Abstract:
본 발명은 아미드-개질된 표면을 갖는 방향족 폴리이미드 나노웹의 제조 및 용도에 관한 것이다. 용도는 여과 매질로서의 용도 및 배터리(batteries), 특히 리튬-이온 배터리의 분리판으로서의 용도를 포함한다. 본 발명은 아미드-개질된 표면을 갖는 방향족 폴리이미드 나노웹을 포함한 여과 장치에도 관한 것이다. 본 발명은 또한 아미드-개질된 표면을 갖는 방향족 폴리이미드 나노웹을 포함하는 다층 물품 및 이 다층 물품을 포함하는 전기화학 전지에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 폴리이미드 나노웨브의 특성을 향상시키기 위한 방법으로서, 상기 방법은 방향족 폴리이미드의 복수의 나노섬유로 본질적으로 이루어진 나노웨브를 5초 내지 20분 범위의 기간 동안 그의 이미드화 온도보다 50℃ 이상 더 높은 온도에 처하게 함으로써 향상된 나노웨브를 제조하는 단계를 포함한다. 향상된 나노웨브를 포함하는 다층 용품 및 이러한 다층 용품을 포함하는 전기화학 전지를 또한 제공한다.
Abstract:
This invention relates to processes and apparati for selectively electroplating a metal layer or layers into recessed topographic features on a conductive surface. The processes and apparati of the invention are useful for fabricating metal circuit patterns, for example for creating copper interconnects between integrated circuit elements embedded in a thin layer of dielectric material on the surface of a semiconductor wafer.
Abstract:
본 발명은, 배터리 및 기타 전기화학 전지, 특히 리튬-이온 배터리를 위한, 폐쇄 기전을 갖는 격리판에 관한 것이다. 격리판은, 입자 크기가 나노웨브의 평균 유동 기공 크기보다 작은 복수의 열가소성 입자로 이루어진 다공성 층 및 부직포 나노웨브를 포함하는 적층체이다. 폐쇄 층은 목적하는 온도에서 용융되고 유동하기 시작하며, 이온 유동 경로를 제한하여, 격리판을 온전하게 보존하는 가운데 목적하는 폐쇄 온도에서 격리판의 이온 전도도의 실질적인 감소를 유발한다.
Abstract:
본 발명은 아미드-개질된 표면을 갖는 방향족 폴리이미드 나노웹의 제조 및 이용에 관한 것이다. 용도는 여과 매질로서의 용도 및 배터리, 특히 리튬-이온 배터리의 분리판으로서의 용도를 포함한다. 본 발명은 또한 아미드-개질된 표면을 갖는 방향족 폴리이미드 나노웹을 포함한 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 아미드-개질된 표면을 갖는 방향족 폴리이미드 나노웹을 포함하는 다층 물품 및 이 다층 물품을 포함하는 전기화학 전지에 관한 것이다.
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본 발명은 전해질이 안에 배치된 하우징, 및 전해질에 적어도 부분적으로 침잠된 다층 용품을 포함하는 전기화학 전지를 제공하며; 다층 용품은 제1 금속 집전 장치, 제1 금속 집전 장치와 전기 전도성 접촉하는 제1 전극 재료, 제1 전극 재료와 이온 전도성 접촉하는 제2 전극 재료, 제1 전극 재료와 제2 전극 재료 사이에 배치되어 이들 재료와 접촉하는 다공성 분리막, 및 제2 전극 재료와 전기 전도성 접촉하는 제2 금속 집전 장치를 포함하며, 다공성 분리막은 완전 방향족 폴리이미드의 복수개의 나노섬유로 본질적으로 이루어지는 나노웨브를 포함한다. 다층 용품의 제조 방법이 또한 제공된다. 분리막이 향상된 특성을 가진 폴리이미드 나노웨브인 전기화학 전지가 추가로 제공된다.
Abstract:
전기화학 전지의 자가 방전율 및 자가 방전율의 변산도를 감소시키는 방법으로서, 다공성 분리막이 전지의 캐소드와 애노드 사이에 삽입되고, 다공성 분리막은 복수의 나노섬유를 포함하는 나노웨브를 함유하며, 나노섬유는 전방향족 폴리이미드를 함유할 수 있고, 전방향족 폴리이미드는 이미드화도가 0.51 초과이며, 이미드화도는 1500 cm -1 에서의 CH 흡광도에 대한 1375 cm -1 에서의 이미드 CN 흡광도의 높이의 비인 방법.