Abstract:
Systems and methods automatically modify a laser-based system for processing target specimens such as semiconductor wafers. In one embodiment, the laser-based system detects a trigger associated with a processing model. The processing model corresponds to a set of wafers. In response to the trigger, the system automatically adjusts one or more system parameters based on the processing model. The system then uses the modified system parameters to selectively irradiate structures on or within at least one wafer in the set of wafers. In one embodiment, the trigger includes variations in a thermal state related to a motion stage. In response to the variations in the thermal state, the system operates the motion stage in a series of movements until a thermal equilibrium threshold is reached. The sequence of movements may, for example, simulate movements used to process a particular wafer.
Abstract:
시스템 및 방법은 반도체 웨이퍼와 같은 대상 시료를 가공하기 위한 레이저-기반 시스템을 자동으로 변경한다. 일 실시예에서, 레이저-기반 시스템은 가공 모델과 연관된 트리거를 검출한다. 가공 모델은 웨이퍼 세트에 대응한다. 트리거에 응답해서, 시스템은 가공 모델을 기초로 해서 하나 이상의 시스템 파라미터를 자동으로 조정한다. 시스템은 이때 변경된 시스템 파라미터를 사용해서, 웨이퍼 세트 내의 적어도 하나의 웨이퍼 위의 또는 안의 구조물을 선택적으로 방사한다. 일 실시예에서, 트리거는 움직임 스테이지와 관련된 열 상태에서의 변화를 포함한다. 열 상태에서의 변화에 응답해서, 시스템은 열 평형 임계치가 도달될 때까지 일련의 무브먼트로 움직임 스테이지를 작동시킨다. 무브먼트 시퀀스는 예컨대, 특별한 웨이퍼를 가공하는데 사용된 무브먼트를 흉내낼 수 있다.