公开(公告)号：KR102265635B1

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：KR1020177005428

申请日：2015-09-04

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 모하메드에드리스엠 ,  반아이브라힘

IPC分类号： G01V8/00 ,  H01L31/14

公开(公告)号：KR102264630B1

公开(公告)日：2021-06-14

申请号：KR1020177003846

申请日：2015-08-31

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 야마다,시게까즈

IPC分类号： G11C16/26 ,  G11C5/14 ,  G11C7/06 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30

公开(公告)号：KR1020210069612A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：KR1020210072211

申请日：2021-06-03

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 조쉬,서브하쉬 ,  잭슨,마이클제이. ,  하텐도르프,마이클엘.

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

公开(公告)号：KR102265718B1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：KR1020177002314

申请日：2014-08-29

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 슈타이거발트,요세프엠. ,  린데르트,니크

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR102262176B1

公开(公告)日：2021-06-07

申请号：KR1020177005435

申请日：2015-08-31

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 안빈에이치피터 ,  네이거길버트

IPC分类号： G06F13/24 ,  G11C7/10

公开(公告)号：KR102258503B1

公开(公告)日：2021-05-31

申请号：KR1020177004647

申请日：2014-09-25

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 마지,프라산트 ,  카르포브,엘리쟈브이. ,  무커지,닐로이 ,  필라리세티,라비 ,  샤,우다이 ,  도일,브라이언에스. ,  차우,로버트에스.

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 박막저항식메모리재료스택은, 제1 전극과박막메모리재료의계면에서높은일 함수(high work function) 금속산화물, 및제2 전극과박막메모리재료의계면에서낮은일 함수희토류금속중 적어도하나를포함한다. 높은일 함수금속산화물은, 높은온/오프전류비를위해메모리재료에비해양호한쇼트키장벽높이를제공한다. 금속산화물과스위칭산화물의호환성은개선된메모리디바이스내구성을위해산소/결손의사이클링손실을감소시킨다. 낮은일 함수희토류금속은높은산소용해도를제공하여저항식메모리재료에대한오옴접촉을제공하면서낮은형성전압요건을위한퇴적된그대로의상태에서의메모리재료내의결손생성(vacancy creation)을향상시킨다.

公开(公告)号：KR102257605B1

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：KR1020177002777

申请日：2015-07-20

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 카울리니콜라스피 ,  골드만리차드제이 ,  사라스와트루쳐

IPC分类号： G06F3/01 ,  G08B6/00

摘要： 두개 이상의조정된햅틱효과를출력하기위한디바이스는, 제1 햅틱효과를출력하기위한제1 햅틱효과생성기, 제2 햅틱효과를출력하기위한제2 햅틱효과생성기, 및프로세서로서그 프로세서에제공된입력에기초하여제2 햅틱효과생성기의동작을제1 햅틱효과생성기의동작과조정(coordinate)하기위한프로세서를포함한다.

公开(公告)号：KR102253553B1

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：KR1020177004237

申请日：2015-08-18

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 숄,카이-울리히 ,  뷔르클레,코르넬리우스 ,  나트로시빌리,코바

IPC分类号： G06T5/00 ,  G06T7/70 ,  G06T15/04 ,  G06T15/10 ,  G06T15/20 ,  B60R1/00

摘要： 사발형이미지상에이동물체를가시화하기위한기술은제1 어안카메라에의해생성되고, 제1 장면을캡처하는제1 어안이미지, 및제2 어안카메라에의해생성되고, 중복영역에서제1 장면과중복하는제2 장면을캡처하는제2 어안이미지를수신하기위한컴퓨팅디바이스를포함한다. 컴퓨팅디바이스는중복영역에서이동물체를식별하고, 가상사발형투영면상에식별된이동물체를가시화하기위해투영된중복이미지영역을변경한다. 투영된중복이미지영역은가상사발형투영면상에투영되고, 제1 및제2 어안이미지들내에캡처된중복영역에대응한다.

公开(公告)号：KR102247416B1

公开(公告)日：2021-05-03

申请号：KR1020177004828

申请日：2014-09-24

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 아브치,위거이. ,  라이오스,라파엘 ,  쿤,켈린,제이. ,  영,이안에이. ,  웨버,저스틴알.

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

摘要： 소스영역및 드레인영역을형성하기위한도핑된영역들, 및게이트영역에연결하기위한도핑되지않은영역을갖는나노와이어; 나노와이어위에형성되는제1 종단재료; 및게이트영역및 소스영역에중첩되는나노와이어의섹션위에형성되는제2 종단재료를포함하는 TFET가설명된다. 소스영역및 드레인영역을형성하기위한도핑된영역들, 및게이트영역에연결하기위한도핑되지않은영역을갖는나노와이어의제1 섹션; 제1 섹션에직교하여연장되는나노와이어의제2 섹션 - 제2 섹션은게이트영역및 소스영역에인접하여형성됨 -; 및나노와이어의제1 섹션및 제2 섹션위에형성되는종단재료를포함하는또 다른 TFET가설명된다.

公开(公告)号：KR102244098B1

公开(公告)日：2021-04-26

申请号：KR1020167022288

申请日：2014-03-25

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 니코노프,드미트리이. ,  마니파트루니,사시칸트 ,  영,이안에이.

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

摘要： 제1, 제2, 및제3 자유자기층들; 제1 및제3 자유자기층들에연결되는제1 재료의제1 금속층; 및제1 재료와상이한제2 재료의제2 금속층- 제2 금속층은제2 및제3 자유자기층들에연결됨 -을포함하는장치가설명된다. 링의자유자기층; 및자유자기층에연결되는제1, 제2, 제3 및제4 자유자기층들을포함하는 STT 다수결게이트디바이스가설명된다.