유기 전계발광 물질 및 소자
    3.
    发明公开
    유기 전계발광 물질 및 소자 审中-实审
    有机电致发光材料和器件

    公开(公告)号:KR1020150097386A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:KR1020150000509

    申请日:2015-01-05

    Abstract: 본 발명에는 화학식 M(L
    A )
    x (L
    B )
    y (L
    C )
    z 를 갖는 화합물, 이를 함유하는 소자, 및 이를 함유하는 제제가 기술된다. 상기 화합물은 리간드 L
    A ; 리간드 L
    B ; 및 리간드 L
    C 를 포함한다:
    상기 식에서,
    M은 40 초과의 원자 번호를 갖는 금속이고; x는 1, 또는 2이고; y는 1, 또는 2이고; z는 0, 1, 또는 2이고; x+y+z는 금속 M의 산화 상태이고; X
    1 , X
    2 , X
    3 , 및 X
    4 는 C 또는 N이고; R
    1 , R
    2 , R
    3 , 및 R
    4 중 하나 이상은 2개 이상의 C 원자를 갖고; R
    B 는 이치환, 삼치환, 또는 사치환을 나타내고; 2개의 인접 R
    B 는 고리 B에 축합되는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리 E를 형성하고; 고리 E가 헤테로시클릭인 경우, 유일한 헤테로원자는 질소이고; 고리 E는 추가로 치환될 수 있고; (a) X
    1 , X
    2 , X
    3 , 및 X
    4 중 하나 이상은 N이거나, (b) 고리 E는 헤테로시클릭이거나, 또는 (c) 둘다이다.

    Abstract translation: 描述了具有式M(LA)x(LB)y(LC)z的化合物,含有它们的装置和含有该化合物的化合物。 化合物包括:其中M是原子序数大于40的金属; x为1或2; y为1或2; 且z为0,1或2; 其中x + y + z是金属M的氧化态,其中X1,X2,X3和X4是C或N; 其中R 1,R 2,R 3和R 4中的至少一个具有至少两个C原子; 其中RB表示二,三或四取代,并且其中与环B稠合的六元碳环或杂环E的两个相邻RB; 当环E是杂环时,唯一的杂原子是氮; 其中环E可以被进一步取代; 并且其中(a)X 1,X 2,X 3和X 4中的至少一个为N,(b)环E为杂环,或(c)两者。

    유기 발광 디바이스 및 이것에 사용되는 재료
    8.
    发明公开
    유기 발광 디바이스 및 이것에 사용되는 재료 审中-实审
    有机发光装置及其材料

    公开(公告)号:KR1020140009260A

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:KR1020137015773

    申请日:2011-02-11

    Abstract: 본 발명은 캐소드 및 애노드 사이에 단층 또는 복수층을 포함하는 유기 박막 발광층으로서, 유기 박막층은 적어도 하나의 유기 발광층을 포함하고, 적어도 하나의 발광층은 적어도 하나의 모재 및 적어도 하나의 인광 에미터 재료를 포함하고, 모재는 하기 화학식에 의해 나타내어지는 화학 구조를 갖는 치환 또는 비치환 탄화수소 화합물을 포함하고, Ar
    1 ~Ar
    3 중 적어도 하나가 하기 화학식에 의해 나타내어지고, 적어도 X
    1 ~X
    3 은 독립적으로 질소 원자 또는 CR
    2 이고, 단, X
    1 ~X
    3 중 2개는 질소 원자이고, R
    1 은 1~10개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 또는 분기형 알킬기, 3~10개 환의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 치환 또는 비치환 실릴기, 6~50개 환의 탄소 원자를 갖는 아릴기, 5~50개 환의 원자를 갖는 헤테로아릴기, 할로겐 원자 또는 시아노기이고, R
    2 는 수� �� 원자 또는 R
    1 에 의해 나타내어지는 기이고, a는 1~2의 정수이고 n은 0~3의 정수이고, L
    1 은 6~50개 환의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴렌기이고, L
    2 는 6~50개 환의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴렌기, 또는 5~50개 환의 원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴렌기이고, 화학식(2)의 기가 아닌 Ar
    1 ~Ar
    3 중 최대 2개는 독립적으로 6~50개 환의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴기이고, L
    1 , L
    2 및/또는 화학식(2)의 기가 아닌 Ar
    1 ~Ar
    3 중 최대 2개가 치환기일 경우, 상기 치환기는 독립적으로 1~10개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 또는 분기형 알킬기, 3~10개 환의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 치환 또는 비치환 실릴기, 6~14개 환의 탄소 원자를 갖는 아릴기, 5~20개 환의 원자를 갖는 헤테로아릴기, 할로겐 원자 또는 시아노기이고, Ar
    1 ~Ar
    3 � �� 2개 이상이 화학식(2)의 기일 경우, 화학식(2)의 기는 같거나 달라도 좋고, a가 2일 경우, R
    1 은 같거나 달라도 좋으며, n이 2 이상일 경우, L
    2 는 같거나 달라도 좋고, 또한 인광 에미터 재료는 하기 화학식에 의해 나타내어지는 하기 부분 화학 구조 중 하나에 의해 나타내어지는 치환 화학 구조를 갖는 인광성 유기 금속 착체를 포함하고, 각각의 R은 독립적으로 H, 알킬, 알케닐, 알키닐, CN, CF
    3 , C
    n F
    2n
    +1 , 트리플루오로비닐, CO
    2 R, C(O)R, NR
    2 , NO
    2 , OR, 할로, 아릴, 헤테로아릴, 치환 헤테로아릴 또는 복소환기로 이루어지는 군에서 선택되는 OLED을 제공한다.

    저휘도에서의 OLED 디바이스 효율 감소

    公开(公告)号:KR102258067B1

    公开(公告)日:2021-05-31

    申请号:KR1020200064573

    申请日:2020-05-28

    Abstract: 본발명은제 1 전극; 제 2 전극; 상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에배치된발광층으로서, 제 1 트리플렛(triplet) 에너지레벨(T1)을갖는발광물질을포함하는발광층; 및상기발광층과상기제 2 전극사이에배치된엑시톤소광층으로서, 제 2 트리플렛에너지레벨(T1)을갖는비-발광소광물질을포함하는엑시톤소광층을포함하는발광디바이스로서, 상기엑시톤소광층은상기발광층에인접하여배치되고; 상기발광물질은인광또는지체된형광에의해방출하고; 상기제 1 트리플렛에너지레벨(T1)은상기제 2 트리플렛에너지레벨(T1)보다높은, 발광디바이스를제공한다. 발광디바이스를제조하는방법들또한제공된다.

Patent Agency Ranking