-
公开(公告)号：KR1020150142687A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020157029011
申请日：2014-04-08
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
CPC classification number: C08G64/28 , C08G64/307
Abstract: 본발명은하기공정 (a) 및공정 (b) 를갖는폴리카보네이트의제조방법에관한것이다 : (a) 축합촉매의존재하에, 특정한함불소카보네이트 (화합물 (1) 등) 와방향족디하이드록시화합물을반응시켜프레폴리머를얻는공정 ; 및 (b) 상기프레폴리머를그 프레폴리머의용융온도미만의온도에서가열하여, 부생되는함불소알코올을계 밖으로배출하면서, 그프레폴리머를고상중합시켜폴리카보네이트를얻는공정.
-
公开(公告)号：KR101577851B1
公开(公告)日：2015-12-15
申请号：KR1020117010879
申请日：2010-02-10
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Inventor： 가시와기기미아키
Abstract: 유지한전하의시간경과에따른안정성및 열안정성이높고, 전하유지특성이우수한일렉트렛의제조방법및 그일렉트렛을구비하는정전유도형변환소자의제공. 함불소중합체와실란커플링제를함유하는조성물을열처리하는공정을포함하고, 상기함불소중합체는, 주사슬에지방족고리구조를가짐과함께, 말단기로서카르복시기또는알콕시카르보닐기를갖고, 상기실란커플링제는아미노기를갖고, 상기열처리의온도는 250 ℃∼ 330 ℃인 것을특징으로하는일렉트렛의제조방법. 그일렉트렛을구비하는정전유도형변환소자.
-
公开(公告)号：KR101819780B1
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：KR1020137011953
申请日：2011-12-02
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
IPC: H01G7/02 , C09D123/08 , C09D127/18 , H02N1/00
CPC classification number: B05D5/12 , C08F214/265 , C08K5/03 , C08K5/07 , C09D127/18 , H01G7/021 , H01G7/023 , H02N1/00
Abstract: 기재표면이복잡한형상을갖는경우라도, 테트라플루오로에틸렌에기초하는반복단위와에틸렌에기초하는반복단위를갖는함불소공중합체를포함하는도막 (전하유지매체의전구체) 을기재표면에간편하게형성할수 있는전하유지매체의제조방법을제공한다. 테트라플루오로에틸렌에기초하는반복단위와에틸렌에기초하는반복단위를갖는함불소공중합체 (A) 와유기용매 (C) 를포함하는코팅용조성물을기재 (제 1 기재 (10)) 에도포하여, 도막을형성하는공정을갖는전하유지매체 (일렉트릿 (30)) 의제조방법.
Abstract translation: 即使在基材表面具有复杂形状的情况下，也能够容易地在基材表面形成包含具有基于四氟乙烯的重复单元和基于乙烯的重复单元的含氟共聚物的涂膜（电荷保持介质的前体） 以及制造电荷保持介质的方法。 （第一基材10）也适用于包含具有基于四氟乙烯的重复单元和基于乙烯的重复单元和溶剂（C）的含氟共聚物（A） （驻极体30）具有形成涂膜的步骤。
-
公开(公告)号：KR101577094B1
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020117013130
申请日：2010-02-10
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Inventor： 가시와기기미아키
Abstract: 유지한전하의시간경과적안정성및 열안정성이높고, 전하유지특성이우수한일렉트릿의제조방법및 그일렉트릿을구비하는정전유도형변환소자의제공. 함불소중합체와실란커플링제를함유하는조성물을열 처리하는공정을포함하고, 상기함불소중합체는, 주사슬에지방족고리구조를가짐과함께, 말단기로서카르복시기또는알콕시카르보닐기를갖고, 상기실란커플링제는, 아미노기를갖고, 상기함불소중합체의중량평균분자량이 20 만이상인것을특징으로하는일렉트릿의제조방법. 그일렉트릿을구비하는정전유도형변환소자.
