여 이루어진 반도체 노광장치에 있어서, 상기 홀더는 진공홀과 송풍홀이 수직방향과 수평방향으로 교대로 다수개 배열되어 격자 형상으로 이루어지고; 상기 진공홀과 송풍홀에 공급되는 공기압을 제어하기 위한 홀더공압제어부를 포함하여 이루어진 것; 을 특징으로 함으로써, 파티클로 인한 비정상적인 패턴 형성을 방지하여 반도체 생산수율을 향상시키는 한편, Z스테이지라는 웨이퍼 스테이지 상하구동부를 없앰으로써 공간을 효율적으로 활용할 수 있는 에어홀더를 구비한 반도체 노광장치 및 그 방법에 관한 것이다.
노광, 진공, 스테이지, 홀더

公开(公告)号：KR101045548B1

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：KR1020040060196

申请日：2004-07-30

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 조보연

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： 본 발명은 반도체 소자의 셸로우 트렌치 소자분리막 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상부에 패드 산화막 및 하드마스크인 실리콘 질화막이 형성되고 산화막과 실리콘 질화막 상부에 모트 패턴을 형성하고 모트 패턴으로 패드 산화막과 하드마스크 일부를 식각하여 실리콘 질화막을 오픈시키는 셸로우 트렌치 소자분리막 제조 방법으로서, 소자분리막을 형성하기 위해 사용되었던 모트 패턴을 제거하기 위하여 애슁 처리하는 단계를 포함하되, 애슁 처리 단계는 압력, 전력, 가스, 온도, 시간 변수가 각각 적용되는 다수의 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상술한 바와 같은 애슁 조건으로 후속 처리를 함에 따라 반도체 STI 구조를 형성하는 일련의 공정 과정에서 발생될 수 있는 Si 노쥴 형성을 억제할 수 있는 바, 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
트렌치, 소자분리, CMP

摘要翻译： 在衬底上形成衬垫氧化膜和硬掩膜，在衬底上形成氮化硅膜，在氧化膜和氮化硅膜上形成MOSFET图案，并且形成衬垫氧化膜和硬掩膜 一种制造用于部分地蚀刻氮化硅层的低击穿沟槽元件隔离层的方法，所述方法包括灰化以去除已经用于形成器件隔离层的口腔图案， 并且分别施加温度，时间变量的多个步骤。 根据本发明，通过在如上所述的灰化条件下执行随后的处理，可以抑制在用于形成半导体STI结构的一系列处理步骤中可能发生的Si结核的形成， 有。

公开(公告)号：KR101017219B1

公开(公告)日：2011-02-28

申请号：KR1020030101984

申请日：2003-12-31

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 김태훈

IPC分类号： H01L21/265

摘要： 본 발명은 이온주입장치에서 아크챔버의 아킹검출시스템 및 아킹검출방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 부싱이 오염(contamination)되는 정도에 따라 그라운드에 접지되어진 아크 검출링(Arc detect ring)으로 유입되는 전자의 흐름에 따라 커런트를 발생하게 되고 이 커런트를 읽어 들여 모니터에 디스플레이하게 하여 디스플레이값에 따라 오염되는 정도를 알 수 있게 하고, 또한 일정한 값 이상으로 올라가게 되면 인터록콘트롤러(interlock controller)로 시그널을 보내어 추출전압(extraction voltage)을 자동적으로 드롭시킴으로써 아킹(Arcing)에 의한 데미지(damage)를 방지할 수 있는 아킹검출시스템 및 아킹검출방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명은, 파워가 걸리는 소스헤드와 플랜지부분 사이에 부싱이 설치되고, 상기 소스헤드의 앞단으로 아크챔버가 설치되는 이온주입장치에 있어서, 상기 소스헤드의 아크챔버의 앞단으로 아킹검출링이, 이 아킹검출링의 상하단으로 상기 부싱과 동일한 절연링이 각각 설치되고; 상기 아킹검출링으로 유입되는 전자흐름에 따라 커런트발생이 커런트디텍터로 검출되어 모니터에 디스플레이시켜 오염정도를 확인하게 된 것을 그 특징으로 한다.
이온주입장치, 아크챔버, 아킹검출시스템

公开(公告)号：KR101012177B1

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：KR1020030099521

申请日：2003-12-30

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 최경덕

IPC分类号： G02B21/04

摘要： 본 발명은 광학 현미경을 부착한 전자 주사 현미경으로서, 광학 현미경은, 그 챔버(40)의 내부에 웨이퍼가 로딩된다. 램프 파이버(120)(140)는 챔버(40)의 좌우측에서 소정의 빛을 발생하도록 설치된다. 제 1 램프 파이버(120)의 광이 제 2 거울(240)과 제 1 거울(220)을 통해 웨이퍼(50)에 비추어진 광은 역순으로 제 1 거울(220)및 제 2 거울(240)과, 제 3 거울(260)을 거쳐서 최소인 2.5배율의 제 1 카메라(300)로 전달되거나, 또는 제 3 거울(260)에서 반사되어 최대인 100배율의 제 3 카메라(340)로 전달되는, 한편, 제 2 램프 파이버(140)의 광은 제 4 거울(280)과 제 1 거울(220)을 통해 웨이퍼(50)에 비추어진 광은 역순으로 제 1 거울(220)및 제 4 거울(240)을 거쳐서 중간인 25배율의 제 2 카메라(320)로 전달된다.
본 발명에 따른 광학 현미경을 부착한 전자 주자 현미경은 Z축의 모터 구동방식과 렌즈의 회전기능을 제거함으로써 기계적인 구동부분을 최소화하여 장치의 소형화에 기여하고, 광학 현미경에서의 웨이퍼 이미지 정렬과 관련한 에러발생빈도를 줄일 수 있고, 고정 광학계를 채용함으로서 단순한 스테이지 구동만을 통하여 상당한 출력을 얻는 효과를 가진다.

