公开(公告)号：KR101837322B1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：KR1020167004941

申请日：2013-09-18

申请人： 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드

发明人： 쉬,위엔쮠

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L51/56 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262

摘要： 능동형유기전계발광소자백플레이트및 그제작방법에있어서, 상기소자백플레이트는기판(20), 기판(20)에설치되는다수의능동박막트랜지스터화소어레이및 능동박막트랜지스터화소어레이에설치되는유기평탄층(228), 유기전계발광전극(229), 화소규정층(25) 및지지체(28)를포함하며, 각각의능동박막트랜지스터화소어레이는구동박막트랜지스터(22) 및스위치박막트랜지스터(24)를포함하고, 구동박막트랜지스터(22)의게이트절연층(220)의두께는스위치박막트랜지스터(24)의게이트절연층(240)의두께보다두껍다. 구동박막트랜지스터의게이트절연층의두께를증가시킴으로써, 구동박막트랜지스터의게이트커패시턴스를저하시키고, 나아가구동박막트랜지스터의서브문턱스윙을증가시켜그레이스케일을용이하게규정할수 있으며, 이와동시에, 스위치박막트랜지스터의게이트절연층의두께가변하지않도록유지하여, 스위치박막트랜지스터의서브문턱스윙을비교적작게유지시킴으로써, 동작전압을낮추고회로동작속도를증가시킬수 있어, 품질이효과적으로향상된다.

摘要翻译： 一种有源矩阵有机电致发光器件背板及其制造方法，所述器件背板包括衬底（20），安装在所述衬底（20）上的多个有源薄膜晶体管像素阵列， 像素限定层25和支撑件28.有源薄膜晶体管的每个像素阵列包括驱动薄膜晶体管22和开关薄膜晶体管24 并且驱动薄膜晶体管22的栅极绝缘层220的厚度比开关薄膜晶体管24的栅极绝缘层240的厚度厚。 通过增加驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度，降低了驱动薄膜晶体管的栅极电容，进而提高了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，轻松确定灰度级，同时， 通过保持栅极绝缘层的厚度不变，保持开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅较小，可以降低工作电压，提高电路工作速度，有效提高质量。

公开(公告)号：KR1020170103786A

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：KR1020177017981

申请日：2016-08-25

申请人： 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드

发明人： 하오,쉐광 ,  청,훙페이 ,  차오,융 ,  우,신인

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G03F9/7042 ,  G03F9/7088 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L27/1237

摘要： 어레이기판및 디스플레이디바이스가제공된다. 어레이기판은베이스기판(10), 및베이스기판(10) 상에배치되는게이트금속층, 활성층및 소스/드레인금속층을포함하고; 게이트금속층은게이트라인(102) 및게이트라인에평행하게연장되는저장전극라인(100)을포함하고; 활성층(106)은 TFT(thin-film transistor)의채널영역으로서취해지는제1 패턴및 베이스기판의두께방향으로저장전극라인과적어도부분적으로중첩되는제2 패턴을포함하거나, 또는소스/드레인금속층은베이스기판의두께방향으로저장전극라인과적어도부분적으로중첩되는금속층패턴(110) 및데이터라인패턴을포함한다. 이러한어레이기판은큰 저장용량을획득할수 있으므로디스플레이디바이스의디스플레이효과를향상시킨다.

摘要翻译： 提供了一种阵列基板和显示装置。 阵列基板包括基础基板10，设置在基础基板10上的栅极金属层，有源层以及源极/漏极金属层; 栅极金属层包括栅极线102和平行于栅极线延伸的存储电极线100; 有源层106包括作为薄膜晶体管（TFT）的沟道区的第一图案和在基底基板的厚度方向上与存储电极线至少部分重叠的第二图案，或者源极/ 并且数据线图案和金属层图案110在基底基板的厚度方向上至少部分地与存储电极线重叠。 这种阵列基板可以获得较大的存储容量，从而提高了显示装置的显示效果。

