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1.유기 화합물, 유기 반도체 재료, 유기 박막 및 그의 제조 방법, 유기 반도체 조성물, 그리고 유기 반도체 디바이스 审中-实审
标题翻译: 有机化合物,有机半导体材料,有机薄膜及其制造方法,有机半导体组合物和有机半导体装置公开(公告)号:KR1020170129904A
公开(公告)日:2017-11-27
申请号:KR1020177030287
申请日:2016-03-23
申请人: 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: C07D495/04 , H01L51/00 , H01L51/05
CPC分类号: H01L51/0074 , C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/0004 , H01L51/0028 , H01L51/05 , H01L51/0508 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0566 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要: 실온에서의유기용매용해성, 용액의보존안정성및, 내열성이우수한유기화합물및 그것을함유하는유기반도체재료, 당해유기반도체재료를이용하여실온에있어서의인쇄프로세스에의해얻어진유기박막및, 당해유기박막을포함하여이루어지는높은이동도와내열성을갖는유기반도체디바이스를제공하는것을과제로한다. 하기식 (A)(식중, R및 R는어느한쪽이알킬기, 알킬기를갖는방향족탄화수소기또는알킬기를갖는복소환기를나타내고, 다른한쪽이지방족탄화수소기, 방향족탄화수소기또는복소환기를나타낸다. 단, R및 R의양자가알킬기를나타내는경우를제외한다.) 로나타나는유기화합물및 당해유기화합물을함유하는유기반도체재료를제공한다.
摘要翻译: 包括有机薄膜,并且通过在室温下的打印处理得到的有机薄膜的现有技术eseoui有机溶剂中的溶解性,贮藏稳定性,并且在室温下,使用有机半导体材料,本领域技术有机半导体材料包含有机化合物和所述溶液的耐热性 并且具有高迁移率和耐热性的有机半导体器件。 式(A)(式中,R和R是一个或另一个基团,具有芳族烃基,或具有烷基的烷基,另一个是杂环基团代表的脂族烃基,芳族烃基或杂环基团,不同的是 R和R不代表烷基)和含有有机化合物的有机半导体材料。
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公开(公告)号:KR102058770B1
公开(公告)日:2019-12-23
申请号:KR1020157007401
申请日:2013-08-22
申请人: 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: C07D495/04 , C07D493/04 , C07D517/04 , C07D333/74 , C07D333/62 , H01L51/00 , C07D495/22
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公开(公告)号:KR1020150045507A
公开(公告)日:2015-04-28
申请号:KR1020157007401
申请日:2013-08-22
申请人: 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: C07D495/04 , C07D493/04 , C07D517/04 , C07D333/74 , C07D333/62
CPC分类号: C07D495/22 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , C07D333/62 , C07D333/74
摘要: 하기일반식 (1) 로나타내는헤테로시클릭화합물로부터의하기일반식 (2) 로나타내는헤테로시클릭화합물의제조방법:[식중, X1 은할로겐원자를나타내고; Y1 및 Y2 각각은독립적으로산소원자, 황원자또는셀레늄원자를나타내고; R1 및 R2 각각은독립적으로치환기를나타내고; m 및 n 은각각치환기 R1 및 R2 의수를나타내고, m 및 n 각각은 0 - 4 의정수를나타내고; m 및 n 이 2 이상인경우, R1 및 R2 는서로와동일또는상이할수 있고, 서로연결되어임의치환고리를형성할수 있음].