公开(公告)号：KR101009392B1

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：KR1020040042117

申请日：2004-06-09

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 이상범

IPC分类号： G11C16/34

摘要： 본 발명은 비휘발성 메모리 소자의 문턱전압 측정 방법에 관한 것으로, 반도체 기판, 상기 반도체 기판위의 부유 게이트 및 제어 게이트, 상기 제어 게이트 양측 반도체 기판내의 소오스/드레인을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 문턱전압 측정방법에 있어서, 일정한 초기 전압을 측정하고자 하는 메모리 소자의 제어 게이트에 인가하고 드레인을 통해 흐르는 전류를 측정하는 제 1 단계와, 상기 1 단계로부터 측정된 전류와 메모리 셀의 문턱 전압에 상응하는 기준이 되는 전류의 크기를 비교하는 제 2 단계와, 상기 제 2 단계의 비교 결과 측정된 전류가 메모리 셀의 문턱 전압에 상응하는 기준이 되는 전류값보다 작으면 드레인을 통해 흐르는 전류 측정치가 기준이 되는 전류값 이상이 될 때까지 상기 제어 게이트에 인가되는 전압을 문턱전압까지 상승시키고, 상기 측정된 전류가 기준이 되는 전류값 이상이면 드레인을 통해 흐르는 전류 측정치가 기준이 되는 전류보다 작아질 때까지 제어 게이트에 인가되는 전압을 문턱전압까지 내리는 제 3 단계와, 상기 제 3 단계 종료 후 상기 제어 게이트에 인가되는 전압을 읽어 문턱 전압을 측정하는 제 4 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
비휘발성 메모리, 문턱전압

公开(公告)号：KR101005650B1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：KR1020030096696

申请日：2003-12-24

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 김철호

IPC分类号： F16K31/44

摘要： 본 발명은 메카니컬 밸브에 관한 것으로서, 배관의 내경과 동일 직경으로 제작되며, 중앙에 오링(112)을 구비하는 밸브헤드(110)와, 밸브헤드(110)의 후단에 일체로 형성되어 밸브헤드(110)를 직선 이동시키기 위한 제 1 밸브축(120)과, 제 1 밸브축(120)의 후단으로 회전가능하게 설치되며, 그 외주면에 나사산(134)과 끝단에 렌치홈(136)이 형성되는 제 2 밸브축(130)과, 제 1 밸브축(120)과 제 2 밸브축(130)을 연결하고 동력을 전달하는 축이음수단(140)을 포함한다. 따라서 회전 운동을 직선이동으로 전환시킬 수 있는 축이음수단으로 하여 메카니컬 밸브를 직선 이동시킴으로서, 오링의 배관 마찰을 최소로 줄여 파손의 원인을 방지하였으며, 오링의 마모 및 파손에 따른 배관 오염도를 크게 개선하고 장비 가동률 향상으로 생산성이 증가하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101001498B1

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020030099979

申请日：2003-12-30

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 김철균

IPC分类号： H01L21/027

摘要： 본 발명은 전자빔을 이용한 VSB 방식을 통해 마스크를 제조할 때 보다 정확하고 안정적인 수율확보가 가능하도록 빔 번짐 효과를 감소시킨 마스크 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 VSB 기술을 이용하여 반도체소자용 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 제1스텐실마스크의 제1애퍼쳐를 사각블럭형태로 형성하는 과정과; 제2스텐실마스크의 제2애퍼쳐를 도트 어레이를 갖는 격자블럭형태로 형성하는 과정과; 상기 제1,2애퍼쳐를 순차로 겹쳐 오버레이를 형성한 후 전자빔을 조사하여 블랭크 마스크에 패턴을 형성하는 과정을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따르면, 마스크 제조용 스텐실마스크의 애퍼쳐를 격자형태의 도트 어레이로 형성함으로써 전자빔의 전자상호작용을 급감시켜 빔 번짐 효과를 억제시킨 커다란 장점이 있다.
제1애퍼쳐, 제2애퍼쳐, 블랭크 마스크, VSB, 스텐실마스크, 오버레이

公开(公告)号：KR100992740B1

公开(公告)日：2010-11-05

申请号：KR1020030102001

申请日：2003-12-31

申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사

发明人： 엄경삼

IPC分类号： H01L21/027

摘要： 본 발명은 웨이퍼 에지 노광용 램프하우스의 온도조절장치 및 온도조절방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 일정한 패턴을 형성하기 위한 포토리소그라피공정 중 웨이퍼의 가장자리 부분을 노광하기 위한 웨이퍼 에지 노광공정에서 웨이퍼에 조사되는 빛을 발생시키는 램프하우스에 있어서, 상기 램프하우스가 내부에서 발생되는 빛에 의하여 과열되는 것을 방지하기 위한 종래의 냉각수단을 개선하여, 반도체 제조 설비에 청정건조공기를 공급하기 위한 라인을 분기하여 램프하우스 내부에 설치함으로써, 별도로 장비를 설치함이 없이도 효과적으로 램프하우스의 과열을 방지할 수 있는 특징이 있다.

웨이퍼, 포토리소그라피, 포토레지스트, 에지 노광, 청정건조공기(CDA, Clean Dry Air), 냉각수(PCW, Process Cooling Water)