公开(公告)号：KR1020150030063A

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：KR1020130109274

申请日：2013-09-11

申请人： 엘지디스플레이 주식회사

发明人： 오금미 ,  이왕선 ,  윤광오 ,  류원상 ,  정영기 ,  노상순 ,  신동채

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/3265 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908

摘要： 본 발명은 초고해상도 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 박막 트랜지스터 영역과 보조 용량 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상기 박막 트랜지스터 영역에 형성된 채널 층 및 상기 보조 용량 영역에 형성된 반도체 층; 상기 채널 층 및 상기 반도체 층 위에 적층된 제1 게이트 절연막; 상기 반도체 층을 덮는 상기 제1 게이트 절연막 위에 직접 적층된 제1 보조 용량 전극; 상기 제1 게이트 절연막 및 상기 제1 보조 용량 전극을 덮는 제2 게이트 절연막; 상기 제2 게이트 절연막 위에서, 상기 채널 층과 중첩하는 게이트 전극 및 상기 반도체 층과 중첩하는 제2 보조 용량 전극; 상기 게이트 전극 및 상기 제2 보조 용량 전극을 덮는 중간 절연막; 그리고 상기 중간 절연막 위에서 상기 채널 층과 연결되는 소스-드레인 전극 및 상기 제2 보조 용량 전극과 중첩하는 제3 보조 용량 전극을 포함한다.

摘要翻译： 本发明涉及具有高开口率的超高分辨率有机发光二极管显示器及其制造方法。 有机发光二极管显示器包括：包括薄膜晶体管区域和存储电容器区域的衬底; 形成在基板的薄膜晶体管区域中的沟道层和形成在存储电容器区域中的半导体层; 层叠在所述沟道层和所述半导体层上的第一栅极绝缘膜; 直接层叠在覆盖半导体层的第一栅极绝缘膜上的第一保持电容电极; 构造成覆盖所述第一栅极绝缘膜和所述第一保持电容电极的第二栅极绝缘膜; 配置为与所述沟道层重叠的栅电极和配置成与所述半导体层重叠的第二存储电容电极，在所述第二栅极绝缘膜上; 被配置为覆盖所述栅电极和所述第二存储电容电极的中间绝缘膜; 连接到沟道层的源极/漏极以及被配置为与第二存储电容电极重叠的第三存储电容电极在中间绝缘膜上。

公开(公告)号：KR1020140129541A

公开(公告)日：2014-11-07

申请号：KR1020130047956

申请日：2013-04-30

申请人： 엘지디스플레이 주식회사

发明人： 최희동

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1237 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78606

摘要： 본 발명은 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 박막트랜지스터 어레이 기판은, 기판 상에 게이트 라인과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소전극을 정의하는 데이터 라인과; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에서 상기 게이트 라인으로부터 분기되어 형성되는 게이트 전극과; 상기 게이트 전극 상에 형성된 액티브 층과; 상기 액티브층 상에 형성되어 상기 액티브층의 채널영역을 정의하는 식각정지층과; 상기 액티브층 상에서 상기 액티브층과 중첩되고, 제 1 전극층과 제 2 전극층이 순차적으로 적층되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 식각정지층과 동일층에서 상기 식각정지층을 사이에 두고 형성되고, 각각 식각정지층과 이격되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법은, 불필요한 기생 캐패시터를 감소하고, 고속 구동 성능을 개선하고, 채널영역의 길이를 짧게 형성하고, 박막 트랜지스터의 성능 및 패널의 휘도 및 품질을 확보할 수 있다. 또한, 배면노광 공정을 통해 마스크 공정을 줄이고, 공정시간 및 비용을 감소할 수 있다.