Abstract translation: 一种驻极体的制造方法，其具有高的经时稳定性和保持电荷的热稳定性并且具有优异的电荷保持特性，以及具有该驻极体的静电感应型开关元件。 对含有含氟聚合物和硅烷偶联剂的组合物进行热处理的步骤，其中所述含氟聚合物在主链中具有脂肪族环状结构并具有羧基或烷氧基羰基作为端基， 其中，振鸣剂具有氨基，含氟聚合物的重均分子量为20万以上。 以及具有驻极体的静电感应型转换元件。
-
公开(公告)号：KR101818795B1
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR1020137012219
申请日：2011-12-02
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
IPC: H01G7/02 , C08K5/17 , C08K5/544 , C08L27/18 , C09D123/08 , C09D127/18
CPC classification number: H01B3/445 , C08F214/265 , C08K5/17 , C08K5/544 , C09D127/18 , H01G7/021 , H01G7/023
Abstract: 테트라플루오로에틸렌에기초하는반복단위와에틸렌에기초하는반복단위를갖는함불소공중합체를포함하는조성물로부터얻어진것임에도불구하고, 실용레벨의표면전위를갖는전하유지매체를제공한다. 테트라플루오로에틸렌에기초하는반복단위와에틸렌에기초하는반복단위를갖는함불소공중합체 (A) 와 ; 1 개이상의아미노기와 1 개이상의반응성관능기 (아미노기를제외한다) 를갖는화합물, 및 2 개이상의아미노기를갖고반응성관능기 (아미노기를제외한다) 를갖지않는화합물로이루어지는군에서선택되는적어도 1 종의대전보조제 (B) 를포함하는조성물로부터얻어진전하유지매체 (일렉트릿 (30)).
Abstract translation: 尽管它由包含具有基于四氟乙烯的重复单元和基于乙烯的重复单元的含氟共聚物的组合物获得，但其提供了具有实用水平的表面电位的电荷保持介质。 含有基于四氟乙烯的重复单元和基于乙烯的重复单元的含氟共聚物（A） 具有至少一个氨基和至少一个反应性官能团（不包括氨基）的化合物以及具有至少两个氨基且不具有反应性官能团（除氨基之外）的化合物， 由包含佐剂（B）的组合物获得的电荷保持介质（驻极体30）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110008009A
公开(公告)日：2011-01-25
申请号：KR1020107018512
申请日：2009-04-16
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
CPC classification number: H01G7/021 , H01G7/028 , H04R19/016 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/31507 , Y10T428/31511 , Y10T428/31515 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31551 , Y10T428/31573 , Y10T428/3158 , Y10T428/31721 , Y10T428/31728 , Y10T428/3175 , Y10T428/31786 , Y10T428/31797 , Y10T428/31909 , Y10T428/31913 , Y10T428/3192 , Y10T428/31928 , Y10T428/31935 , Y10T428/31938
Abstract: 표면 전하 밀도가 높은 일렉트릿 및 그 일렉트릿을 구비하는 정전 유도형 변환 소자의 제공. 수지 (a) 를 함유하는 층 (A) 와, 상기 수지 (a) 이외의 수지 (b) 또는 무기물 (c) 를 함유하는 층 (B) 가 직접 적층된 적층체를 갖고, 상기 수지 (a) 가 함불소 수지 (a1), 또는 지방족 고리 구조를 가지며 불소 원자를 함유하지 않는 수지 (a2) 이고, 상기 적층체에 전하를 주입하여 일렉트릿으로 할 때에 전하가 주입되는 측과 반대측의 최표면에 상기 층 (B) 가 배치되는 것을 특징으로 하는 일렉트릿.
-
公开(公告)号：KR1020140046438A
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020147001396
申请日：2012-07-26
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Abstract: 높은 전하 밀도를 발현하고, 또한, 고온 고습하에서의 전하 밀도의 안정성이 양호한 일렉트릿, 또 그 일렉트릿을 구비하는 정전 유도형 변환 소자를 얻는다.
