公开(公告)号：KR1020140136002A

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：KR1020147026455

申请日：2013-03-25

申请人： 우베 고산 가부시키가이샤

发明人： 시바타고지 ,  오마루다쿠지 ,  야마오다케시 ,  후지나가마사타카 ,  혼다미치오 ,  후지이다카유키

IPC分类号： C01B21/068 ,  C04B35/626

CPC分类号： C01B21/0687 ,  C01B21/068 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/5935 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  Y10T428/2982

摘要： 본 발명의 목적은 높은 기계적 강도 및 열전도율을 갖는 질화규소 소결체 및 그것을 이용한 회로 기판을 제공하는 것이다. 비표면적을 RS(㎡/g), 산소 함유 비율을 RO(질량%)라고 한 경우에, RS/RO가 500 이상인 비정질 Si-N(-H)계 화합물을 연속 소성로에 의해 유동시키면서 1000℃∼1400℃의 온도 범위에서는 12℃/분∼100℃/분의 승온 속도로 가열하는 것을 특징으로 하는 질화규소 분말의 제조 방법을 제공한다. 또한, 입자 표면으로부터 입자 표면 바로 아래 3 ㎚까지 존재하는 산소의 함유 비율을 FSO(질량%)라고 하고, 입자 표면 바로 아래 3 ㎚로부터 내측에 존재하는 산소의 함유 비율을 FIO(질량%)라고 하며, 비표면적을 FS(㎡/g)라고 한 경우에, FS/FSO가 8∼25이고, FS/FIO가 22 이상인 것을 특징으로 하는 질화규소 분말, 상기 질화규소 분말을 소결하여 얻어지는 질화규소 소결체, 및 상기 질화규소 소결체를 이용한 회로 기판을 제공한다.

公开(公告)号：KR101652616B1

公开(公告)日：2016-08-30

申请号：KR1020147026455

申请日：2013-03-25

申请人： 우베 고산 가부시키가이샤

发明人： 시바타고지 ,  오마루다쿠지 ,  야마오다케시 ,  후지나가마사타카 ,  혼다미치오 ,  후지이다카유키

IPC分类号： C01B21/068 ,  C04B35/626

CPC分类号： C01B21/0687 ,  C01B21/068 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/5935 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  Y10T428/2982

摘要： 본발명의목적은높은기계적강도및 열전도율을갖는질화규소소결체및 그것을이용한회로기판을제공하는것이다. 비표면적을 RS(㎡/g), 산소함유비율을 RO(질량%)라고한 경우에, RS/RO가 500 이상인비정질 Si-N(-H)계화합물을연속소성로에의해유동시키면서 1000℃∼1400℃의온도범위에서는 12℃/분∼100℃/분의승온속도로가열하는것을특징으로하는질화규소분말의제조방법을제공한다. 또한, 입자표면으로부터입자표면바로아래 3 ㎚까지존재하는산소의함유비율을 FSO(질량%)라고하고, 입자표면바로아래 3 ㎚로부터내측에존재하는산소의함유비율을 FIO(질량%)라고하며, 비표면적을 FS(㎡/g)라고한 경우에, FS/FSO가 8∼25이고, FS/FIO가 22 이상인것을특징으로하는질화규소분말, 상기질화규소분말을소결하여얻어지는질화규소소결체, 및상기질화규소소결체를이용한회로기판을제공한다.