摘要翻译： 公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。 由本说明书公开的薄膜晶体管阵列基板包括：在基板上交叉栅极线的数据线，其间具有栅极绝缘膜，以限定像素电极; 栅极电极，其形成为在栅极和数据线之间的交叉处从栅极线分支; 形成在栅电极上的有源层; 蚀刻停止层，形成在有源层上以限定有源层上的沟道区; 以及与有源层上的有源层重叠的源电极和漏极，并且通过依次层叠第一和第二电极层而形成。 源电极和漏电极的特征在于与蚀刻停止层形成在与它们之间的蚀刻停止层远离蚀刻停止层的同一层上。 因此，根据本发明的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法可以减少不必要的寄生电容，提高高速运算性能，减小沟道面积的长度; 并保证薄膜晶体管（TFT）的性能以及面板的亮度和质量。 此外，通过使用背面曝光处理来省略掩模处理，并且可以减少处理时间和处理成本。

公开(公告)号：KR101402102B1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：KR1020097022054

申请日：2008-03-18

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 노다코세이 ,  사토나나에

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/66833

摘要： 불휘발성 메모리 트랜지스터의 전하유지 특성을 향상시킨다. 반도체기판과 도전막의 사이에는, 터널 절연막으로서 기능하는 제1절연막, 전하축적층, 및 제2절연막이 삽입되어 있다. 전하축적층은, 2층의 질화 실리콘막으로 형성된다. 하층의 질화 실리콘막은, 질소 소스 가스로서 NH
3 을 사용해서 CVD법으로 형성되고, NH결합을 상층보다도 많이 포함한다. 상층의 제2질화 실리콘막은, 질소 소스 가스로서 N
2 을 사용해서 CVD법으로 형성되고, Si-H결합을 하층보다도 많이 포함한다.
반도체장치, 불휘발성 메모리 트랜지스터, 전하축적층, 소스 가스.

公开(公告)号：KR101346239B1

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：KR1020070012143

申请日：2007-02-06

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/1237 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42324

摘要： 본 발명은 저전압에서 고효율의 기입을 할 수 있고, 전하 보유 특성이 우수한 불휘발성 반도체 기억장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 불휘발성 반도체 기억장치는, 서로 떨어져 형성된 한 쌍의 불순물 영역과 그 불순물 영역들 사이의 채널 형성 영역을 가지는 반도체막과, 채널 형성 영역의 상방에 제공되는 제1 절연막, 전하 축적층, 제2 절연막, 및 게이트 전극층으로서 기능하는 도전막을 포함한다. 이 불휘발성 반도체 기억장치에서, 전하 축적층의 전하에 대하여 제1 절연막에 의해 형성되는 제2 장벽이 반도체막의 전하에 대하여 제1 절연막에 의해 형성되는 제1 장벽보다 에너지적으로 높다.
불휘발성 반도체 기억장치, 제1 절연막, 전하 축적층, 제2 절연막, 도전막

公开(公告)号：KR101251998B1

公开(公告)日：2013-04-08

申请号：KR1020060016109

申请日：2006-02-20

申请人： 삼성디스플레이 주식회사

发明人： 허종무

IPC分类号： H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC分类号： H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276

摘要： 본 발명은 기판, 상기 기판 위에 교차하게 형성되어 있는 제1 및 제2 신호선, 상기 제1 신호선과 연결되어 있는 스위칭 제어 전극, 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 스위칭 입력 전극, 상기 스위칭 입력 전극과 마주하는 스위칭 출력 전극, 상기 스위칭 입력 전극과 상기 스위칭 출력 전극과 일부 중첩되어 있는 스위칭 반도체, 상기 스위칭 출력 전극과 연결되어 있는 제1 및 제2 구동 제어 전극, 상기 제1 및 제2 구동 제어 전극 사이에 형성되어 있는 구동 반도체, 상기 구동 반도체와 일부 중첩되어 있으며 서로 마주하는 구동 입력 전극 및 구동 출력 전극, 상기 구동 출력 전극과 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되어 있는 발광 부재를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체, 결정 상태, 구동 박막 트랜지스터, 전류 특성, 전하 이동성, 오프 전류, 발광 전류

摘要翻译： 本发明提供一种液晶显示装置，其特征在于，具备：基板;在基板上形成的第一信号线和第二信号线;与第一信号线连接的切换控制电极;与第二信号线连接的切换输入电极; 连接到开关输出电极的第一开关控制电极以及连接在第一开关控制电极和第二开关控制电极之间的第二开关控制电极， 连接到驱动输出电极的第一电极，面对第一电极的第二电极以及电连接到驱动输出电极的第二电极， 一种有机发光显示装置，包括形成在第一电极和第二电极之间的发光元件， 它涉及到法律。