수지층 (A) 와, 수지층 (A) 와 직접 적층된 수지층 (B) 를 갖는 적층체에, 전하가 주입된 일렉트릿으로서, 수지층 (A) 가 함불소 중합체와 실란 커플링제의 반응 생성물을 포함하고, 수지층 (B) 가 함불소 중합체와 실란 커플링제의 반응 생성물을 포함하지 않고, 함불소 중합체를 포함하고, 수지층 (B) 가 공기와 접하도록 최외층에 배치되고, 수지층 (B) 의 합계 두께가 상기 수지층 (A) 의 합계 두께의 5 ∼ 55 ％ 인 것을 특징으로 하는 일렉트릿. 또, 일렉트릿을 구비하는 정전 유도형 변환 소자.-
公开(公告)号：KR1020140016869A
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020137011953
申请日：2011-12-02
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
IPC: H01G7/02 , C09D123/08 , C09D127/18 , H02N1/00
CPC classification number: B05D5/12 , C08F214/265 , C08K5/03 , C08K5/07 , C09D127/18 , H01G7/021 , H01G7/023 , H02N1/00
Abstract: 기재 표면이 복잡한 형상을 갖는 경우라도, 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 반복 단위와 에틸렌에 기초하는 반복 단위를 갖는 함불소 공중합체를 포함하는 도막 (전하 유지 매체의 전구체) 을 기재 표면에 간편하게 형성할 수 있는 전하 유지 매체의 제조 방법을 제공한다. 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 반복 단위와 에틸렌에 기초하는 반복 단위를 갖는 함불소 공중합체 (A) 와 유기 용매 (C) 를 포함하는 코팅용 조성물을 기재 (제 1 기재 (10)) 에 도포하여, 도막을 형성하는 공정을 갖는 전하 유지 매체 (일렉트릿 (30)) 의 제조 방법.
-
公开(公告)号：KR1020140003422A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020137012219
申请日：2011-12-02
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
IPC: H01G7/02 , C08K5/17 , C08K5/544 , C08L27/18 , C09D123/08 , C09D127/18
CPC classification number: H01B3/445 , C08F214/265 , C08K5/17 , C08K5/544 , C09D127/18 , H01G7/021 , H01G7/023
Abstract: 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 반복 단위와 에틸렌에 기초하는 반복 단위를 갖는 함불소 공중합체를 포함하는 조성물로부터 얻어진 것임에도 불구하고, 실용 레벨의 표면 전위를 갖는 전하 유지 매체를 제공한다. 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 반복 단위와 에틸렌에 기초하는 반복 단위를 갖는 함불소 공중합체 (A) 와 ; 1 개 이상의 아미노기와 1 개 이상의 반응성 관능기 (아미노기를 제외한다) 를 갖는 화합물, 및 2 개 이상의 아미노기를 갖고 반응성 관능기 (아미노기를 제외한다) 를 갖지 않는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 대전 보조제 (B) 를 포함하는 조성물로부터 얻어진 전하 유지 매체 (일렉트릿 (30)).
-
公开(公告)号：KR1020110122813A
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：KR1020117013130
申请日：2010-02-10
Applicant: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Inventor： 가시와기기미아키
Abstract: 유지한 전하의 시간 경과적 안정성 및 열 안정성이 높고, 전하 유지 특성이 우수한 일렉트릿의 제조 방법 및 그 일렉트릿을 구비하는 정전 유도형 변환 소자의 제공. 함불소 중합체와 실란커플링제를 함유하는 조성물을 열 처리하는 공정을 포함하고, 상기 함불소 중합체는, 주사슬에 지방족 고리 구조를 가짐과 함께, 말단기로서 카르복시기 또는 알콕시카르보닐기를 갖고, 상기 실란커플링제는, 아미노기를 갖고, 상기 함불소 중합체의 중량 평균 분자량이 20 만 이상인 것을 특징으로 하는 일렉트릿의 제조 방법. 그 일렉트릿을 구비하는 정전 유도형 변환 소자.
Abstract translation: 本发明提供一种驻极体的高时间稳定性，高电荷热稳定性，电荷保持特性优异的驻极体的制造方法以及具有该驻极体的静电感应型转换装置。 另外，含氟聚合物，其包括加热含有含氟聚合物和硅烷偶联剂的组合物的步骤，并且与在主链中具有脂环结构，作为一个端基具有羧基或烷氧基羰基一起，硅烷偶 其中，振鸣剂具有氨基，含氟聚合物的重均分子量为20万以上。 以及具有驻极体的静电感应型转换元件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.02 seconds)