摘要翻译: 从由下式(1)表示的杂环化合物制备由下式(2)表示的杂环化合物的方法:其中X 1表示卤素原子; Y 1和Y 2中的每一个独立地表示氧原子,硫原子或硒原子; R 1和R 2中的每一个独立地表示取代基; m和n各自表示取代基R 1和R 2的数目,m和n各自表示0至4; 当m和n为2或更大时,R1和R2可以彼此相同或不同,并且可以彼此连接形成任选取代的环。
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公开(公告)号:KR101928284B1
公开(公告)日:2018-12-12
申请号:KR1020177030287
申请日:2016-03-23
申请人: 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: C07D495/04 , H01L51/00 , H01L51/05
摘要: 실온에서의 유기 용매 용해성, 용액의 보존 안정성 및, 내열성이 우수한 유기 화합물 및 그것을 함유하는 유기 반도체 재료, 당해 유기 반도체 재료를 이용하여 실온에 있어서의 인쇄 프로세스에 의해 얻어진 유기 박막 및, 당해 유기 박막을 포함하여 이루어지는 높은 이동도와 내열성을 갖는 유기 반도체 디바이스를 제공하는 것을 과제로 한다.
하기식 (A)
(식 중, R
1 및 R
2 는 어느 한쪽이 알킬기, 알킬기를 갖는 방향족 탄화수소기 또는 알킬기를 갖는 복소환기를 나타내고, 다른 한쪽이 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다. 단, R
1 및 R
2 의 양자가 알킬기를 나타내는 경우를 제외한다.)
로 나타나는 유기 화합물 및 당해 유기 화합물을 함유하는 유기 반도체 재료를 제공한다.-
公开(公告)号:KR1020150120388A
公开(公告)日:2015-10-27
申请号:KR1020157023276
申请日:2014-02-27
申请人: 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: C07D495/04 , C07D493/04 , C07D517/04 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L29/786 , H01L51/42
CPC分类号: H01L51/0074 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L51/0051 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要: [과제] 높은이동도및 온/오프비를가지며유기전자소자에유용한신규화합물; 및상기화합물의제조방법을제공하기위함. [해결방법] 하기일반식 (1) 로나타내는축합다환방향족화합물:[식중, A 는 1,5-디히드로나프탈렌고리또는 2,6-디히드로나프탈렌고리를나타내고; R, R, R및 R는각각독립적으로수소원자, 할로겐원자, 치환또는비치환지방족탄화수소기, 치환또는비치환지환식탄화수소기, 치환또는비치환방향족탄화수소기, 치환또는비치환탄화수소옥시기, 치환또는비치환에스테르기, 치환또는비치환아실기, 또는, 치환또는비치환시아노기를나타내고; X및 X는각각독립적으로산소원자, 황원자또는셀레늄원자를나타냄].
摘要翻译: 一种新型化合物,适用于高迁移率和开/关比的有机电子器件; 还有一种生产该化合物的方法。 [解决方法]为了由通式所表示的稠合多环芳香族化合物(1):其中,A是1,5-二氢萘环或2,6-二氢代表萘环; R,R,R和R各自独立地为氢原子,卤原子,取代或未取代的脂族烃基,取代或未取代的hwanji环烃基,取代或未取代的芳香族烃基,取代或未取代的烃氧基,取代的 或未取代的酯基,取代或未取代的酰基或取代或未取代的氨基; X和X各自独立地表示氧原子,硫原子或硒原子。
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公开(公告)号:KR1020150068398A
公开(公告)日:2015-06-19
申请号:KR1020157010009
申请日:2013-10-17
申请人: 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤
IPC分类号: C07D495/04 , C07D493/04 , C07D517/04 , H01L51/00 , H01L51/05
CPC分类号: H01L51/0074 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , C09B23/0058 , C09B23/0075 , C09B23/04 , C09B57/00 , H01L51/0051 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要: 하기일반식 (1) 또는일반식 (2) 로표시되는것을특징으로하는축합다환방향족화합물이제공된다:[식중, R내지 R은각각독립적으로수소원자, 할로겐원자, 탄화수소옥시기, 방향족탄화수소기, 지방족탄화수소기, 지환식탄화수소기, 에스테르기, 아실기, 시아노기및 치환실릴기로이루어지는군에서선택되는원자또는관능기를나타내고; X내지 X는각각독립적으로시아노기, 에스테르기또는아실기를나타내고; Y내지 Y는각각독립적으로산소원자, 황원자또는셀레늄원자를나타냄].
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