公开(公告)号：KR1020120090781A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020120003386

申请日：2012-01-11

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자끼슌뻬이

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606

摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve an electric property of a transistor by decreasing a leakage current in a source and a drain of a transistor. CONSTITUTION: A first oxidation insulation layer(102) is formed on a substrate(101). A second oxidation insulation layer is formed on the first oxidation insulation layer. A protection layer(107) covering the end of the oxide semiconductor layer is formed by selectively etching the second oxidation insulation layer. A gate insulation layer(111) is directly contacted with the upper side of the oxide semiconductor layer. A gate electrode(113) is formed on the gate insulation layer to overlap the oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过减小晶体管的源极和漏极中的漏电流来改善晶体管的电性能。 构成：在基板（101）上形成第一氧化绝缘层（102）。 在第一氧化绝缘层上形成第二氧化绝缘层。 通过选择性地蚀刻第二氧化物绝缘层来形成覆盖氧化物半导体层的端部的保护层（107）。 栅极绝缘层（111）与氧化物半导体层的上侧直接接触。 栅电极（113）形成在栅极绝缘层上以与氧化物半导体层重叠。

公开(公告)号：KR1020090023157A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020080083208

申请日：2008-08-26

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 노다코세이

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L29/7883 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7884 ,  H01L29/792 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and manufacturing method thereof are provided to develop the silicon nitride film which is suitable for the charge trap layer. The first insulating layer(11) is formed on the semiconductor region(10). The charge trap layer(12) is formed on the first insulating layer. The conductive film(15) is formed on the charge trap layer. The charge trap layer comprises the silicon nitride film. The upper region(12B) and lower region(12A) of the silicon nitride film are adjacent to the thickness direction. The hydrogen concentration of the lower region is 15 atomic% or greater. The hydrogen concentration of the upper region is lower than that of the hydrogen concentration of the lower region.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法来开发适用于电荷陷阱层的氮化硅膜。 第一绝缘层（11）形成在半导体区域（10）上。 电荷陷阱层（12）形成在第一绝缘层上。 导电膜（15）形成在电荷陷阱层上。 电荷陷阱层包括氮化硅膜。 氮化硅膜的上部区域（12B）和下部区域（12A）与厚度方向相邻。 下部区域的氢浓度为15原子％以上。 上部区域的氢浓度低于下部区域的氢浓度。

公开(公告)号：KR1020080101654A

公开(公告)日：2008-11-21

申请号：KR1020080027205

申请日：2008-03-25

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 타나다요시푸미

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/08 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/1237 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1233

摘要： The semiconductor device is provided to be driven with high performance and low power consumption by reducing the parasitic capacitance. The semiconductor device includes the first circuit group(1201) and the second circuit group(1202) installed on the substrate having insulating surface. The first circuit group includes the first transistor having the first single crystal semiconductor film and the first gate insulating layer. The second circuit group includes the second transistor having the second single crystal semiconductor film and the second gate insulating layer. The first single crystal semiconductor film and the second single crystal semiconductor film interpose the insulating layer and installed on the respective substrate. The film thickness of the first single crystal semiconductor film is thinner than the film thickness of the second single crystal semiconductor film.

摘要翻译： 半导体器件通过降低寄生电容而被提供以高性能和低功耗驱动。 半导体器件包括安装在具有绝缘表面的衬底上的第一电路组（1201）和第二电路组（1202）。 第一电路组包括具有第一单晶半导体膜和第一栅极绝缘层的第一晶体管。 第二电路组包括具有第二单晶半导体膜和第二栅极绝缘层的第二晶体管。 第一单晶半导体膜和第二单晶半导体膜插入绝缘层并安装在相应的基板上。 第一单晶半导体膜的膜厚比第二单晶半导体膜的膜厚薄。