고강도 후판 및 그 제조 방법
    4.
    发明授权
    고강도 후판 및 그 제조 방법 有权
    高强度钢板及其制造方法

    公开(公告)号:KR101715485B1

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:KR1020150100423

    申请日:2015-07-15

    摘要: 일실시예에따르는고강도후판의제조방법에있어서, 중량%로서, 탄소(C) 0.04 내지 0.09%, 실리콘(Si) 0.1 내지 0.3%, 망간(Mn) 1.0 내지 1.6%, 알루미늄(Al) 0 초과 0.05% 이하, 니켈(Ni) 0.1 내지 0.8%, 구리(Cu) 0.1 내지 0.3 이하, 니오븀(Nb) 0 초과내지 0.05%, 티타늄(Ti) 0 초과 0.05% 이하, 크롬(Cr) 0.01 내지 0.05%, 및나머지철(Fe)과기타불가피한불순물로이루어지되, 아래식으로표현되는탄소당량(Ceq)이 0.41% 이하인슬라브판재를 1030 내지 1200 ℃의온도로재가열한다. 상기재가열된판재를오스테나이트재결정정지온도이상의온도에서 1차압연한다. 상기 1차압연된판재를상기오스테나이트재결정정지온도이하의온도에서 2차압연한다. 상기 2차압연된판재를가속냉각한다. Ceq = [C] + [Mn]/6 + ([Ni]+[Cu])/15 + ([Cr]+[Mo]+[V])/5 (여기서 [X]의표기는 X 구성성분의판재내중량%를의미함)

    摘要翻译: 一种制造根据一个实施方案的高强度厚板的方法,包括以下步骤:碳(C)0.04至0.09%,硅(Si)0.1至0.3%,锰(Mn)1.0至1.6% (Ni)0.1〜0.3%,铜(Cu)0.1〜0.3%,铌(Nb)0〜0.05%以上,钛(Ti)0.05〜0.05% 并且将由下式表示的剩余的铁(Fe)和其他不可避免的杂质即碳质当量(Ceq)为0.41%以下,再加热至1030〜1200℃的温度 首先在高于奥氏体再结晶淬火温度的温度下轧制再加热板。 一次轧制板在低于奥氏体再结晶淬火温度的温度下二次轧制。 二次轧制板被加速冷却。 在CEQ = [C] + [Mn]为/ 6 +([镍] + [铜])/ 15 +([CR] + [Mo]的+ [V])/ 5(其中,[X] uipyo基团X成分 板材重量%)

    고강도 후판 및 그 제조 방법
    5.
    发明公开
    고강도 후판 및 그 제조 방법 有权
    高强度钢板及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170009051A

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:KR1020150100423

    申请日:2015-07-15

    摘要: 일실시예에따르는고강도후판의제조방법에있어서, 중량%로서, 탄소(C) 0.04 내지 0.09%, 실리콘(Si) 0.1 내지 0.3%, 망간(Mn) 1.0 내지 1.6%, 알루미늄(Al) 0 초과 0.05% 이하, 니켈(Ni) 0.1 내지 0.8%, 구리(Cu) 0.1 내지 0.3 이하, 니오븀(Nb) 0 초과내지 0.05%, 티타늄(Ti) 0 초과 0.05% 이하, 크롬(Cr) 0.01 내지 0.05%, 및나머지철(Fe)과기타불가피한불순물로이루어지되, 아래식으로표현되는탄소당량(Ceq)이 0.41% 이하인슬라브판재를 1030 내지 1200 ℃의온도로재가열한다. 상기재가열된판재를오스테나이트재결정정지온도이상의온도에서 1차압연한다. 상기 1차압연된판재를상기오스테나이트재결정정지온도이하의온도에서 2차압연한다. 상기 2차압연된판재를가속냉각한다. Ceq = [C] + [Mn]/6 + ([Ni]+[Cu])/15 + ([Cr]+[Mo]+[V])/5 (여기서 [X]의표기는 X 구성성분의판재내중량%를의미함)